1.一種轉(zhuǎn)置頭陣列，其特征在于，所述轉(zhuǎn)置頭陣列包含：
本體，具有基底部，與設(shè)置于所述基底部上的墻垣部，其中所述墻垣部定義所述本體上的多個(gè)凹槽且具有頂面，所述墻垣部的所述頂面具有多個(gè)提取區(qū)域，且所述凹槽被所述墻垣部隔開；以及
多個(gè)轉(zhuǎn)置頭，分別設(shè)置于所述提取區(qū)域上。
2.如權(quán)利要求1所述的轉(zhuǎn)置頭陣列，其特征在于，所述墻垣部的所述頂面為平面。
3.如權(quán)利要求1所述的轉(zhuǎn)置頭陣列，其特征在于，所述提取區(qū)域凸出于所述墻垣部的所述頂面的其他區(qū)域。
4.如權(quán)利要求1所述的轉(zhuǎn)置頭陣列，其特征在于，所述提取區(qū)域的寬度大于所述墻垣部的所述頂面的其他區(qū)域的寬度。
5.如權(quán)利要求1所述的轉(zhuǎn)置頭陣列，其特征在于，所述提取區(qū)域的寬度小于所述墻垣部的所述頂面的其他區(qū)域的寬度。
6.如權(quán)利要求1所述的轉(zhuǎn)置頭陣列，其特征在于，所述凹槽的深度相同。
7.如權(quán)利要求1所述的轉(zhuǎn)置頭陣列，其特征在于，所述凹槽的深度不同。
8.如權(quán)利要求1所述的轉(zhuǎn)置頭陣列，其特征在于，所述凹槽的尺寸相同。
9.如權(quán)利要求1所述的轉(zhuǎn)置頭陣列，其特征在于，所述凹槽的尺寸不同。
10.如權(quán)利要求1所述的轉(zhuǎn)置頭陣列，其特征在于，所述墻垣部的所述頂面為長(zhǎng)條狀、方格狀、鋸齒狀或其組合。
11.如權(quán)利要求1所述的轉(zhuǎn)置頭陣列，其特征在于，所述提取區(qū)域?yàn)榛ハ鄬?duì)齊。
12.如權(quán)利要求1所述的轉(zhuǎn)置頭陣列，其特征在于，所述提取區(qū)域?yàn)榻诲e(cuò) 設(shè)置。
13.如權(quán)利要求1所述的轉(zhuǎn)置頭陣列，其特征在于，所述轉(zhuǎn)置頭包含：
電極，設(shè)置于所述提取區(qū)域上；以及
介電層，至少覆蓋所述電極。
14.如權(quán)利要求13所述的轉(zhuǎn)置頭陣列，其特征在于，所述介電層的材質(zhì)為介電材料或鐵電材料的納米粒子與至少一個(gè)高分子材料的混合物。
15.如權(quán)利要求13所述的轉(zhuǎn)置頭陣列，其特征在于，所述轉(zhuǎn)置頭陣列還包含：
電極引線，設(shè)置于所述墻垣部的所述頂面上，且電性連接于所述電極。
16.如權(quán)利要求1所述的轉(zhuǎn)置頭陣列，其特征在于，所述轉(zhuǎn)置頭陣列還包含：
隔離層，至少覆蓋所述墻垣部，其中所述轉(zhuǎn)置頭至少部分設(shè)置于所述隔離層上；以及
屏蔽層，設(shè)置于所述隔離層中，其中屏蔽層在墻垣部的頂面上的正投影與互補(bǔ)于所述提取區(qū)域的區(qū)域至少部分重疊。
17.如權(quán)利要求1所述的轉(zhuǎn)置頭陣列，其特征在于，所述轉(zhuǎn)置頭具有圖案化的黏著層。
18.如權(quán)利要求1所述的轉(zhuǎn)置頭陣列，其特征在于，所述基底部與所述墻垣部的材質(zhì)相同。
19.如權(quán)利要求1所述的轉(zhuǎn)置頭陣列，其特征在于，所述基底部與所述墻垣部的材質(zhì)不同。
20.一種微元件的轉(zhuǎn)移方法，其特征在于，所述微元件的轉(zhuǎn)移方法包含：
通過轉(zhuǎn)置頭陣列，提取第一微元件，其中所述轉(zhuǎn)置頭陣列中具有凹槽；以及
通過所述轉(zhuǎn)置頭陣列，將所述第一微元件放置于接收基板上，其中位于所述接收基板上的對(duì)象容置于所述轉(zhuǎn)置頭陣列的所述凹槽中。
21.如權(quán)利要求20所述的轉(zhuǎn)移方法，其特征在于，所述第一微元件通過靜電力、黏著力或其組合提取。
22.如權(quán)利要求20所述的轉(zhuǎn)移方法，其特征在于，所述第一微元件具有高度A，所述對(duì)象具有高度B，所述凹槽具有深度C，且A+C>B。