本實(shí)用新型涉及單晶硅片清洗設(shè)備領(lǐng)域，尤其涉及一種單片清洗的單晶硅片清洗裝置。

背景技術(shù)：

單晶硅片在生產(chǎn)打磨好后需要清洗表面的污垢，現(xiàn)有的清洗設(shè)備比較傳統(tǒng)，就是將單晶硅片放入放入水槽中沖洗。這樣方式洗得很不干凈，而且由于單晶硅片比較薄，很多都重疊在一起，所以每次清洗非常不方便。

因此，提供一種能夠避免單晶硅片重疊，并且清洗質(zhì)量高的單晶硅片清洗裝置，就成為了業(yè)內(nèi)亟待解決的問(wèn)題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為解決背景技術(shù)提到的問(wèn)題，本實(shí)用新型提出如下技術(shù)方案：

一種單片清洗的單晶硅片清洗裝置，包括水槽、清洗架、擋片、水噴頭，所述水槽上方設(shè)有清洗架，所述清洗架為長(zhǎng)條盒形，其底部開(kāi)設(shè)有若干通孔，在清洗架兩內(nèi)側(cè)壁對(duì)應(yīng)均勻設(shè)有若干擋片，所述清洗架頂部滑動(dòng)連接水噴頭；所述水噴頭為方形，其頂部連接水管。

優(yōu)選的，所述的擋片兩兩之間的間距大于單晶硅片厚度，小于二倍單晶硅片厚度。

優(yōu)選的，所述的清洗架兩側(cè)壁間距等于單晶硅片寬度。

優(yōu)選的，所述的水噴頭卡接在清洗架兩側(cè)壁上方。

優(yōu)選的，所述的清洗架與水槽可拆卸式連接。

清洗時(shí)，將單晶硅片放入清洗架中，由擋片將每個(gè)單晶硅片隔離清洗，水噴頭在清洗架上來(lái)回滑動(dòng)噴水不斷進(jìn)行清洗。

本實(shí)用新型作為一種單晶硅片的清洗裝置，具有避免單晶硅片重疊，且清洗質(zhì)量高的優(yōu)點(diǎn)。

附圖說(shuō)明：

圖1為本實(shí)用新型的整體結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2為本實(shí)用新型的清洗架結(jié)構(gòu)示意圖。

其中：1-水槽，2-清洗架，3-擋片，4-水噴頭，5-水管，6-通孔。

具體實(shí)施方式

為了使本領(lǐng)域的技術(shù)人員更好地理解本實(shí)用新型的技術(shù)方案，下面對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步說(shuō)明：

一種單片清洗的單晶硅片清洗裝置，包括水槽1、清洗架2、擋片3、水噴頭4，所述水槽1上方設(shè)有清洗架2，所述清洗架2為長(zhǎng)條盒形，其底部開(kāi)設(shè)有若干通孔6，在清洗架2兩內(nèi)側(cè)壁對(duì)應(yīng)均勻設(shè)有若干擋片3，所述清洗架2頂部滑動(dòng)連接水噴頭4；所述水噴頭4為方形，其頂部連接水管5。

優(yōu)選的，所述的擋片3兩兩之間的間距大于單晶硅片厚度，小于二倍單晶硅片厚度。

優(yōu)選的，所述的清洗架2兩側(cè)壁間距等于單晶硅片寬度。

優(yōu)選的，所述的水噴頭4卡接在清洗架2兩側(cè)壁上方。

優(yōu)選的，所述的清洗架2與水槽1可拆卸式連接。

清洗時(shí)，將單晶硅片放入清洗架2中，由擋片3將每個(gè)單晶硅片隔離清洗，水噴頭4在清洗架上來(lái)回滑動(dòng)噴水不斷進(jìn)行清洗。

以上只通過(guò)說(shuō)明的方式描述了本實(shí)用新型的某些示范性實(shí)施例，毋庸置疑，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，在不偏離本實(shí)用新型的精神和范圍的情況下，可以用各種不同的方式對(duì)所描述的實(shí)施例進(jìn)行修正。因此，上述附圖和描述在本質(zhì)上是說(shuō)明性的，不應(yīng)理解為對(duì)本實(shí)用新型權(quán)利要求保護(hù)范圍的限制。