本發(fā)明涉及醫(yī)療器械領(lǐng)域，具體而言，涉及一種表面改性微孔金屬植入物的制備方法。
背景技術(shù)：
：隨著社會(huì)人口的老齡化、創(chuàng)傷和腫瘤，骨科疾病已經(jīng)成為威脅人類健康的主要疾患之一，手術(shù)治療是關(guān)節(jié)、脊柱等疾病末期的主要及有效治療方式，手術(shù)治療中絕大多數(shù)使用內(nèi)植物替代病變硬組織和發(fā)揮相應(yīng)功能。鈦及鈦合金因其優(yōu)良的綜合力學(xué)性能、耐腐蝕性和生物相容性等，已廣泛作為植入假體應(yīng)用于臨床。但是由于傳統(tǒng)金屬制造業(yè)的技術(shù)局限，骨科鈦及鈦合金內(nèi)植物難以按照人體解剖結(jié)構(gòu)形狀設(shè)計(jì)和生產(chǎn)，且缺乏精度，同時(shí)由于采用批量生產(chǎn)，導(dǎo)致內(nèi)植物缺乏個(gè)性化。增材制造技術(shù)可以基于患者本身的解剖數(shù)據(jù)進(jìn)行人工植入物的設(shè)計(jì)，從而保證幾何形態(tài)與患者骨骼的良好匹配，可保證良好的初始穩(wěn)定性，更快恢復(fù)組織功能，即實(shí)現(xiàn)個(gè)性化、定制化加工鈦合金人工關(guān)節(jié)。另一方面，增材制造可以在人工植入物微觀結(jié)構(gòu)上實(shí)現(xiàn)“所見即所得”，即可以制作成具有不同的孔徑大小和孔隙率，孔徑之間互相連通的結(jié)構(gòu)，不同的孔隙率可以實(shí)現(xiàn)有效調(diào)節(jié)金屬假體的彈性模量，以適應(yīng)人體的生物力學(xué)環(huán)境，更重要的是適宜的孔徑孔隙率有助于發(fā)揮優(yōu)異的骨長入特性，增大了人工植入物的比表面積，增大了與人體的接觸面積，有利于人工植入物的長期固定。增材制造的微孔人工關(guān)節(jié)植入物誘導(dǎo)骨長入，骨生長后，形成一個(gè)類似于"鋼筋混凝土"結(jié)構(gòu)，可使人工關(guān)節(jié)的有效性明顯增加，增強(qiáng)假體功能。由于微孔結(jié)構(gòu)的鈦或鈦合金是三維結(jié)構(gòu)，傳統(tǒng)的簡單的二維表面改性方法，如等離子噴涂、磁控濺射、激光加工等，不再適用于微孔鈦或鈦合金三維微孔植入物的表面處理。微弧氧化技術(shù)在適當(dāng)?shù)碾娊庖褐?，可以在鈦或鈦合金表面原位生長表面具有微納尺度的孔，且表面氧化薄膜粗糙。氧化膜表面粗糙的微納孔結(jié)構(gòu)有利于成骨細(xì)胞在其表面的攀附生長，進(jìn)而在骨骼和植入物界面形成牢固的嵌合，防止植入物失效。同時(shí)，通過調(diào)節(jié)電解液的成分可以使氧化膜含有人體組織的多種元素，進(jìn)而改善膜層的生物活性。申請?zhí)枮?01510520332.7專利申請?zhí)峁┝艘环N具有微弧氧化涂層的微孔金屬植入物及制備方法，在相互連通的微孔金屬內(nèi)外形成了均一的含鈣、磷的微弧氧化涂層，但是，其檢測結(jié)果顯示微孔金屬內(nèi)外的微弧氧化涂層的厚度較薄、且膜厚存在不均一的問題。而更多的微孔鈦或鈦合金植入物為周期性或隨機(jī)排列得到的微孔結(jié)構(gòu)和實(shí)體的結(jié)合體，有較多的微孔為盲孔，相互不連通。同時(shí)，增材制造的微孔鈦及鈦合金植入物也可以是周期性微孔結(jié)構(gòu)，是由微孔單元體進(jìn)行排列得到的微孔結(jié)構(gòu)，比如：增材制造金剛石和菱形結(jié)構(gòu)單元。在連接處，形成交叉凸出點(diǎn)，微弧氧化時(shí)，電流在網(wǎng)格中分布會(huì)出現(xiàn)不均勻現(xiàn)象，造成電流密度分布不均。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本發(fā)明的主要目的在于提供一種表面改性微孔金屬植入物的制備方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)中的表面改性多孔金屬植入物的微弧氧化涂層的厚度不均勻的問題。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種表面改性微孔金屬植入物的制備方法，包括：提供具有多個(gè)陽極接口的微孔金屬植入物；將多個(gè)陽極接口與電源的正極相連，將電解槽與電源的負(fù)極相連；以及將微孔金屬植入物浸沒在電解液，利用電源供電進(jìn)行微弧氧化處理。進(jìn)一步地，上述微孔金屬植入物為柱狀結(jié)構(gòu)體、類柱狀結(jié)構(gòu)體、板狀結(jié)構(gòu)體或塊狀結(jié)構(gòu)體，微孔金屬植入物具有一個(gè)或多個(gè)結(jié)構(gòu)孔，在微弧氧化處理時(shí)，軸線與電解槽的槽壁平行的結(jié)構(gòu)孔為中心孔，設(shè)置有中心孔的端面為上下端面，中心孔的內(nèi)切圓直徑為4mm≤φ＜10mm時(shí)，微孔金屬植入物的外接圓直徑8mm≤φ＜20mm，高度5mm≤h＜20mm，在微孔金屬植入物的兩端面排布4～8個(gè)陽極接口，且各陽極接口與中心孔的軸線的距離相等；或微孔金屬植入物的外接圓直徑8mm≤φ＜20mm，高度20mm≤h＜200mm，在微孔金屬植入物的兩端面和側(cè)面排布9～20個(gè)陽極接口，其中設(shè)置在兩端面的陽極接口與中心孔的軸線的距離相等；或微孔金屬植入物的外接圓直徑20mm≤φ＜40mm，高度5mm≤h＜20mm，在微孔金屬植入物的兩端面排布8～16個(gè)陽極接口，其中陽極接口與中心孔的軸線的距離相等；或微孔金屬植入物的外接圓直徑20mm≤φ＜40mm，高度20mm≤h＜200mm，在微孔金屬植入物的兩端面和側(cè)面排布17～40個(gè)陽極接口，其中設(shè)置在兩端面的陽極接口與中心孔的軸線的距離相等；或微孔金屬植入物的外接圓直徑40mm≤φ，高度5mm≤h＜20mm，在微孔金屬植入物的兩端面排布大于16個(gè)陽極接口，其中陽極接口與中心孔的軸線的距離相等；結(jié)構(gòu)孔的內(nèi)切圓直徑為10mm≤φ＜20mm時(shí)，微孔金屬植入物的外接圓直徑11mm≤φ＜60mm，高度5mm≤h