滬試牌顆粒活性炭，置于1000 ml大燒杯中，加入500ml去離子 水，于電熱鍋煮沸30min，棄去廢液，再重復4次（即，共進行5次）；得初次洗滌后活性炭顆 粒；
[0052] 2)、超聲波清洗：
[0053] 用干凈的手套擠壓初次洗滌后活性炭顆粒，將水分瀝干后，轉(zhuǎn)移到1000 ml大燒杯 中，加800ml去離子水，置于53KHZ超聲波清洗儀中清洗30min，棄廢液，得二次洗滌后活性 炭顆粒；
[0054] 3)、用去離子水反復清洗二次洗滌后活性炭顆粒，直至洗滌液中無肉眼可見渾濁。
[0055] 4)、將步驟3)所得的活性炭顆粒瀝干水分后置于平皿中，放入烘箱（60°C )中烘干 2天至恒重；得預處理后活性炭顆粒。
[0056] 將預處理后活性炭顆粒置于干燥潔凈的200ml廣口瓶中，加蓋密封備用。在實際 使用之前，迅速用分析天平稱取I. 5g或1.0 g活性炭于潔凈的9ml塑料試管中，密封并置于 高壓（1.05X 105Pa、121°C)滅菌鍋中滅菌30min，烘干（60°C烘干至恒重）。
[0057] 實施例3、
[0058] 從保存菌株的冷凍保存管中將產(chǎn)氣霉ZJLQ024菌株接種在平皿PDA培養(yǎng)基上進行 活化，待菌落直徑達到6-7cm時使用。在無菌三格培養(yǎng)皿的1格中倒入融化的PDA培養(yǎng)基， 待培養(yǎng)基冷卻凝固后備用。取培養(yǎng)好的產(chǎn)氣霉Z幾 Q024菌落，用5_打孔器于菌落邊緣打 孔得到直徑為5_的菌餅，將菌餅接種于平皿培養(yǎng)基的裝有PDA培養(yǎng)基的這1格中，另一格 中加入LOg高壓滅菌后活性炭（實施例2所得），用雙層Parafilm封口膜封住培養(yǎng)皿。以 不加活性炭，僅加產(chǎn)氣霉ZJLQ024為對照組（即，用不加入活性炭的產(chǎn)氣霉ZJLQ024培養(yǎng)基 作為對照組），于25°C黑暗培養(yǎng)。進行3次重復。每天定時拍照，并記錄菌落直徑。
[0059] 加活性炭的處理組鳳陽產(chǎn)氣霉ZJLQ024生長速度大于對照組的鳳陽產(chǎn)氣霉 ZJLQ024,處理組菌落直徑大于對照組（圖1和圖2)。因此我們可以看到由于活性炭吸 附了 VOCs，鳳陽產(chǎn)氣霉生長速度加快，實驗結(jié)果表明VOCs -定程度上抑制了鳳陽產(chǎn)氣霉 ZJLQ024的生長。
[0060] 實施例4、被活性炭吸附的鳳陽產(chǎn)氣霉ZJLQ024活性對峙實驗
[0061] 從保存菌株的冷凍保存管中將鳳陽產(chǎn)氣霉ZJLQ024菌株接種在平皿PDA培養(yǎng)基上 進行活化，待菌落直徑達到6-7cm時使用。在無菌三格培養(yǎng)皿的兩格中倒入融化的PDA培 養(yǎng)基，待培養(yǎng)基冷卻凝固后備用。取培養(yǎng)好的鳳陽產(chǎn)氣霉Z幾 Q024菌落，用5_打孔器于菌 落邊緣打孔得到直徑為5mm的菌餅，將菌餅接種于上述三格平皿培養(yǎng)基的裝有PDA培養(yǎng)基 的其中1格中，在空格中加入1.0 g高壓滅菌后活性炭（實施例2所得）；用雙層Parafilm 封口膜封住培養(yǎng)皿，于25°C黑暗培養(yǎng)。IOd后，于無菌環(huán)境中，打開雙層Parafilm封口膜， 將病原指示菌青霉菌（KH8)，灰霉（ZAUlO)，立枯絲核菌（ZAU05)、桃子褐腐菌（TZOl)中 的任意一種接種于裝有PDA培養(yǎng)基的另1格中；然后再次用雙層Parafilm封口膜封住培 養(yǎng)皿，于25°C黑暗培養(yǎng)，以此作為實驗組。以不加活性炭（僅有病原指示菌和鳳陽產(chǎn)氣霉 ZJLQ024)為對照組。進行3次重復。實驗組和對照組均繼續(xù)于25°C黑暗培養(yǎng)，然后分別于 青霉菌（KH8)接種生長2天后，灰霉（ZAUlO)接種生長1天后，立枯絲核菌（ZAU05)接種生 長7天后，桃子褐腐菌（TZOl)接種生長7天后進行測定，測定結(jié)果如圖3所示。
