技術(shù)總結(jié)
一種改善波導(dǎo)側(cè)壁的ICP刻蝕方法，其特征在于：包括以下步驟：1)在Si/SiO2基片上鍍上一層GeSbSe膜；2)將清洗后的基片上涂覆光刻膠并且制備出光刻膠掩膜；3)將帶有光刻膠掩膜的基片在ICP刻蝕機(jī)內(nèi)進(jìn)行刻蝕，刻蝕時(shí)同時(shí)通入四氟化碳?xì)怏w和三氟甲烷氣體；該四氟化碳?xì)怏w和三氟甲烷氣體的氣體流量分別為5sccm?15sccm以及15sccm?30sccm；4)刻蝕完成后去除殘膠。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于利用兩種氣體的合理配比和通入量，能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)刻蝕的波導(dǎo)側(cè)壁的形貌的改善，并且降低波導(dǎo)的傳輸損耗。

技術(shù)研發(fā)人員：張巍;周杰;韓金濤;沈祥;趙陽(yáng);張森
受保護(hù)的技術(shù)使用者：寧波大學(xué)
文檔號(hào)碼：201610995840
技術(shù)研發(fā)日：2016.11.11
技術(shù)公布日：2017.01.25