＜20mm，在微孔金屬植入物的兩端面排布8～30個(gè)陽極接口，其中陽極接口與中心孔的軸線的距離相等；結(jié)構(gòu)孔的內(nèi)切圓直徑為20mm≤φ＜40mm時(shí)，微孔金屬植入物的外接圓直徑21mm≤φ＜60mm，高度5mm≤h＜20mm，在微孔金屬植入物的兩端面排布8～30個(gè)陽極接口，其中陽極接口與中心孔的軸線的距離相等；微孔金屬植入物為球形結(jié)構(gòu)體或類球形結(jié)構(gòu)體，微孔金屬植入物具有一個(gè)或多個(gè)結(jié)構(gòu)孔，在微弧氧化處理時(shí)，軸線與電解槽的槽壁平行的結(jié)構(gòu)孔為中心孔，中心孔的內(nèi)切圓直徑4mm≤φ＜10mm，微孔金屬植入物的直徑10mm≤sr＜20mm時(shí)，在微孔金屬植入物的表面等間距排布6～12個(gè)陽極接口；微孔金屬植入物的直徑為20mm≤sr＜40mm，在微孔金屬植入物的表面等間距排布12～20個(gè)陽極接口。進(jìn)一步地上述提供具有多個(gè)陽極接口的微孔金屬植入物的步驟包括：對微孔金屬植入物進(jìn)行噴砂處理；對噴砂處理后的微孔金屬植入物依次采用丙酮和去離子水超聲清洗5～30min。進(jìn)一步地上述噴砂處理采用粉末粒徑在50～300μm之間的剛玉砂為磨料，噴砂處理中，優(yōu)選噴砂距離為3～10cm，更優(yōu)選壓縮氣體壓力為2～8bar，進(jìn)一步優(yōu)選噴射時(shí)間為5～60s。進(jìn)一步地上述電解液中鈣元素的濃度記為mmol/l，磷元素的濃度記為nmol/l，當(dāng)0.01≤m＜0.2時(shí)，(0.1m+0.025)≤n＜0.05；當(dāng)0.2≤m≤0.6時(shí)，0.075≤n≤m/0.875，優(yōu)選0.4＜m≤0.6時(shí)，0.25≤n≤m/0.875；優(yōu)選鈣源選自乙酸鈣、氯化鈣、磷酸二氫鈣、甘油磷酸鈣、檸檬酸鈣、乳酸鈣和氧化鈣的一種或幾種；更優(yōu)選磷源選自甘油磷酸鈉、磷酸二氫鈉、磷酸氫二鈉、六偏磷酸鈉和聚磷酸鈉中的一種或幾種。進(jìn)一步地上述電解液中edta的濃度記為xmol/l，當(dāng)0.01＜m＜0.2時(shí)，2m≤x＜5.2m；優(yōu)選當(dāng)0.2≤m≤0.6時(shí)，5.2m≤x≤7m。進(jìn)一步地上述電解液中sio32-的濃度為0.01～0.04mol/l，優(yōu)選添加氫氧化鈉或氫氧化鉀調(diào)節(jié)電解液ph值在11～14之間。進(jìn)一步地上述陽極接口包括一個(gè)或多個(gè)第一陽極接口和一個(gè)或多個(gè)第二陽極接口，制備方法包括：將微孔金屬植入物的第一陽極接口與電源的正極相連；將電解槽與電源的負(fù)極相連；將微孔金屬植入物的第二陽極接口與第二電源的正極相連；在結(jié)構(gòu)孔中設(shè)置連接負(fù)極，并將連接負(fù)極與第二電源的負(fù)極相連；將微孔金屬植入物浸沒在電解液，利用電源和第二電源供電進(jìn)行微弧氧化處理，其中，電源和第二電源相互獨(dú)立控制。進(jìn)一步地，上述微弧氧化處理過程中，電源和第二電源的總電壓處于100～900v之間，且各自的電壓不同，電源和第二電源的輸出脈沖頻率均為100～1000hz，脈沖寬度均為8～500μs，峰值電流均設(shè)置為0～400a，氧化時(shí)間均為3～30min。進(jìn)一步地，上述連接負(fù)極和電解槽的材料均為不銹鋼。進(jìn)一步地，上述微孔金屬植入物為微孔鈦或微孔鈦合金，制備方法還包括采用粉末冶金法、發(fā)泡法、纖維燒結(jié)法、等離子噴涂法、激光打孔法、激光立體成形、選擇性激光燒結(jié)/熔化和電子束熔融技術(shù)中的一種或幾種制造微孔金屬植入物的步驟。進(jìn)一步地，上述微孔金屬植入物的材料為純鈦、ti-6al-4v、ti-6al-17nb、ti-13nb-13zr或ti-5zr-3mo-15nb中的一種。進(jìn)一步地，上述微孔金屬植入物的微孔結(jié)構(gòu)為不定形孔結(jié)構(gòu)、立方結(jié)構(gòu)、六棱柱結(jié)構(gòu)、金剛石結(jié)構(gòu)、菱形十二面體結(jié)構(gòu)、截角八面體結(jié)構(gòu)、鈦珠燒結(jié)體、鈦絲燒結(jié)中的一種或幾種。進(jìn)一步地，上述微孔金屬植入物為全微孔結(jié)構(gòu)、或微孔和實(shí)體結(jié)構(gòu)的混合結(jié)構(gòu)，進(jìn)一步優(yōu)選微孔金屬植入物的孔隙率為40～90％，孔徑為300～1500μm。應(yīng)用本發(fā)明的技術(shù)方案，在微弧氧化時(shí)，通過設(shè)置多個(gè)陽極接口，比如兩個(gè)、三個(gè)、甚至多個(gè)，有利于通過設(shè)置陽極接口的位置，控制微孔金屬植入物的電流密度均勻，電場能量分布一致。與常規(guī)的單一陽極接口相比，本申請多陽極接口可以在微孔金屬植入物上實(shí)現(xiàn)盡可能一致的電場能量分布，進(jìn)而減小結(jié)構(gòu)孔內(nèi)壁和外壁所處的電場強(qiáng)度差距，以及電場能量密度的差距，從而得到質(zhì)量更優(yōu)的原位生長膜層，比如能夠控制原位生長膜層的厚度和厚度差距。所形成的原位生長膜層可通過后續(xù)工藝處理，將其中鈣磷元素轉(zhuǎn)化為具有更好生物活性的羥基磷灰石，也可以轉(zhuǎn)化為兼具耐磨和抗菌功能、促進(jìn)成骨細(xì)胞分化、誘導(dǎo)骨組織再生的能力的高生物活性的復(fù)合生物功能陶瓷層。附圖說明構(gòu)成本申請的一部分的說明書附圖用來提供對本發(fā)明的進(jìn)一步理解，本發(fā)明的示意性實(shí)施例及其說明用于解釋本發(fā)明，并不構(gòu)成對本發(fā)明的不當(dāng)限定。在附圖中：圖1示出了根據(jù)本發(fā)明提供的實(shí)施例1的微孔金屬植入物的結(jié)構(gòu)示意圖；以及圖2示出了根據(jù)本發(fā)明提供的實(shí)施例1的微孔金屬植物形成原位生長膜層后的掃描電鏡圖；以及圖3示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例38的微弧氧化采用多個(gè)電源供電的結(jié)構(gòu)示意圖。