噴涂裝置和基材偏向一側(cè)一邊進(jìn)行節(jié)距進(jìn)給，使粉粒體以薄膜僅層疊涂布2?50層之內(nèi)所期望的層。通過形成為多層，即使是圖9那樣的粒度分布的粉粒體，也能夠形成每單位面積的涂布重量±5%以內(nèi)、優(yōu)選為±1.5%以內(nèi)粒徑分布均勻的薄膜。其結(jié)果，也能夠使被涂物的涂布重量穩(wěn)定。
[0039]其結(jié)果，通過采用進(jìn)一步增加從噴出口對被涂物的涂布次數(shù)、涂布層的方法，例如由本申請人提出并公開的W0/2011/083841的方法等，涂布重量穩(wěn)定性進(jìn)一步提高。
[0040]另外，基材不限定圓板、圓柱、平板、塊體、膜、線圈等形狀、材質(zhì)、尺寸的大小。為減少基材的污染，基材的材質(zhì)優(yōu)選為與硬度高的粉粒體同種類、或者是不存在或可以忽略基材的磨耗、脫離的級別的陶瓷系。在將基材設(shè)為金屬板的情況下，優(yōu)選對表面進(jìn)行鏡面拋光，也可以進(jìn)行陶瓷系材料的涂布或鍍敷。
[0041]另外，基材可以在圓板、塊體等設(shè)置凹部，也可以采用篩網(wǎng)等填充粉粒體、漿液。在填充干燥的粉粒體的情況下，為使體積密度一致，優(yōu)選一邊對基材、粉粒體賦予例如超聲波等振動(dòng)一邊進(jìn)行填充。無論是干燥還是漿液等濕潤的粉粒體，都可以預(yù)先在膜、線圈、片材上以重量一致的方式盡可能多層涂布。在使用粒度分布的下擺寬的粉粒體的情況下，如果基材使用導(dǎo)電體或?qū)倪M(jìn)行導(dǎo)電處理，一邊利用靜電等改變多層的相位一邊涂布，則每單位面積的粉粒體的重量更加穩(wěn)定。
[0042]如上所述，根據(jù)本發(fā)明，從微觀上的觀點(diǎn)出發(fā)，也能夠使粉粒體對被涂物的涂布、分配或成膜均勻。并且，根據(jù)本發(fā)明，通過應(yīng)用于氣溶膠沉積，能夠以低成本進(jìn)行高品質(zhì)的陶瓷等的成膜。進(jìn)而，如果將本發(fā)明的方法應(yīng)用于LED的熒光體涂布，則能夠不依賴于繁雜且高成本的以往方法，而使熒光體的材料成本削減10倍以上，不僅是成本上的貢獻(xiàn)，還能夠在稀有材料的資源節(jié)省方面作出大的貢獻(xiàn)。
【附圖說明】
[0043]圖1是本發(fā)明的第I實(shí)施方式的概略截面圖。
[0044]圖2是本發(fā)明的第I實(shí)施方式涉及的基材的概略截面圖。
[0045]圖3是本發(fā)明的第I實(shí)施方式涉及的另一基材的概略截面圖。
[0046]圖4是對本發(fā)明的第2實(shí)施方式涉及的基材的涂布概略截面圖。
[0047]圖5A、圖5B是對本發(fā)明的第3實(shí)施方式涉及的使用了掩模的基材的粉粒體涂布的概略圖。
[0048]圖6是將圖5中形成的圖案狀的粉粒體進(jìn)行涂布的本發(fā)明的第4實(shí)施方式涉及的概略截面圖。
[0049]圖7是本發(fā)明的第5實(shí)施方式涉及的概略截面圖。
[0050]圖8是本發(fā)明的第6實(shí)施方式涉及的概略截面圖。
[0051 ] 圖9是粉粒體的粒度分布的例子。
【具體實(shí)施方式】
[0052]以下，參照附圖對本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式進(jìn)行說明。再者，以下的實(shí)施方式只是為了便于理解發(fā)明的例子，并不排除在不脫離本發(fā)明的技術(shù)思想的范圍進(jìn)行可由本領(lǐng)域技術(shù)人員實(shí)施的附加、置換、變形等的情況。
[0053]附圖概略性地表示了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式。
[0054]圖1中，在基材I上涂布有每單位面積重量被管理成一致的粉粒體2。重量一致的標(biāo)準(zhǔn)是每平方厘米相對于設(shè)定值為±5%以內(nèi)，優(yōu)選為±1.5%以內(nèi)。例如每平方厘米
0.6mg的情況下為±0.03mg或±0.009mg以內(nèi)。粉粒體能夠通過使吸入口 3與粉粒體面接近或接觸而容易地吸引。粉粒體通過壓差從吸引口 3經(jīng)由涂布裝置的連通流路4向設(shè)置在涂布室7內(nèi)的噴出口 5輸送，涂布到被涂物6而形成涂布層8。噴出口 5可以是噴嘴，形狀為圓形、方形或狹槽等，關(guān)于形狀、寸法的大小，沒有限定，但優(yōu)選根據(jù)被涂物的形狀而選擇。使基材上的每單位面積的重量一致的手段，可以通過盡可能多地涂布多個(gè)層、例如100層而使粉粒體的粒度分布均勻，使每單位面積的重量一致。另外，也可以準(zhǔn)備多個(gè)涂布有I層或多層的基材而謀求平均化。另外，從噴出口 5噴出被涂物進(jìn)行涂布的情況下，也可以不僅涂布I層，而是使每單位面積的重量盡可能少地涂布多個(gè)層，提高被涂物上的粉粒體的涂膜重量。對基材、被涂物涂布多層的情況下，優(yōu)選使涂布裝置與基材做相對移動(dòng)，進(jìn)而吸引口與基材做相對移動(dòng)、或噴出口與基材做相對移動(dòng)。
