1.一種改善波導(dǎo)側(cè)壁的ICP刻蝕方法，其特征在于：包括以下步驟：
1)在Si/SiO2基片上鍍上一層GeSbSe膜；
2)將清洗后的基片上涂覆光刻膠并且制備出光刻膠掩膜；
3)將帶有光刻膠掩膜的基片在ICP刻蝕機(jī)內(nèi)進(jìn)行刻蝕，刻蝕時(shí)同時(shí)通入四氟化碳?xì)怏w和三氟甲烷氣體；
該四氟化碳?xì)怏w和三氟甲烷氣體的氣體流量分別為5sccm-15sccm以及15sccm-30sccm；
4)刻蝕完成后去除殘膠。
2.如權(quán)利要求1所述的改善波導(dǎo)側(cè)壁的ICP刻蝕方法，其特征在于：所述基片上的GeSbSe膜膜厚為800nm。
3.如權(quán)利要求1所述的改善波導(dǎo)側(cè)壁的ICP刻蝕方法，其特征在于：上述步驟1)的具體步驟為，將GeSbSe粉末放入真空鍍膜機(jī)中的蒸發(fā)舟內(nèi)，將基片清洗烘干，然后固定在樣品旋轉(zhuǎn)架上，抽真空至5×10-4Pa以下，先用Ar氣體清洗，然后對蒸發(fā)舟進(jìn)行預(yù)熱100℃，再逐級加熱到400℃，調(diào)節(jié)GeSbSe粉末的蒸發(fā)速率至5A/S左右直至加工結(jié)束。
4.如權(quán)利要求1所述的改善波導(dǎo)側(cè)壁的ICP刻蝕方法，其特征在于：上述步驟2)的具體步驟為：對帶有GeSbSe膜的基片進(jìn)行勻膠、前烘、曝光、顯影、后烘和堅(jiān)膜。
5.如權(quán)利要求4所述的改善波導(dǎo)側(cè)壁的ICP刻蝕方法，其特征在于：該步驟2)中的光刻膠為AZ5214，采用膠厚為1um-1.5um，勻膠機(jī)轉(zhuǎn)速為4000-6000轉(zhuǎn)，光刻機(jī)紫外曝光時(shí)間8S-10S，所用顯影液為正膠顯影液RZX3038，顯影45S-60S，設(shè)置熱板為120℃，堅(jiān)膜時(shí)間為30min。
6.如權(quán)利要求1所述的改善波導(dǎo)側(cè)壁的ICP刻蝕方法，其特征在于：上述步驟3)中的刻蝕步驟，刻蝕功率為150W-400W，射頻功率為80W-120W，刻蝕時(shí)間定為2min-6min。
7.如權(quán)利要求6所述的改善波導(dǎo)側(cè)壁的ICP刻蝕方法，其特征在于：刻蝕功率為300W，射頻功率為100W，設(shè)置刻蝕時(shí)間為3min。
8.如權(quán)利要求1所述的改善波導(dǎo)側(cè)壁的ICP刻蝕方法，其特征在于：上述步驟4)中，分別用NMP、丙酮、異丙醇清洗基片以去除殘膠。
9.如權(quán)利要求1所述的改善波導(dǎo)側(cè)壁的ICP刻蝕方法，其特征在于：所述四氟化碳?xì)怏w流量為10sccm，三氟甲烷氣體流量為20sccm。