其中，上述附圖包括以下附圖標(biāo)記：10、多孔金屬植入物；11、陽極接口；20、第一電源；30、第二電源；40、不銹鋼；50、電解槽；60、電解液。具體實(shí)施方式需要說明的是，在不沖突的情況下，本申請中的實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可以相互組合。下面將參考附圖并結(jié)合實(shí)施例來詳細(xì)說明本發(fā)明。申請?zhí)枮?01510520332.7專利申請經(jīng)過試驗(yàn)也發(fā)現(xiàn)，當(dāng)多孔金屬支架的孔隙過小或者孔隙結(jié)構(gòu)不規(guī)則時(shí)，堿性電解液難以進(jìn)入多孔金屬支架內(nèi)部，即使進(jìn)入支架內(nèi)部的電解液在進(jìn)行微弧氧化反應(yīng)時(shí)，也可能造成沉淀物的堆積，并在短時(shí)間內(nèi)迅速積聚的氧化反應(yīng)熱量也難以得到釋放進(jìn)而影響了涂層效果。針對該問題，其采用了在微弧氧化過程中進(jìn)行攪拌的方式，保證電解液在多孔電極中的流通性，進(jìn)而能夠保證涂層效果。但是，根據(jù)其所檢測到的多孔金屬的微弧氧化涂層的厚度可知，多孔金屬內(nèi)外的微弧氧化涂層的厚度并不均一。為此本申請發(fā)明人對影響涂層厚度的可能因素進(jìn)行了研究，發(fā)現(xiàn)微弧氧化時(shí)，電流在微孔和實(shí)體中分布因電阻不同而引起不均勻現(xiàn)象；導(dǎo)致在微孔鈦或鈦合金微弧氧化處理后，表面膜層厚度不一致，局部膜層不均勻，甚至在器件表面局部出現(xiàn)燒蝕等現(xiàn)象。在本申請一種典型的實(shí)施方式中，提供了一種表面改性微孔金屬植入物的制備方法，包括：提供具有多個(gè)陽極接口的微孔金屬植入物；將多個(gè)陽極接口與電源的正極相連，將電解槽與電源的負(fù)極相連；以及將微孔金屬植入物浸沒在電解液，利用電源供電進(jìn)行微弧氧化處理。上述陽極接口在微孔金屬植入物上的設(shè)置方法和現(xiàn)有技術(shù)相同，在此不再贅述。本申請?jiān)谖⒒⊙趸瘯r(shí)，通過設(shè)置多個(gè)陽極接口，有利于通過設(shè)置陽極接口的位置，控制微孔金屬植入物的電流密度均勻，電場能量分布一致。與常規(guī)的單一陽極接口相比，本申請多陽極接口可以在微孔金屬植入物上實(shí)現(xiàn)盡可能一致的電場能量分布，進(jìn)而減小結(jié)構(gòu)孔內(nèi)壁和外壁所處的電場強(qiáng)度差距，以及電場能量密度的差距，從而得到質(zhì)量更優(yōu)的原位生長膜層，比如能夠控制原位生長膜層的厚度和厚度差距。所形成的原位生長膜層可通過后續(xù)工藝處理，將其中鈣磷元素轉(zhuǎn)化為具有更好生物活性的羥基磷灰石，也可以轉(zhuǎn)化為兼具耐磨和抗菌功能、促進(jìn)成骨細(xì)胞分化、誘導(dǎo)骨組織再生的能力的高生物活性的復(fù)合生物功能陶瓷層。此外，如果微孔鈦或鈦合金帶結(jié)構(gòu)孔，在氧化時(shí)如果結(jié)構(gòu)孔的軸線和電解槽的槽壁平行，那么結(jié)構(gòu)孔內(nèi)壁和外壁與負(fù)極距離不同，結(jié)構(gòu)孔內(nèi)壁和外壁所處的電場強(qiáng)度不同，電場能量密度不同。因此也會(huì)導(dǎo)致在微孔鈦或鈦合金微弧氧化處理后，表面膜層厚度不一致，局部膜層不均勻。為了解決結(jié)構(gòu)孔導(dǎo)致的問題，本申請發(fā)明人在做出了大量實(shí)驗(yàn)研究后，發(fā)現(xiàn)采用下述設(shè)置方式能夠進(jìn)一步減小原位生長膜層的厚度差值，微孔金屬植入物為柱狀結(jié)構(gòu)體、類柱狀結(jié)構(gòu)體、板狀結(jié)構(gòu)體或塊狀結(jié)構(gòu)體，微孔金屬植入物具有一個(gè)或多個(gè)結(jié)構(gòu)孔，在微弧氧化處理時(shí)，軸線與電解槽的槽壁平行的結(jié)構(gòu)孔為中心孔，設(shè)置有中心孔的端面為上下端面中心孔的內(nèi)切圓直徑為4mm≤φ＜10mm時(shí)，微孔金屬植入物的外接圓直徑8mm≤φ＜20mm，高度5mm≤h＜20mm，在微孔金屬植入物的兩端面排布4～8個(gè)陽極接口，且各陽極接口與中心孔的軸線的距離相等；或微孔金屬植入物的外接圓直徑8mm≤φ＜20mm，高度20mm≤h＜200mm，在微孔金屬植入物的兩端面和側(cè)面排布9～20個(gè)陽極接口，其中設(shè)置在兩端面的陽極接口與中心孔的軸線的距離相等；或微孔金屬植入物的外接圓直徑20mm≤φ＜40mm，高度5mm≤h＜20mm，在微孔金屬植入物的兩端面排布8～16個(gè)陽極接口，其中陽極接口與中心孔的軸線的距離相等；或微孔金屬植入物的外接圓直徑20mm≤φ＜40mm，高度20mm≤h＜200mm，在微孔金屬植入物的兩端面和側(cè)面排布17～40個(gè)陽極接口，其中設(shè)置在兩端面的陽極接口與中心孔的軸線的距離相等；或微孔金屬植入物的外接圓直徑40mm≤φ，高度5mm≤h＜20mm，在微孔金屬植入物的兩端面排布大于16個(gè)陽極接口，其中陽極接口與中心孔的軸線的距離相等。結(jié)構(gòu)孔的內(nèi)切圓直徑為10mm≤φ＜20mm時(shí)，微孔金屬植入物的外接圓直徑11mm≤φ＜60mm，高度5mm≤h＜20mm，在微孔金屬植入物的兩端面排布8～30個(gè)陽極接口，其中陽極接口與中心孔的軸線的距離相等。結(jié)構(gòu)孔的內(nèi)切圓直徑為20mm≤φ＜40mm時(shí)，微孔金屬植入物的外接圓直徑21mm≤φ＜60mm，高度5mm≤h＜20mm，在微孔金屬植入物的兩端面排布8～30個(gè)陽極接口，其中陽極接口與中心孔的軸線的距離相等。上述設(shè)置在兩端面的陽極接口相互交錯(cuò)設(shè)置，設(shè)置在側(cè)面的陽極接口設(shè)置在與兩端面等距的側(cè)面位置。