技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明描述了微型器件轉(zhuǎn)移頭部陣列和從SOI襯底形成微型器件轉(zhuǎn)移頭部陣列的方法。在一個(gè)實(shí)施例中，微型器件轉(zhuǎn)移頭部陣列包括基礎(chǔ)襯底和位于基礎(chǔ)襯底上方的圖案化硅層。圖案化硅層可包括硅互連和與硅互連電連接的硅電極陣列。每個(gè)硅電極包括在硅互連上方突起的臺(tái)面結(jié)構(gòu)。電介質(zhì)層覆蓋每個(gè)臺(tái)面結(jié)構(gòu)的頂表面。

技術(shù)研發(fā)人員：D·格爾達(dá);A·比布爾
受保護(hù)的技術(shù)使用者：蘋(píng)果公司
技術(shù)研發(fā)日：2013.05.16
技術(shù)公布日：2017.10.20