技術(shù)特征：

1.一種抑制水性系統(tǒng)中硅垢形成的方法，其包含向用于所述水性系統(tǒng)中的水中添加阻垢劑，其中所述阻垢劑包含胺封端的聚氧化烯。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述水性系統(tǒng)包含包括反滲透膜的反滲透系統(tǒng)，其中所述方法包含以下步驟：

將所述阻垢劑添加到含有二氧化硅的供給水來(lái)源中，以及

使所得供給水穿過(guò)所述反滲透系統(tǒng)，使得一部分穿過(guò)所述反滲透膜以產(chǎn)生二氧化硅濃度降低的滲透流，其中供給水的其余部分形成二氧化硅濃度更高的阻擋流。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述末端胺包含叔胺。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述胺封端的聚氧化烯由以下表示：

其中Y和Y'獨(dú)立地選自氫或烷基；R₁和R₂獨(dú)立地選自氫或C₁到C₂₀烴部分；且E為選自氫、烷基、-NR₁R₂的末端基團(tuán)；L為選自以下的連接基團(tuán)：氧化烯重復(fù)單元-(CH₂CH(Y)O)-與氮原子之間的直接鍵，或C₁到C₂₀烴部分；n為整數(shù)2到1000；且m為整數(shù)0到1000。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中R₂選自C₄到C₂₀烴部分。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中R₁為氫且R₂為C₁₀到C₁₄烴部分。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述阻垢劑的Mw是100到100,000道爾頓。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述水的pH小于9.5。

9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中所述供給水的pH小于9并且二氧化硅含量是至少30ppm，并且其中所述阻擋流的二氧化硅含量是至少100ppm。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中將1到1000ppm的所述阻垢劑添加到所述水性系統(tǒng)的所述水中。