微孔金屬植入物為球形結(jié)構(gòu)體或類球形結(jié)構(gòu)體，微孔金屬植入物具有一個(gè)或多個(gè)結(jié)構(gòu)孔，在微弧氧化處理時(shí)，軸線與所述電解槽的槽壁平行的結(jié)構(gòu)孔為中心孔，中心孔的內(nèi)切圓直徑4mm≤φ＜10mm，微孔金屬植入物的直徑10mm≤sr＜20mm時(shí)，在微孔金屬植入物的表面等間距排布6～12個(gè)陽極接口；微孔金屬植入物的直徑為20mm≤sr＜40mm，在微孔金屬植入物的表面等間距排布12～20個(gè)陽極接口。通過以一個(gè)結(jié)構(gòu)孔為中心孔，設(shè)置陽極接口的排布，有利于進(jìn)一步緩解由于結(jié)構(gòu)孔存在導(dǎo)致的電場能量分布不均勻的問題。上述結(jié)構(gòu)孔為區(qū)別于微孔金屬植入物的微孔結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)孔一般為微孔金屬植入物為便于植入人體或者為了與人體骨骼相固定而設(shè)置的結(jié)構(gòu)。由于微弧氧化會(huì)產(chǎn)生拉應(yīng)力，導(dǎo)致原位生長涂層在微孔金屬植入物表面的附著強(qiáng)度不足。為了解決上述問題，優(yōu)選上述提供具有多個(gè)陽極接口的微孔金屬植入物的步驟包括：對微孔金屬植入物進(jìn)行噴砂處理；對噴砂處理后的微孔金屬植入物依次采用丙酮和去離子水超聲清洗5～30min。對微孔金屬植入物的微孔結(jié)構(gòu)進(jìn)行噴砂處理，去除殘料顆粒，去除鈦或鈦合金表面棱角，使得微孔表面潔凈，特別是對其表面粘附未完全燒結(jié)的顆粒；同時(shí)噴砂處理可以使得微孔金屬植入物表面具有一定的壓應(yīng)力，可以抵消后續(xù)微弧氧化產(chǎn)生的拉應(yīng)力，提高原位生長涂層在微孔金屬植入物表面的結(jié)合強(qiáng)度。本領(lǐng)域技術(shù)人員公知，用于微孔金屬植入物的材質(zhì)基本都是以鈦金屬為基材，比如純鈦或鈦合金。基于此，在利用噴砂處理本身具有壓應(yīng)力基礎(chǔ)上，為了進(jìn)一步提高該壓應(yīng)力的作用效果，優(yōu)選上述在一種優(yōu)選的實(shí)施例中，優(yōu)選在噴砂處理中，噴砂距離為3～10cm，更優(yōu)選壓縮氣體壓力為2～8bar，進(jìn)一步優(yōu)選噴射時(shí)間為5～60s。在上述條件下進(jìn)行噴砂處理，既能實(shí)現(xiàn)后期對拉應(yīng)力的消除，又能避免過多的磨料殘留。本申請的電解液組成與目前用于微孔金屬植入物微弧氧化的電解液的成分組成相似，由于鈣離子和磷離子的電性能不同，因此在微弧氧化中最終形成的原位生長膜層中的鈣離子和磷離子的比例與電解液中的二者的比例也是不同的?；诖藶榱颂岣咴簧L膜層的生物活性，電解液中鈣元素的濃度記為mmol/l，磷元素的濃度記為nmol/l，當(dāng)0.01≤m＜0.2時(shí)，(0.1m+0.025)≤n＜0.05；當(dāng)0.2≤m≤0.6時(shí)，0.075≤n≤m/0.875，優(yōu)選0.4＜m≤0.6時(shí)，0.25≤n≤m/0.875。使得鈣磷元素含量在優(yōu)化范圍內(nèi)可調(diào)控，既能保證制備的原位生長膜層良好的生物活性，又可以避免因多次盲目嘗試而帶來的成本增加，提高生產(chǎn)效益。此外，優(yōu)選提供上述鈣離子的鈣源選自乙酸鈣、氯化鈣、磷酸二氫鈣、甘油磷酸鈣、檸檬酸鈣、乳酸鈣和氧化鈣的一種或幾種；更優(yōu)選磷源選自甘油磷酸鈉、磷酸二氫鈉、磷酸氫二鈉、六偏磷酸鈉和聚磷酸鈉中的一種或幾種。此外，edta在電解液中的濃度也影響原位生長膜層中鈣元素和磷元素的比例，優(yōu)選上述電解液中edta的濃度記為xmol/l，當(dāng)0.01≤m＜0.2時(shí)，0.2m≤x＜0.05m；優(yōu)選當(dāng)0.2≤m≤0.6時(shí)，5.2m≤x≤7m。為了降低起弧電壓，在電解液中添加sio32-，且為了保證電壓穩(wěn)定，優(yōu)選上述電解液中sio32-的濃度為0.01～0.04mol/l，優(yōu)選添加氫氧化鈉或氫氧化鉀調(diào)節(jié)電解液ph值在11～14之間，以形成穩(wěn)定的電解環(huán)境。在本申請另一種優(yōu)選的實(shí)施例中，上述陽極接口一個(gè)或多個(gè)包括第一陽極接口和一個(gè)或多個(gè)第二陽極接口，為了進(jìn)一步靈活調(diào)整微孔金屬植入物的內(nèi)壁和外壁的電場強(qiáng)度和電場能量分布，優(yōu)選上述制備方法包括：將微孔金屬植入物的第一陽極接口與電源的正極相連；將電解槽與電源的負(fù)極相連；將微孔金屬植入物的第二陽極接口與第二電源的正極相連；在結(jié)構(gòu)孔中設(shè)置連接負(fù)極，并將連接負(fù)極與第二電源的負(fù)極相連；將微孔金屬植入物浸沒在電解液，利用電源和第二電源供電進(jìn)行微弧氧化處理，其中，第一電源和第二電源相互獨(dú)立控制。采用多個(gè)電源同時(shí)供電，比如兩個(gè)、三個(gè)、甚至多個(gè)，有利于通過調(diào)節(jié)不同電源的輸入電壓，控制帶結(jié)構(gòu)孔微孔金屬植入物的內(nèi)壁和外壁的電場強(qiáng)度和電場能量分布。與常規(guī)的單一電源供電相比，在相同的電壓下，本申請多電源供電可以在微孔金屬植入物上實(shí)現(xiàn)不同的電場強(qiáng)度和電場能量分布，也可以實(shí)現(xiàn)多個(gè)電源的同步持續(xù)供電、間斷供電等各種供電方式，進(jìn)而減小結(jié)構(gòu)孔內(nèi)壁和外壁所處的電場強(qiáng)度差距，以及電場能量密度的差距，從而得到質(zhì)量更優(yōu)的原位生長膜層，比如能夠控制原位生長膜層的厚度和厚度差距。同時(shí)由于該發(fā)明提供的技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)多個(gè)陽極導(dǎo)電和多個(gè)電源同時(shí)供電，為優(yōu)化電參數(shù)提供了更多選擇。此外，微弧氧化處理過程中，優(yōu)選電源和第二電源的總電壓處于100～900v之間，且各自的電壓不同，電源和第二電源的輸出脈沖頻率均為100～1000hz，脈沖寬度均為8～500μs，峰值電流均設(shè)置為0～400a，氧化時(shí)間均為3～30min。