本發(fā)明涉及集成電路技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及晶圓的噴淋設(shè)備。

背景技術(shù)：

半導(dǎo)體鍍膜工藝中，通常采用噴淋頭對著晶圓噴淋高溫金屬氣體，為了保證噴淋的均勻性，需要將噴淋頭整平，使得所有噴淋頭與晶圓之間的距離相等。目前采用的噴淋結(jié)構(gòu)，只能噴淋前對噴淋頭的高度位置調(diào)節(jié)，而噴淋過程中無法實(shí)時(shí)調(diào)節(jié)，從而由于噴淋過程中噴淋頭高度的變化，導(dǎo)致還存在噴淋不均勻的現(xiàn)象。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

針對現(xiàn)有技術(shù)存在的上述問題，申請人進(jìn)行研究及改進(jìn)，提供一種帶實(shí)時(shí)高度調(diào)節(jié)的晶圓噴淋頭結(jié)構(gòu)，能實(shí)時(shí)調(diào)節(jié)噴淋高度，保證均勻噴淋。

為了解決上述問題，本發(fā)明采用如下方案：

一種帶實(shí)時(shí)高度調(diào)節(jié)的晶圓噴淋頭結(jié)構(gòu)，包括固定安裝于噴淋頭安裝板上的豎向氣缸，所述豎向氣缸的活塞桿下端固定安裝有噴淋頭及測距儀，噴淋頭位于活塞桿的一側(cè)，測距儀位于活塞桿的下端；還包括一控制器，所述測距儀的輸出端與控制器的輸入端連接，所述控制器的輸出端與豎向氣缸的行程控制單元連接。

本發(fā)明的技術(shù)效果在于：

本發(fā)明采用實(shí)時(shí)檢測噴淋距離，并實(shí)時(shí)調(diào)節(jié)，提高噴淋的均勻度。

附圖說明

圖1為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖中：1、晶圓支撐臺(tái)；2、噴淋頭安裝板；3、豎向氣缸；4、噴淋頭；5、測距儀；6、晶圓。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實(shí)施方式作進(jìn)一步說明。

如圖1所示，本實(shí)施例的晶圓的噴淋結(jié)構(gòu)，包括固定安裝于機(jī)架上的晶圓支撐臺(tái)1及位于晶圓支撐臺(tái)1上方的噴淋頭安裝板2，噴淋頭安裝板2上固定安裝有多個(gè)豎向氣缸3，豎向氣缸3的活塞桿下端固定安裝有噴淋頭4及測距儀5，噴淋頭4位于活塞桿的一側(cè)，測距儀5位于活塞桿的下端；本發(fā)明還包括一控制器，測距儀5的輸出端與控制器的輸入端連接，控制器的輸出端與豎向氣缸3的行程控制單元連接。

使用時(shí)，通過測距儀5檢測噴淋頭4與晶圓6之間的距離，當(dāng)檢測的距離大于或小于設(shè)定的距離時(shí)，控制器向?qū)?yīng)的豎向氣缸3的行程控制單元發(fā)送信號(hào)，從而控制豎向氣缸3的活塞桿伸出長度，直至檢測距離等于原始的設(shè)定距離。

以上所舉實(shí)施例為本發(fā)明的較佳實(shí)施方式，僅用來方便說明本發(fā)明，并非對本發(fā)明作任何形式上的限制，任何所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者，若在不脫離本發(fā)明所提技術(shù)特征的范圍內(nèi)，利用本發(fā)明所揭示技術(shù)內(nèi)容所作出局部改動(dòng)或修飾的等效實(shí)施例，并且未脫離本發(fā)明的技術(shù)特征內(nèi)容，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)特征的范圍內(nèi)。