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一種半導(dǎo)體封裝測試設(shè)備零件的鋁合金陽極氧化工藝的制作方法

文檔序號:12545500閱讀:506來源:國知局
本發(fā)明屬于半導(dǎo)體封裝測試設(shè)備零件鋁合金表面處理工藝
技術(shù)領(lǐng)域
,特別涉及一種半導(dǎo)體封裝測試設(shè)備零件的鋁合金陽極氧化工藝。
背景技術(shù)
:半導(dǎo)體封裝測試設(shè)備零件是PGA(PinGridArrayPackage)芯片封裝形式的提供引腳和定位的裝置,在芯片的內(nèi)外有多個方陣形的插針,每個方陣形插針沿芯片的四周間隔一定距離排列。根據(jù)引腳數(shù)目的多少,可以圍成2-5圈。安裝時,將芯片插入專門的PGA插座。為使CPU能夠更方便地安裝和拆卸,從486芯片開始,出現(xiàn)一種名為ZIF的CPU插座,專門用來滿足PGA封裝的CPU在安裝和拆卸上的要求。ZIF(ZeroInsertionForceSocket)是指零插拔力的插座。把這種插座上的扳手輕輕抬起,CPU就可很容易、輕松地插入插座中。然后將扳手壓回原處,利用插座本身的特殊結(jié)構(gòu)生成的擠壓力,將CPU的引腳與插座牢牢地接觸,絕對不存在接觸不良的問題。而拆卸CPU芯片只需將插座的扳手輕輕抬起,則壓力解除,CPU芯片即可輕松取出。零件在測試過程中會根據(jù)產(chǎn)品的結(jié)構(gòu)來調(diào)整引腳的數(shù)目和排布形狀,整個零件上有將近1000個小孔可以用來裝引腳,有將近65%的小孔,孔與孔之間是需要絕緣的,而且絕緣性能要求較高,表面電阻要求在1.0*109歐姆以上。目前的陽極氧化工藝做出來的表面電阻值只有0.5-1.0*108歐姆左右,不能滿足產(chǎn)品的使用要求,需要提高產(chǎn)品表面氧化膜的表面電阻。因此,通過調(diào)整改進鋁合金陽極氧化工藝,提高產(chǎn)品表面氧化膜層的表面電阻是非常有必要的,具有良好的行業(yè)應(yīng)用前景。技術(shù)實現(xiàn)要素:本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足,提供一種半導(dǎo)體封裝測試設(shè)備零件的鋁合金陽極氧化工藝。本發(fā)明的目的通過以下技術(shù)方案來實現(xiàn):本發(fā)明的目的在于提供一種半導(dǎo)體封裝測試設(shè)備零件的鋁合金陽極氧化工藝,包括:S1、脫脂:將零件放入濃度為30g/L-50g/L的脫脂劑中,溫度55℃-65℃,脫脂3min-9min后取出;S2、第一次水洗:用水反復(fù)沖洗零件,沖洗10S~20S后取出;S3、拋光處理:將零件放入拋光液中進行拋光,溫度90℃-100℃,拋光30S-60S后取出;S4、第二次水洗:用水反復(fù)沖洗零件,沖洗10S~20S后取出;S5、除灰:將零件放入濃度為140-200ml/L的HNO3溶液中,室溫下除灰20S~50S;S6、第三水洗:用水反復(fù)沖洗零件,沖洗10S~20S后取出;S7、草酸陽極氧化:以石墨板作為陰極,將零件放入濃度為40g/L-50g/L草酸溶液的氧化槽內(nèi)作為陽極,溫度控制在16℃~20℃,接通電源,控制電流密度1.0A/dm2~1.5A/dm2,電壓0-70V,時間75-85min,通過草酸氧化工序控制氧化膜膜層厚度在40~50um;S8、第四水洗:用水反復(fù)沖洗零件,沖洗10S~30S后取出;S9、超聲波清洗:將零件置于超聲清洗槽中,超聲波頻率40千HZ,超聲波功率10KW,進行5-10min的超聲波清洗;S10、有機物浸泡:將零件放入濃度為40g/L-60g/L的硬脂酸中,溫度50℃-55℃,浸泡25min-35min;S11、酒精清洗:將零件放入濃度為75wt%的酒精溶液中,于35℃-45℃清洗20~30S;S12、純水預(yù)熱:將零件放入溫度為65-75℃的去離子水中預(yù)熱5-10min;S13、純水封孔:用去離子水作為封孔液,溫度95℃-100℃,對零件進行封孔處理150-180min;S14、吹干:將零件表面積水吹干,即得。