將上述供電參數(shù)控制在上述范圍內(nèi)，能夠利用相對穩(wěn)定的電流形成結(jié)構(gòu)致密、厚度相對均一的原位生長膜層。為了更好地適應(yīng)微弧氧化工作環(huán)境的需要以及對醫(yī)療器械的標(biāo)準(zhǔn)要求，優(yōu)選上述連接負(fù)極和電解槽的材料均為不銹鋼。優(yōu)選上述微孔金屬植入物為微孔鈦或微孔鈦合金，上述制備方法還包括采用粉末冶金法、發(fā)泡法、纖維燒結(jié)法、等離子噴涂法、激光打孔法、激光立體成形、選擇性激光燒結(jié)/熔化和電子束熔融技術(shù)中的一種或幾種制造微孔金屬植入物的步驟。上述各制備方法均可用于本申請的微孔金屬植入物。如前所述，微孔金屬植入物的材料基本以鈦為基本材料，優(yōu)選上述微孔金屬植入物的材料為純鈦、ti-6al-4v、ti-6al-17nb、ti-13nb-13zr或ti-5zr-3mo-15nb中的一種；優(yōu)選微孔金屬植入物的微孔結(jié)構(gòu)為不定形孔結(jié)構(gòu)、立方結(jié)構(gòu)、六棱柱結(jié)構(gòu)、金剛石結(jié)構(gòu)、菱形十二面體結(jié)構(gòu)、截角八面體結(jié)構(gòu)、鈦珠燒結(jié)、鈦絲燒結(jié)中的一種或幾種；更優(yōu)選微孔金屬植入物為全微孔結(jié)構(gòu)、或微孔和實(shí)體結(jié)構(gòu)的混合結(jié)構(gòu)；進(jìn)一步優(yōu)選微孔金屬植入物的孔隙率為40～90％，孔徑為300～1500μm。上述孔隙率和孔徑范圍更有利于堿性電解液進(jìn)入微孔中以進(jìn)行微弧氧化。以下將結(jié)合實(shí)施例和對比例進(jìn)一步說明本申請的有益效果。實(shí)施例1利用電子束熔融技術(shù)制備的微孔金屬植入物10作為實(shí)施例1的改性對象，該微孔金屬植入物為外接圓直徑為12mm，高度為12mm的類圓柱形微孔鈦合金，微孔孔隙率為60％，孔徑為400μm，且具有結(jié)構(gòu)孔，該結(jié)構(gòu)孔的內(nèi)切圓直徑為4mm，在微孔金屬植入物的上下端面排布4個(gè)陽極接口11，其中上端面等間距兩個(gè)，下端面等間距兩個(gè)，且陽極接口11與結(jié)構(gòu)孔的中軸線距離相等，陽極接口示意圖如圖1所示。對該微孔金屬植入物進(jìn)行強(qiáng)力噴砂處理，磨料為粉末粒徑為80μm的剛玉砂，噴砂距離為4cm，壓縮氣體壓力為2bar，噴射時(shí)間為8s。依次用丙酮和去離子水超聲清洗噴砂后試樣5min。將乙酸鈣、磷酸二氫鈉溶于去離子水中，將試劑混合均勻，配制成電解液，其中乙酸鈣濃度為0.01mol/l，磷酸二氫鈉的濃度為0.035mol/l，edta-2na的濃度為0.02mol/l，na2sio3的濃度為0.04mol/l，添加適量的koh，調(diào)節(jié)溶液的ph值為11。采用第一電源為微弧氧化進(jìn)行供電，將試樣陽極接口與導(dǎo)線連接后接入第一電源的正極，將電解槽作為陰極與第一電源的負(fù)極相連。將微孔金屬植入物完全浸沒在電解液中，進(jìn)行微弧氧化處理，并調(diào)節(jié)第一電源的供電電壓為500v，輸出脈沖頻率為400hz，脈沖寬度15μs，峰值電流設(shè)置100a，氧化時(shí)間為3min。整個(gè)氧化過程中控制電解液的溫度在25℃，反應(yīng)結(jié)束后取出試樣，去除預(yù)置電極，去離子水沖洗，烘干。圖2為本實(shí)施例的微孔金屬植物形成原位生長膜層后的掃描電鏡圖，由圖可以看出，原位生長膜層的厚度較為均勻。實(shí)施例2與實(shí)施例1的區(qū)別在于，利用激光選區(qū)熔化技術(shù)制備的微孔金屬植入物作為改性對象，該微孔金屬植入物為外接圓直徑為12mm，高度為10mm的類圓柱形微孔鈦合金，微孔孔隙率為80％，孔徑為1200μm，且具有結(jié)構(gòu)孔，該結(jié)構(gòu)孔的內(nèi)切圓直徑為8mm，在微孔金屬植入物的上下端面排布6個(gè)陽極接口，上端面三個(gè)陽極接口，下端面三個(gè)陽極接口。實(shí)施例3與實(shí)施例1的區(qū)別在于，利用電子束熔融技術(shù)制備的微孔金屬植入物作為改性對象，該微孔金屬植入物為外接圓直徑為18mm，高度為18mm的類圓柱形微孔鈦合金，微孔孔隙率為40％，孔徑為800μm，且具有結(jié)構(gòu)孔，該結(jié)構(gòu)孔的內(nèi)切圓直徑為10mm，在微孔金屬植入物的上下端面排布8個(gè)陽極接口，上端面四個(gè)陽極接口，下端面四個(gè)陽極接口。實(shí)施例4與實(shí)施例1的區(qū)別在于，利用激光立體成形制備的微孔金屬植入物作為改性對象，該微孔金屬植入物為外接圓直徑為10mm，高度為30mm的類圓柱形微孔鈦合金，微孔孔隙率為80％，孔徑為600μm，且具有結(jié)構(gòu)孔，該結(jié)構(gòu)孔的內(nèi)切圓直徑為6mm，在微孔金屬植入物的表面排布10個(gè)陽極接口，上端面3陽極接口，下端面3陽極接口，側(cè)面4個(gè)，且側(cè)面設(shè)置的陽極接口等間距設(shè)置，同時(shí)各陽極接口與上下兩個(gè)端面的距離相等。實(shí)施例5與實(shí)施例1的區(qū)別在于，利用電子束熔融技術(shù)制備的微孔金屬植入物作為改性對象，該微孔金屬植入物為外接圓直徑為16mm，高度為100mm的類圓柱形微孔鈦合金，微孔孔隙率為60％，孔徑為700μm，且具有結(jié)構(gòu)孔，該結(jié)構(gòu)孔的內(nèi)切圓直徑為8mm，在微孔金屬植入物的表面排布14個(gè)陽極接口，上端面4個(gè)陽極接口，下端面4個(gè)陽極接口，側(cè)面6個(gè)，且側(cè)面設(shè)置的陽極接口等間距設(shè)置，同時(shí)各陽極接口與上下兩個(gè)端面的距離相等。