1.一種in-mof/go材料,其特征在于,其包括氧化石墨烯(go)及生長于氧化石墨烯(go)上的in-mof。
2.如權(quán)利要求1所述的in-mof/go材料,其特征在于,所述in-mof/go材料中,in-mof的質(zhì)量百分比為10~20%。
3.權(quán)利要求1或2所述的in-mof/go材料的制備方法,其特征在于,所述制備方法包括將銦鹽前驅(qū)體和有機(jī)配體通過原位反應(yīng)生長在氧化石墨烯(go)上。
4.如權(quán)利要求3所述的制備方法,其特征在于,所述銦鹽前驅(qū)體、有機(jī)配體、氧化石墨烯(go)的反應(yīng)質(zhì)量比為1:(0.5~2):(2~50)。
5.一種可漂浮二維異質(zhì)結(jié)裝置,其特征在于,其含有權(quán)利要求1或2所述的in-mof/go材料和/或由權(quán)利要求1或2所述的in-mof/go材料制備得到。
6.如權(quán)利要求5所述的裝置,其特征在于,所述可漂浮二維異質(zhì)結(jié)裝置還包括基底,所述基底上修飾有所述in-mof/go材料。
7.權(quán)利要求5或6所述的可漂浮二維異質(zhì)結(jié)裝置的制備方法,其特征在于,所述制備方法包括將含有權(quán)利要求1或2所述的in-mof/go材料的溶液通過抽濾法修飾于基底上。
8.一種光催化系統(tǒng),其特征在于,其含有權(quán)利要求1或2所述的in-mof/go材料和/或權(quán)利要求5或6所述的可漂浮二維異質(zhì)結(jié)裝置。
9.權(quán)利要求1或2所述的in-mof/go材料和/或權(quán)利要求5或6所述的可漂浮二維異質(zhì)結(jié)裝置和/或權(quán)利要求8所述的光催化系統(tǒng)在用于將二氧化碳光催化還原和/或水體凈化中的應(yīng)用。
10.一種光催化二氧化碳還原和水體凈化的方法,其特征在于,包括以二氧化碳為原料,以權(quán)利要求1或2所述的in-mof/go材料和/或權(quán)利要求5或6所述的可漂浮二維異質(zhì)結(jié)裝置為催化劑,以水為還原劑,在光照條件下發(fā)生二氧化碳還原和水氧化反應(yīng)。