[0062] 備注說明：病原指示菌的接種量為5mm菌餅。
[0063] 通過活性對峙實驗（圖3)發(fā)現(xiàn)，有活性炭存在的處理組ZJLQ024并沒有完全失去 活性，甚至可以部分抑制病原指示菌，如灰霉（ZAUlO)等，說明VOCs部分被活性炭吸收。
[0064] 實施例5、測定活性炭吸附的VOCs成分
[0065] 將鳳陽產(chǎn)氣霉菌株在PDA培養(yǎng)基中活化培養(yǎng)，用打孔器打出直徑0. 5cm菌絲塊，如 同實施例3,接種在培養(yǎng)皿內(nèi)的PDA培養(yǎng)基上，以培養(yǎng)皿內(nèi)加有活性炭的作為實驗組（處理 組），以不加活性炭的作為對照。用雙層Parafilm封口膜封住培養(yǎng)皿，24°C培養(yǎng)IOd后采樣 檢測。
[0066] 固相微萃?。⊿olid Phase Microextraction，SPME)裝置（SUPELCO, USA)， 用SPME注射器萃取產(chǎn)氣霉菌絲產(chǎn)生的揮發(fā)性有機化合物，萃取探頭涂層為50/30 μπι Divinylbenzene/Carboxen/Polydimethylsiloxane (DVB/CAR/PDMS)。在萃取揮發(fā)性有機 化合物前，SPME針頭插入氣相色譜進樣口，推出萃取頭，使之在240°C氦氣流下老化20min ; SPME針頭從培養(yǎng)皿一側(cè)的小孔中插入，推出萃取頭，不要碰到菌絲，萃取45分鐘。將萃取頭 縮回保護針管，立即插入已準備好的GC-MS進樣口，推出萃取頭，利用氣化室的高溫解析目 標分析物后，進行色譜測定。
[0067] 氣相色譜儀-質(zhì)譜儀（Agilent 6890N/5975B)，石英毛細管柱HP-5MS(5%苯甲 基硅氧烷：0· 25mmX30m, 0· 25 μπι)。色譜條件：載氣為氦氣，柱流量1.0 mL · min-1 ;汽化 室溫度：240°C，色譜柱初始溫度30°C，保持3min，以5°C · min-1升溫速率升至220°C，最 后270°C維持lmin。進樣量l.OyL，不分流。質(zhì)譜條件：EI電離源，電離電壓70eV，離子 源溫度230°C，質(zhì)譜掃描速率為：3. 35scans/s ;質(zhì)譜范圍：20-450amu。通過NIST05數(shù)據(jù)庫 (Agilent)比較鑒定揮發(fā)性物質(zhì)。對照組檢測到的峰，將在處理組中獲得的峰中進行扣除。
[0068] 為了確定鳳陽產(chǎn)氣霉ZJLQ024產(chǎn)生的某些VOCs成分是否被活性炭吸附，將處理組 和對照組的VOCs進行了 GC-MS檢測。圖4是對照組的總離子流圖，可以看出色譜峰比較復 雜，通過標準圖譜鑒定包括醇類、烯類、脂類等。而相對于對照組，處理組總離子流圖十分簡 單，僅有兩個明顯的峰形，VOCs成分大大減少，經(jīng)鑒定為乙醇和乙酸乙酯（圖5)。
[0069] 實施例6、收集固體發(fā)酵過程中產(chǎn)生的VOCs
[0070] 取滅菌的麥粒培養(yǎng)基100g，接種10ml PDB搖瓶培養(yǎng)6天的鳳陽產(chǎn)氣霉ZJLQ024均 勻菌絲液（無菌榨汁機處理），混合均勻，然后用無菌紗布袋裝20g高壓滅菌后活性炭（實 施例2所得）于三角瓶，紗布系緊繩子懸掛在瓶內(nèi)的培養(yǎng)基上方，用8層紗布和報紙封口； 作為處理組；以不加高壓滅菌后活性炭的作為對照組。重復3次，培養(yǎng)待用。
[0071] 搖瓶中通過加入活性炭的處理組相比對照組（未加活性炭）固體發(fā)酵產(chǎn)物發(fā) 酵效果更好，處理組的麥?？汕逦吹蕉ㄖ吃邴溋Ｉ系漠a(chǎn)氣霉ZJLQ024,而對照組產(chǎn)氣霉 Z幾 Q024生長非常緩慢，看不到白色的產(chǎn)氣霉菌絲（圖6)。