進一步的,所述步驟S7的氧化槽內(nèi),含有濃度小于20g/L的鋁離子;含有濃度小于50mg/L的鐵離子;含有濃度小于50mg/L的銅離子。進一步的,所述步驟S7中的草酸陽極氧化:以石墨板作為陰極,將零件放入濃度為45g/L草酸溶液的氧化槽內(nèi)作為陽極,溫度控制在18℃,接通電源,控制電流密度1.2A/dm2,電壓0~70V,時間80min,通過草酸氧化工序控制氧化膜膜層厚度在40~50um。進一步的,所述步驟S10有機物浸泡:將零件放入濃度為50g/L的硬脂酸中,溫度52℃,浸泡30min。與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明的積極效果如下:本發(fā)明通過調(diào)整陽極氧化工藝,尤其通過增設(shè)一道有機物浸泡工序,可以有效提升氧化膜的封閉效果,提高產(chǎn)品表面氧化膜層的表面電阻,讓產(chǎn)品陽極氧化之后的表面電阻有一個較大幅度的提升,從現(xiàn)有的0.5-1.0*108歐姆的基礎(chǔ)上提升到3.0-8.0*109歐姆以上。具體實施方式下面結(jié)合具體實施例,進一步闡述本發(fā)明。應(yīng)理解,這些實施例僅用于說明本發(fā)明而不用于限制本發(fā)明的范圍。此外應(yīng)理解,在閱讀了本發(fā)明講授的內(nèi)容之后,本領(lǐng)域技術(shù)人員可以對本發(fā)明作各種改動或修改,這些等價形式同樣落于本申請所附權(quán)利要求書所限定的范圍。以下實施例中,所用原料來源說明如下:1、脫脂劑:購自日本中央化學(xué)株式會社,型號T-200脫脂劑;2、拋光液:購自深圳歐得美科技有限公司,型號AL-20鏡面化學(xué)拋光劑;3、硬脂酸:購自江蘇強盛功能化學(xué)股份有限公司,型號AR500硬脂酸;4、封孔液:純水,水質(zhì)電阻大于16M歐姆。實施例1S1、脫脂:將零件放入濃度為30g/L的脫脂劑中,溫度55℃,脫脂5min后取出;S2、第一次水洗:用水反復(fù)沖洗零件,沖洗10S后取出;S3、拋光處理:將零件放入拋光液中進行拋光,溫度90℃,拋光30S后取出;S4、第二次水洗:用水反復(fù)沖洗零件,沖洗20S后取出;S5、除灰:將零件放入濃度為150ml/L的HNO3溶液中,室溫下除灰30S;S6、第三水洗:用水反復(fù)沖洗零件,沖洗10S后取出;S7、草酸陽極氧化:以石墨板作為陰極,將零件放入濃度為50g/L草酸溶液的氧化槽內(nèi)作為陽極,溫度控制在16℃,接通電源,控制電流密度1.5A/dm2,電壓60V,時間7min,通過草酸氧化工序控制氧化膜膜層厚度在40~50um;S8、第四水洗:用水反復(fù)沖洗零件,沖洗10S后取出;S9、超聲波清洗:將零件置于超聲清洗槽中,超聲波頻率40千HZ,超聲波功率10KW,進行5-10min的超聲波清洗;S10、有機物浸泡:將零件放入濃度為40g/L的硬脂酸中,溫度50℃,浸泡35min;S11、酒精清洗:將零件放入濃度為75wt%的酒精溶液中,于35℃-45℃清洗20~30S;S12、純水預(yù)熱:將零件放入溫度為65℃的去離子水中預(yù)熱10min;S13、純水封孔:用去離子水作為封孔液,溫度95℃,對零件進行封孔處理180min;S14、吹干:將零件表面積水吹干,即得。