實(shí)施例6與實(shí)施例1的區(qū)別在于，利用激光選區(qū)熔化技術(shù)制備的微孔金屬植入物作為改性對象，該微孔金屬植入物為外接圓直徑為18mm，高度為180mm的類圓柱形微孔鈦合金，微孔孔隙率為80％，孔徑為800μm，且具有結(jié)構(gòu)孔，該結(jié)構(gòu)孔的內(nèi)切圓直徑為8mm，在微孔金屬植入物的表面分別排布18個(gè)陽極接口，上端面5個(gè)陽極接口，下端面5個(gè)陽極接口，側(cè)面8個(gè)，且側(cè)面設(shè)置的陽極接口等間距設(shè)置，同時(shí)各陽極接口與上下兩個(gè)端面的距離相等。實(shí)施例7利用激光選區(qū)熔化技術(shù)制備的微孔金屬植入物作改性對象，該微孔金屬植入物為外接圓直徑為22mm，高度為8mm的類圓柱形微孔鈦合金，微孔孔隙率為65％，孔徑為550μm，且具有結(jié)構(gòu)孔，該結(jié)構(gòu)孔的內(nèi)切圓直徑為4mm，在微孔金屬植入物的上下端面排布10個(gè)陽極接口，上端面五個(gè)陽極接口，下端面五個(gè)陽極接口。實(shí)施例8與實(shí)施例1的區(qū)別在于，利用激光選區(qū)熔化技術(shù)制備的微孔金屬植入物作為改性對象，該微孔金屬植入物為外接圓直徑為30mm，高度為15mm的類圓柱形微孔鈦合金，微孔孔隙率為55％，孔徑為600μm，且具有結(jié)構(gòu)孔，該結(jié)構(gòu)孔的內(nèi)切圓直徑為6mm，在多孔金屬植入物的上下端面排布12個(gè)陽極接口，上端面六個(gè)陽極接口，下端面六個(gè)陽極接口。實(shí)施例9與實(shí)施例1的區(qū)別在于，利用電子束熔融技術(shù)制備的微孔金屬植入物作為改性對象，該微孔金屬植入物為外接圓直徑為38mm，高度為18mm的類圓柱形微孔鈦合金，微孔孔隙率為80％，孔徑為650μm，且具有結(jié)構(gòu)孔，該結(jié)構(gòu)孔的內(nèi)切圓直徑為8mm，在多孔金屬植入物的上下端面排布16個(gè)陽極接口，上端面八個(gè)陽極接口，下端面八個(gè)陽極接口。實(shí)施例10與實(shí)施例1的區(qū)別在于，利用電子束熔融技術(shù)制備的微孔金屬植入物作為改性對象，該微孔金屬植入物為外接圓直徑24mm，高度為28mm的類圓柱形微孔鈦合金，微孔孔隙率為60％，孔徑為600μm，且具有結(jié)構(gòu)孔，該結(jié)構(gòu)孔的內(nèi)切圓直徑為6mm，在多孔金屬植入物的表面排布24個(gè)陽極接口，上端面8個(gè)陽極接口，下端面8個(gè)陽極接口，側(cè)面8個(gè)，且側(cè)面設(shè)置的陽極接口等間距設(shè)置，同時(shí)各陽極接口與上下兩個(gè)端面的距離相等。實(shí)施例11與實(shí)施例1的區(qū)別在于，利用電子束熔融技術(shù)制備的微孔金屬植入物作為改性對象，該微孔金屬植入物為外接圓直徑為28mm，高度為80mm的類圓柱形微孔鈦合金，微孔孔隙率為70％，孔徑為700μm，且具有結(jié)構(gòu)孔，該結(jié)構(gòu)孔的內(nèi)切圓直徑為8mm，在多孔金屬植入物的表面排布32個(gè)陽極接口，上端面12個(gè)陽極接口，下端面12個(gè)陽極接口，側(cè)面8個(gè)，且側(cè)面設(shè)置的陽極接口等間距設(shè)置，同時(shí)各陽極接口與上下兩個(gè)端面的距離相等。實(shí)施例12與實(shí)施例1的區(qū)別在于，利用電子束熔融技術(shù)制備的微孔金屬植入物作為改性對象，該微孔金屬植入物為外接圓直徑為36mm，高度為190mm的類圓柱形微孔鈦合金，微孔孔隙率為80％，孔徑為800μm，且具有結(jié)構(gòu)孔，該結(jié)構(gòu)孔的內(nèi)切圓直徑為8mm，在多孔金屬植入物的上下端面排布38個(gè)陽極接口，上端面14個(gè)陽極接口，下端面14個(gè)陽極接口，側(cè)面10個(gè)，且側(cè)面設(shè)置的陽極接口等間距設(shè)置，同時(shí)各陽極接口與上下兩個(gè)端面的距離相等。實(shí)施例13與實(shí)施例1的區(qū)別在于，利用電子束熔融技術(shù)制備的微孔金屬植入物作為改性對象，該微孔金屬植入物為外接圓直徑為40mm，高度為10mm的類圓柱形微孔鈦合金，微孔孔隙率為55％，孔徑為800μm，且具有結(jié)構(gòu)孔，該結(jié)構(gòu)孔的內(nèi)切圓直徑為8mm，在多孔金屬植入物的上下端面排布20個(gè)陽極接口，上端面10個(gè)陽極接口，下端面10個(gè)陽極接口。實(shí)施例14與實(shí)施例1的區(qū)別在于，利用電子束熔融技術(shù)制備的微孔金屬植入物作為改性對象，該微孔金屬植入物為外接圓直徑為50mm，高度為16mm的類圓柱形微孔鈦合金，微孔孔隙率為60％，孔徑為1000μm，且具有結(jié)構(gòu)孔，該結(jié)構(gòu)孔的內(nèi)切圓直徑為6mm，在多孔金屬植入物的上下端面排布28個(gè)陽極接口，上端面14個(gè)陽極接口，下端面14個(gè)陽極接口。實(shí)施例15與實(shí)施例1的區(qū)別在于，利用電子束熔融技術(shù)制備的微孔金屬植入物作為改性對象，該微孔金屬植入物為外接圓直徑為60mm，高度為8mm的類圓柱形微孔鈦合金，微孔孔隙率為70％，孔徑為1200μm，且具有結(jié)構(gòu)孔，該結(jié)構(gòu)孔的內(nèi)切圓直徑為4mm，在多孔金屬植入物的表面排布40個(gè)陽極接口，上端面20個(gè)陽極接口，下端面20陽極接口。實(shí)施例16與實(shí)施例1的區(qū)別在于，利用電子束熔融技術(shù)制備的微孔金屬植入物作為改性對象，該微孔金屬植入物為外接圓直徑為14mm，高度為6mm的類圓柱形微孔鈦合金，微孔孔隙率為60％，孔徑為700μm，且具有結(jié)構(gòu)孔，該結(jié)構(gòu)孔的內(nèi)切圓直徑為10mm，在多孔金屬植入物的上下端面排布12個(gè)陽極接口，上端面6個(gè)陽極接口，下端面6個(gè)陽極接口。實(shí)施例17與實(shí)施例1的區(qū)別在于，利用電子束熔融技術(shù)制備的微孔金屬植入物作為改性對象，該微孔金屬植入物為外接圓直徑為28mm，高度為14mm的類圓柱形微孔鈦合金，微孔孔隙率為70％，孔徑為800μm，且具有結(jié)構(gòu)孔，該結(jié)構(gòu)孔的內(nèi)切圓直徑為16mm，在多孔金屬植入物的上下端面排布20個(gè)陽極接口，上端面10個(gè)陽極接口，下端面10個(gè)陽極接口。