1.一種氫氧化鈷修飾二氧化鈦光陽(yáng)極的方法，其特征在于，采用常溫下電沉積的方法，使陽(yáng)極氧化的二氧化鈦光陽(yáng)極管壁管徑內(nèi)沉積氫氧化鈷，提高其光電性能，其特征在于，包括以下步驟：
步驟1)陽(yáng)極氧化的工作電極采用純鈦片，對(duì)電極為碳棒，以含氟化銨，水，乙二醇的有機(jī)溶液為電解液，施加電壓，陽(yáng)極氧化二氧化鈦。
步驟2)電沉積氫氧化鈷采用在酸性硝酸鈷水溶液中，以二氧化鈦為工作電極，鉑片為對(duì)電極，銀氯化銀電極為參比電極，在常溫?cái)嚢柘率┘与妷?，得到沉積氫氧化鈷的二氧化鈦光陽(yáng)極。
2.如權(quán)利要求1所述的氫氧化鈷修飾二氧化鈦陽(yáng)極的方法，其特征在于：氟化銨有機(jī)溶液的濃度為0.3～0.5wt％。
3.如權(quán)利要求1所述的氫氧化鈷修飾二氧化鈦光陽(yáng)極的方法，其特征在于：陽(yáng)極氧化電壓為30～60v。
4.如權(quán)利要求1所述的氫氧化鈷修飾二氧化鈦光陽(yáng)極的方法，其特征在于：陽(yáng)極氧化時(shí)間為0.2～8小時(shí)。
5.如權(quán)利要求1所述的氫氧化鈷修飾二氧化鈦光陽(yáng)極的方法，其特征在于：二氧化鈦煅燒溫度450℃。
6.如權(quán)利要求1所述的氫氧化鈷修飾二氧化鈦光陽(yáng)極的方法，其特征在于：硝酸鈷溶液的濃度為0.01～0.5mol/L。
7.如權(quán)利要求1所述的氫氧化鈷修飾二氧化鈦光陽(yáng)極的方法，其特征在于：電沉積電壓為-0.8～-1.2V。