實施例2S1、脫脂:將零件放入濃度為40g/L的脫脂劑中,溫度60℃,脫脂6min后取出;S2、第一次水洗:用水反復(fù)沖洗零件,沖洗15S后取出;S3、拋光處理:將零件放入拋光液中進行拋光,溫度95℃,拋光60S后取出;S4、第二次水洗:用水反復(fù)沖洗零件,沖洗10S后取出;S5、除灰:將零件放入濃度為180ml/L的HNO3溶液中,室溫下除灰30S;S6、第三水洗:用水反復(fù)沖洗零件,沖洗20S后取出;S7、草酸陽極氧化:以石墨板作為陰極,將零件放入濃度為45g/L草酸溶液的氧化槽內(nèi)作為陽極,溫度控制在18℃,接通電源,控制電流密度1.2A/dm2,電壓35V,時間80min,通過草酸氧化工序控制氧化膜膜層厚度在40~50um;S8、第四水洗:用水反復(fù)沖洗零件,沖洗20S后取出;S9、超聲波清洗:將零件置于超聲清洗槽中,超聲波頻率40千HZ,超聲波功率10KW,進行5-10min的超聲波清洗;S10、有機物浸泡:將零件放入濃度為50g/L的硬脂酸中,溫度52℃,浸泡30min;S11、酒精清洗:將零件放入濃度為75wt%的酒精溶液中,于35℃-45℃清洗20~30S;S12、純水預(yù)熱:將零件放入溫度為70℃的去離子水中預(yù)熱10min;S13、純水封孔:用去離子水作為封孔液,溫度95℃,對零件進行封孔處理160min;S14、吹干:將零件表面積水吹干,即得。實施例3S1、脫脂:將零件放入濃度為50g/L的脫脂劑中,溫度65℃,脫脂5min后取出;S2、第一次水洗:用水反復(fù)沖洗零件,沖洗20S后取出;S3、拋光處理:將零件放入拋光液中進行拋光,溫度100℃,拋光60S后取出;S4、第二次水洗:用水反復(fù)沖洗零件,沖洗20S后取出;S5、除灰:將零件放入濃度為200ml/L的HNO3溶液中,室溫下除灰50S;S6、第三水洗:用水反復(fù)沖洗零件,沖洗15S后取出;S7、草酸陽極氧化:以石墨板作為陰極,將零件放入濃度為50g/L草酸溶液的氧化槽內(nèi)作為陽極,溫度控制在20℃,接通電源,控制電流密度1.0A/dm2,電壓20V,時間85min,通過草酸氧化工序控制氧化膜膜層厚度在40~50um;S8、第四水洗:用水反復(fù)沖洗零件,沖洗10S后取出;S9、超聲波清洗:將零件置于超聲清洗槽中,超聲波頻率40千HZ,超聲波功率10KW,進行5-10min的超聲波清洗;S10、有機物浸泡:將零件放入濃度為60g/L的硬脂酸中,溫度55℃,浸泡25min;S11、酒精清洗:將零件放入濃度為75wt%的酒精溶液中,于35℃-45℃清洗20~30S;S12、純水預(yù)熱:將零件放入溫度為75℃的去離子水中預(yù)熱10min;S13、純水封孔:用去離子水作為封孔液,溫度100℃,對零件進行封孔處理150min;S14、吹干:將零件表面積水吹干,即得。對比例1本對比例中不包括“有機物浸泡”工序,其余工藝條件與實施例1一致。對比例2本對比例中不包括“有機物浸泡”工序,其余工藝條件與實施例2一致。對比例3本對比例中不包括“有機物浸泡”工序,其余工藝條件與實施例3一致。取同一批次的零件樣片,分別經(jīng)上述實施例1-3以及對比例1-3的方法進行鋁合金陽極氧化處理,處理后進行表面電阻測試,測試標(biāo)準(zhǔn)ASTM_D257-07,測試結(jié)果見表1。表1表面電阻測試表面電阻(Rs)123實施例3.49*1094.81*1094.18*109對比例6.07*1076.97*1076.21*107以上顯示和描述了本發(fā)明的基本原理、主要特征和本發(fā)明的優(yōu)點。本行業(yè)的技術(shù)人員應(yīng)該了解,本發(fā)明不受上述實施例的限制,上述實施例和說明書中描述的只是說明本發(fā)明的原理,在不脫離本發(fā)明精神和范圍的前提下本發(fā)明還會有各種變化和改進,這些變化和改進都落入要求保護的本發(fā)明范圍內(nèi)。本發(fā)明要求保護范圍由所附的權(quán)利要求書及其等同物界定。當(dāng)前第1頁1 2 3 
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