實(shí)施例18與實(shí)施例1的區(qū)別在于，利用電子束熔融技術(shù)制備的微孔金屬植入物作為改性對象，該微孔金屬植入物為外接圓直徑為56mm，高度為18mm的類圓柱形微孔鈦合金，微孔孔隙率為80％，孔徑為1000μm，且具有結(jié)構(gòu)孔，該結(jié)構(gòu)孔的內(nèi)切圓直徑為18mm，在多孔金屬植入物的上下端面排布28個(gè)陽極接口，上端面14個(gè)陽極接口，下端面14個(gè)陽極接口。實(shí)施例19與實(shí)施例1的區(qū)別在于，利用電子束熔融技術(shù)制備的微孔金屬植入物作為改性對象，該微孔金屬植入物為外接圓直徑為22mm，高度為8mm的類圓柱形微孔鈦合金，微孔孔隙率為55％，孔徑為400μm，且具有結(jié)構(gòu)孔，該結(jié)構(gòu)孔的內(nèi)切圓直徑為10mm，在多孔金屬植入物的上下端面排布10個(gè)陽極接口，上端面5個(gè)陽極接口，下端面5個(gè)陽極接口。實(shí)施例20與實(shí)施例1的區(qū)別在于，利用電子束熔融技術(shù)制備的微孔金屬植入物作為改性對象，該微孔金屬植入物為外接圓直徑為42mm，高度為12mm的類圓柱形微孔鈦合金，微孔孔隙率為65％，孔徑為600μm，且具有結(jié)構(gòu)孔，該結(jié)構(gòu)孔的內(nèi)切圓直徑為30mm，在多孔金屬植入物的上下端面排布20個(gè)陽極接口，上端面10個(gè)陽極接口，下端面10個(gè)陽極接口。實(shí)施例21與實(shí)施例1的區(qū)別在于，利用電子束熔融技術(shù)制備制備的微孔金屬植入物作為改性對象，該微孔金屬植入物為外接圓直徑為58mm，高度為18mm的類圓柱形微孔鈦合金，微孔孔隙率為75％，孔徑為800μm，且具有結(jié)構(gòu)孔，該結(jié)構(gòu)孔的內(nèi)切圓直徑為36mm，在多孔金屬植入物的上下端面排布28個(gè)陽極接口，上端面14個(gè)陽極接口，下端面14個(gè)陽極接口。實(shí)施例22與實(shí)施例1的區(qū)別在于，利用電子束熔融技術(shù)制備的微孔金屬植入物作為改性對象，該微孔金屬植入物為外接圓直徑為7mm，高度為4mm的類圓柱形微孔鈦合金，微孔孔隙率為65％，孔徑為500μm，且具有結(jié)構(gòu)孔，該結(jié)構(gòu)孔的內(nèi)切圓直徑為3mm，在微孔金屬植入物的上下端面分別排布4個(gè)陽極接口。實(shí)施例23與實(shí)施例1的區(qū)別在于，利用電子束熔融技術(shù)制備的微孔金屬植入物作為改性對象，該微孔金屬植入物為直徑為10mm，中心孔的內(nèi)切圓直徑為5mm的類球形微孔鈦合金，微孔孔隙率為60％，孔徑為400μm，在微孔金屬植入物的表面等間距排布6個(gè)陽極接口。實(shí)施例24與實(shí)施例1的區(qū)別在于，利用電子束熔融技術(shù)制備的微孔金屬植入物作為改性對象，該微孔金屬植入物為直徑為20mm，中心孔的內(nèi)切圓直徑為10mm的類球形微孔鈦合金，微孔孔隙率為60％，孔徑為400μm，在微孔金屬植入物的表面等間距排布12個(gè)陽極接口。實(shí)施例25與實(shí)施例1的區(qū)別在于，利用電子束熔融技術(shù)制備的微孔金屬植入物作為改性對象，該微孔金屬植入物為直徑為40mm，中心孔的內(nèi)切圓直徑為10mm的類球形微孔鈦合金，微孔孔隙率為60％，孔徑為400μm，在微孔金屬植入物的表面等間距排布20個(gè)陽極接口。實(shí)施例26與實(shí)施例1的區(qū)別在于，利用電子束熔融技術(shù)制備的微孔金屬植入物作為改性對象，該微孔金屬植入物為直徑為20mm，中心孔的內(nèi)切圓直徑為5mm的類球形微孔鈦合金，微孔孔隙率為60％，孔徑為400μm，在微孔金屬植入物的表面等間距排布12個(gè)陽極接口。實(shí)施例27與實(shí)施例1的區(qū)別在于，對該微孔金屬植入物進(jìn)行強(qiáng)力噴砂處理，磨料為粉末粒徑為300μm的剛玉砂，噴砂距離為3cm，壓縮氣體壓力為8bar，噴射時(shí)間為5s。實(shí)施例28與實(shí)施例1的區(qū)別在于，對該微孔金屬植入物進(jìn)行強(qiáng)力噴砂處理，磨料為粉末粒徑為50μm的剛玉砂，噴砂距離為10cm，壓縮氣體壓力為8bar，噴射時(shí)間為60s。實(shí)施例29與實(shí)施例1的區(qū)別在于，對該微孔金屬植入物進(jìn)行強(qiáng)力噴砂處理，磨料為粉末粒徑為40μm的剛玉砂，噴砂距離為12cm，壓縮氣體壓力為8bar，噴射時(shí)間為60s。實(shí)施例30與實(shí)施例1的區(qū)別在于，將乙酸鈣、磷酸二氫鈉溶于去離子水中，將試劑混合均勻，配制成電解液，其中乙酸鈣濃度為0.1mol/l，磷酸二氫鈉的濃度為0.038mol/l，edta-2na的濃度為0.2mol/l，na2sio3的濃度為0.04mol/l，添加適量的koh，調(diào)節(jié)溶液的ph值為11。實(shí)施例31與實(shí)施例1的區(qū)別在于，將乙酸鈣、磷酸二氫鈉溶于去離子水中，將試劑混合均勻，配制成電解液，其中乙酸鈣濃度為0.18mol/l，磷酸二氫鈉的濃度為0.045mol/l，edta-2na的濃度為0.38mol/l，na2sio3的濃度為0.04mol/l，添加適量的koh，調(diào)節(jié)溶液的ph值為11。實(shí)施例32與實(shí)施例1的區(qū)別在于，將乙酸鈣、磷酸二氫鈉溶于去離子水中，將試劑混合均勻，配制成電解液，其中乙酸鈣濃度為0.2mol/l，磷酸二氫鈉的濃度為0.21mol/l，edta-2na的濃度為1.04mol/l，na2sio3的濃度為0.04mol/l，添加適量的koh，調(diào)節(jié)溶液的ph值為11。實(shí)施例33與實(shí)施例1的區(qū)別在于，將乙酸鈣、磷酸二氫鈉溶于去離子水中，將試劑混合均勻，配制成電解液，其中乙酸鈣濃度為0.58mol/l，磷酸二氫鈉的濃度為0.65mol/l，edta-2na的濃度為3.8mol/l，na2sio3的濃度為0.04mol/l，添加適量的koh，調(diào)節(jié)溶液的ph值為11。