技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件及其制備方法、電子裝置。所述方法包括步驟S1：提供晶圓，在所述晶圓上噴涂光刻膠，所述光刻膠的厚度小于目標(biāo)厚度；步驟S2：在所述光刻膠上噴涂能溶解所述光刻膠的溶劑，以將表層的所述光刻膠溶解，并執(zhí)行烘烤步驟，以揮發(fā)所述溶劑并使所述光刻膠表面平滑；步驟S3：重復(fù)所述步驟S2至所述光刻膠的厚度為目標(biāo)厚度。本發(fā)明所述方法充分利用了多次噴膠-稀釋-烘烤的工藝，形成了高質(zhì)量光刻膠涂層，改善了深槽結(jié)構(gòu)中,底部光刻膠厚度難以提高，光刻膠層空洞，顆粒缺陷多等問題，大大提高了光刻圖形質(zhì)量，不改變其他工藝流程，不增加光罩，具有成本低、實(shí)施性強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)。

技術(shù)研發(fā)人員：劉堯;陳福成
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
文檔號碼：201510976484
技術(shù)研發(fā)日：2015.12.23
技術(shù)公布日：2017.06.30