[0055]涂布方法和裝置可以是噴射方式，但優(yōu)選采用真空吸引方式，涂布裝置中的粉粒體的吸入口與該粉粒體的噴出口之間的壓差能夠使設(shè)置有被涂物的涂布室7內(nèi)為負(fù)壓(真空)，從吸引口吸引粉粒體并涂布到被涂物。也可以使壓差為50kPa以上，使粉粒體的噴出速度為150m/秒以上而使其撞擊涂布到被涂物上，進(jìn)行微粉為0.08?2微米左右的粉粒體的成膜。再者，50kPa以上意味著更高真空側(cè)。
[0056]另外，如果基材與吸引口的氣氛也具有50kPa以上的壓差，則可以設(shè)為真空氣氛下。
[0057]圖2中，在基材11上設(shè)有凹部12a，粉粒體12被填充于凹部12a中，根據(jù)需要除去從凹部12a溢出的粉粒體。優(yōu)選填充時(shí)至少對基材11賦予超聲波等振動(dòng)而使被填充的粉粒體的體積比重一致。另外，能夠使粉粒體從附加了超聲波振動(dòng)等的篩網(wǎng)通過，從而使凝聚的粉粒體變?yōu)镮次粒子。能夠使凹部12a的體積盡可能小，并多次吸引多個(gè)凹部12a的粉粒體而從噴射口定點(diǎn)或連續(xù)地對被涂物涂布多次。
[0058]圖3中，粉粒體22被填充于基材21的貫通孔22a、篩網(wǎng)的開口部。優(yōu)選在基材21等的下部放置防泄漏用板、比粉粒體小的透氣性的網(wǎng)孔29，一邊使其振動(dòng)一邊使體積比重一致，從而使每單位面積或每單位體積粉粒體的重量一致。
[0059]圖4中，一邊使基材31與涂布器101做相對移動(dòng)一邊涂布多層粉粒體。涂布裝置可以是粉粒體用噴涂裝置，也可以使粉粒體或基材帶電而制作均勻的粉粒體層?？梢詫⒎哿ｓw與溶劑混合制成漿液，并對基材進(jìn)行模具涂布、噴涂從而涂布為多層。另外，在噴霧的情況下，也可以將基材表面接地而使噴霧粒子帶電。與以粉體的形式附著于基材相比，以漿液的形式涂布時(shí)，初始的附著力高，能夠使體積比重一致地進(jìn)行涂布，因此更加優(yōu)選。無論是粉粒體或漿液，對基材的噴涂是脈沖式地進(jìn)行，氣體也是間歇式地供給，該情況下能夠減少流量，能夠較薄地涂布，涂布效率也提高，因此是理想的。在漿液的情況下，也可以通過對基材加熱而間歇式或脈沖式地較薄地涂布多層而使溶劑瞬間揮發(fā)。
[0060]圖5A中，在基材41上載置掩模102，采用圖1或圖4所示的本發(fā)明的方法進(jìn)行涂布。如果像這樣進(jìn)行，則如圖5B所示，能夠形成期望的形狀、厚度的粉粒體的圖案42。該方法能夠?qū)⒎哿ｓw定點(diǎn)涂布到被涂物的期望部位，因此有效。掩模上的粉粒體42a可以回收再利用。粉粒體可以以粉粒體的狀態(tài)涂布，也可以制成漿液以薄膜的形式涂布為多層。
[0061]再者，在圖示的所有實(shí)施方式中，利用涂布器對基材進(jìn)行的涂布或分配，可以采用例如W0/2011/083841中公開的方法使基材與涂布器做相對移動(dòng)而進(jìn)行。
[0062]圖6中，能夠?qū)⒉捎脠D5所示的方法形成的形成于基材61上的圖案狀的粉粒體62，經(jīng)由連通流路64輸送到負(fù)壓(真空)下的涂布室67，并將期望的粉粒體例如熒光體以薄膜的形式多層涂布于被涂物66、例如完成品的LED晶片或未完成的LED晶片，也能夠使粉粒體成膜。68表示涂布層。
[0063]圖7中，預(yù)先對LED晶片等被涂物的基板76被覆硅樹脂等粘合劑79或在粘合劑中含有少量熒光體等粉粒體的粘合劑，然后涂布熒光體等粉粒體78使其附著于粘合劑。或者，如果使粉粒體具有更高速度的能量，則能夠使其進(jìn)入到粘合劑中?？梢詫⒉煌N或同種的粉粒體重復(fù)涂布多層，也可以將不同種或同種的粉粒體和粘合劑重復(fù)涂布多層。另外，如果為了使粘合劑等成為薄膜而利用溶劑稀釋來降低粘度，并對粒子附加沖擊而脈沖式地噴涂，則LED的側(cè)壁也能夠完好地涂布，因此優(yōu)選。
[0064]圖8中，在基板86上，將硅樹脂等粘合劑89或含有粘合劑和少量粉粒體的樹脂在LED等的晶片上以障壁或遮罩的形式形成壁(未圖示)等，進(jìn)行填充并從該LED等的晶片上方涂布粉粒體88、88。粉粒體可以是熒光體，粘合劑可以是熱固化的有機(jī)硅。填充的有機(jī)硅等的樹脂為了提高填充性優(yōu)選與溶劑混合而降低粘度。
[0065]圖9是一般的LED用熒光體的粒度分布。
[0066]在現(xiàn)有技術(shù)中，無法將具有下擺寬的粒度分布的粉粒體微觀地均勻涂布。以