1.一種半導(dǎo)體器件的制備方法，包括：
步驟S1：提供晶圓，在所述晶圓上噴涂光刻膠，所述光刻膠的厚度小于目標(biāo)厚度；
步驟S2：在所述光刻膠上噴涂能溶解所述光刻膠的溶劑，以將表層的所述光刻膠溶解，并執(zhí)行烘烤步驟，以揮發(fā)所述溶劑并使所述光刻膠表面平滑；
步驟S3：重復(fù)所述步驟S2至所述光刻膠的厚度為目標(biāo)厚度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：
步驟S4：對(duì)目標(biāo)厚度的所述光刻膠進(jìn)行光刻，以在所述光刻膠中形成目標(biāo)圖案。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：
步驟S5：以所述光刻膠為掩膜蝕刻所述晶圓，以將所述目標(biāo)圖案?jìng)鬟f至所述晶圓中。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，在所述步驟S4中，對(duì)所述光刻膠進(jìn)行曝光和顯影，以在所述光刻膠中形成所述目標(biāo)圖案。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步驟S1中在所述晶圓的深槽中噴涂所述光刻膠，以最終形成目標(biāo)厚度的所述光刻膠。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步驟S1中在所述晶圓的臺(tái)階形結(jié)構(gòu)上噴涂所述光刻膠，以最終形成目標(biāo)厚度的所述光刻膠。
7.一種如權(quán)利要求1至6之一所述方法制備得到的半導(dǎo)體器件。
8.一種電子裝置，包括權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件。