[0072] 對比例1、取消實施例2中的步驟I)，即，將100g剛開封的滬試牌顆?；钚蕴恐苯?進行后續(xù)的步驟2)，其余等同于實施例2。
[0073] 對比例2、取消實施例2中的步驟2)，即，將初次洗滌后活性炭顆粒直接進行后續(xù) 的步驟3);其余等同于實施例2。
[0074] 將上述所有對比例所得的預處理后活性炭顆粒實際使用前置于高壓 (1.05X 105Pa、121°C)滅菌鍋中滅菌30min，烘干（60°C烘干至恒重）；然后如同實施例3進 行培養(yǎng)，所得結(jié)果如表1所示。
[0075] 表1、菌落直徑（mm)
[0076]
【主權(quán)項】
1. 用于加快鳳陽產(chǎn)氣霉生長的預處理后活性炭顆粒，其特征是制備方法為依次進行以 下步驟： 1) 、加熱洗滌： 在活性炭顆粒中加入去離子水后煮沸，棄去廢液后，得初次洗滌后活性炭顆粒； 2) 、超聲波清洗： 在初次洗滌后活性炭顆粒中加入去離子水進行超聲波清洗，棄去廢液后，得二次洗滌 后活性炭顆粒； 3) 、將二次洗滌后活性炭顆粒用去離子水反復清洗，直至洗滌液中無肉眼可見渾濁； 4) 、將步驟3)所得的活性炭顆粒瀝干水分后于50~70°C烘干至恒重。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于加快鳳陽產(chǎn)氣霉生長的預處理后活性炭顆粒，其特征 是： 所述步驟1)的加熱洗滌重復3~5次后，再進行步驟2)。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的用于加快鳳陽產(chǎn)氣霉生長的預處理后活性炭顆粒，其特 征是： 所述步驟1)中：活性炭顆粒與去離子水的用量比為Ig:4~6ml，煮沸時間為20~ 40min； 所述步驟2)中：于53KHZ超聲波清洗儀進行清洗，清洗時間為20~40min;去離子水 與步驟1)中的活性炭顆粒的用量比為8~IOml:lg。
4. 利用權(quán)利要求1~3任一所得的預處理后活性炭顆粒進行加快鳳陽產(chǎn)氣霉生長的方 法，其特征是：在鳳陽產(chǎn)氣霉生長環(huán)境中配設(shè)預處理后活性炭顆粒。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的加快鳳陽產(chǎn)氣霉生長的方法，其特征是：鳳陽產(chǎn)氣霉的生長 方式為平皿生長或發(fā)酵生長。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種用于加快鳳陽產(chǎn)氣霉生長的預處理后活性炭顆粒，其制備方法為依次進行以下步驟：1)、加熱洗滌：在活性炭顆粒中加入去離子水后煮沸，棄去廢液后，得初次洗滌后活性炭顆粒；2)、超聲波清洗：在初次洗滌后活性炭顆粒中加入去離子水進行超聲波清洗，棄去廢液后，得二次洗滌后活性炭顆粒；3)、將二次洗滌后活性炭顆粒用去離子水反復清洗，直至洗滌液中無肉眼可見渾濁；4)、將步驟3)所得的活性炭顆粒瀝干水分后烘干。本發(fā)明還同時提供了利用上述預處理后活性炭顆粒進行加快鳳陽產(chǎn)氣霉生長的方法，在鳳陽產(chǎn)氣霉生長環(huán)境中配設(shè)預處理后活性炭顆粒，目的是為了吸附鳳陽產(chǎn)氣霉生長過程中所產(chǎn)生的VOCs。
【IPC分類】B01J20-20, B01J20-34, C12R1-645, C12N1-14
【公開號】CN104785231
【申請?zhí)枴緾N201510141070
【發(fā)明人】馮曉曉, 張雪, 林福呈, 章初龍, 蘇珍珠, 毛黎娟
【申請人】浙江大學
【公開日】2015年7月22日
【申請日】2015年3月28日