實(shí)施例34與實(shí)施例1的區(qū)別在于，將乙酸鈣、磷酸二氫鈉溶于去離子水中，將試劑混合均勻，配制成電解液，其中乙酸鈣濃度為0.4mol/l，磷酸二氫鈉的濃度為0.45mol/l，edta-2na的濃度為2.2mol/l，na2sio3的濃度為0.04mol/l，添加適量的koh，調(diào)節(jié)溶液的ph值為11。實(shí)施例35與實(shí)施例1的區(qū)別在于，將乙酸鈣、磷酸二氫鈉溶于去離子水中，將試劑混合均勻，配制成電解液，其中乙酸鈣濃度為0.38mol/l，磷酸二氫鈉的濃度為0.42mol/l，edta-2na的濃度為2mol/l，na2sio3的濃度為0.04mol/l，添加適量的koh，調(diào)節(jié)溶液的ph值為11。實(shí)施例36與實(shí)施例1的區(qū)別在于，將乙酸鈣、磷酸二氫鈉溶于去離子水中，將試劑混合均勻，配制成電解液，其中乙酸鈣濃度為0.015mol/l，磷酸二氫鈉的濃度為0.02mol/l，edta-2na的濃度為0.032mol/l，na2sio3的濃度為0.04mol/l，添加適量的koh，調(diào)節(jié)溶液的ph值為11。實(shí)施例37與實(shí)施例1的區(qū)別在于，電解液中na2sio3的濃度為0.01mol/l，添加適量的koh，調(diào)節(jié)溶液的ph值為14。實(shí)施例38與實(shí)施例1的區(qū)別在于，采用兩個(gè)電源為微弧氧化進(jìn)行供電，供電電源示意圖如3所示，將試樣陽極接口11與導(dǎo)線連接后分別接入第一電源20和第二電源30的正極，同時(shí)將不銹鋼40插入微孔金屬植入物10的中心孔作為一個(gè)負(fù)極與第一電源20的負(fù)極相連，將電解槽50作為另一個(gè)負(fù)極與第二電源20的負(fù)極相連。將微孔金屬植入物10完全浸沒在電解液60中，進(jìn)行微弧氧化處理，并調(diào)節(jié)第一電源的供電電壓為100v，第二電壓的供電電壓為280v，輸出脈沖頻率為400hz，脈沖寬度15μs，峰值電流設(shè)置80a，氧化時(shí)間為3min。整個(gè)氧化過程中控制電解液的溫度在25℃，反應(yīng)結(jié)束后取出試樣，去除預(yù)置電極，去離子水沖洗，烘干。實(shí)施例39與實(shí)施例38的區(qū)別在于，調(diào)節(jié)第一電源的供電電壓為200v，第二電源的供電電壓為700v，輸出脈沖頻率為1200hz，脈沖寬度400μs，峰值電流設(shè)置160a，氧化時(shí)間為10min，整個(gè)氧化過程中控制電解液的溫度在25℃。實(shí)施例40與實(shí)施例38的區(qū)別在于，調(diào)節(jié)第一電源的供電電壓為40v，第二電源的供電電壓為80v，輸出脈沖頻率為1500hz，脈沖寬度480μs，峰值電流設(shè)置320a，氧化時(shí)間為5min，整個(gè)氧化過程中控制電解液的溫度在25℃。實(shí)施例41與實(shí)施例38的區(qū)別在于，調(diào)節(jié)第一電源的供電電壓為40v，第二電源電壓的供電電壓為80v，輸出脈沖頻率為1500hz，脈沖寬度480μs，峰值電流設(shè)置320a，氧化時(shí)間為5min，整個(gè)氧化過程中控制電解液的溫度在25℃。實(shí)施例42與實(shí)施例38的區(qū)別在于，調(diào)節(jié)第一電源的供電電壓為500v，第二電源的供電電壓為300v，輸出脈沖頻率為150hz，脈沖寬度15μs，峰值電流設(shè)置30a，氧化時(shí)間為25min，整個(gè)氧化過程中控制電解液的溫度在25℃。對比例1采用申請?zhí)枮?01510520332.7專利申請的實(shí)施例1作為本申請的對比例1。對實(shí)施例1至42的多孔金屬植入物改性前后進(jìn)行檢測，其中采用掃描電鏡檢測孔徑截面所形成的原位生長膜層的厚度，檢測結(jié)果見表1。采用x射線能譜檢測實(shí)施例1、實(shí)施例30至36的原位生長膜層的元素組成，檢測結(jié)果見表2。表1表2capca/p實(shí)施例16.063.461.75實(shí)施例306.123.731.64實(shí)施例316.953.901.78實(shí)施例327.024.101.71實(shí)施例338.245.011.64實(shí)施例347.644.931.55實(shí)施例357.324.291.71實(shí)施例365.212.931.78對比例110.516.991.50根據(jù)表1中的數(shù)據(jù)可以看出，采用本申請的方法得到的原位生長膜層的厚度較大，且較為均勻。根據(jù)表2中的數(shù)據(jù)可以看出，采用本申請的原位生長膜層中ca/p的比例與1.67更為接近，說明其更容易在后期處理中形成羥基磷灰石。從以上的描述中，可以看出，本發(fā)明上述的實(shí)施例實(shí)現(xiàn)了如下技術(shù)效果：本申請?jiān)谖⒒⊙趸瘯r(shí)，通過設(shè)置多個(gè)陽極接口，有利于通過設(shè)置陽極接口的位置，控制微孔金屬植入物的電流密度均勻，電場能量分布一致。與常規(guī)的單一陽極接口相比，在相同的電壓下，本申請多陽極接口可以在微孔金屬植入物上實(shí)現(xiàn)盡可能一致的電場能量分布，進(jìn)而減小結(jié)構(gòu)孔內(nèi)壁和外壁所處的電場強(qiáng)度差距，以及電場能量密度的差距，從而得到質(zhì)量更優(yōu)的原位生長膜層，比如能夠控制原位生長膜層的厚度和厚度差距。所形成的原位生長膜層可通過后續(xù)工藝處理，將其中鈣磷元素轉(zhuǎn)化為具有更好生物活性的羥基磷灰石，也可以轉(zhuǎn)化為兼具耐磨和抗菌功能、促進(jìn)成骨細(xì)胞分化、誘導(dǎo)骨組織再生的能力的高生物活性的復(fù)合生物功能陶瓷層。以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不用于限制本發(fā)明，對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。當(dāng)前第1頁12