本發(fā)明涉及養(yǎng)生保健領(lǐng)域，特別涉及一種制氫電路和富氫足浴盆。

背景技術(shù)：

現(xiàn)在隨著人們生活品質(zhì)的不斷提高，對于健康養(yǎng)生的關(guān)注度也越來越高，人們越來越注重自身的健康，而目前的足浴盆只能提供簡單的加熱沐足功能，無法提供更好的健康服務，導致用戶的體驗不好。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

針對現(xiàn)有技術(shù)中的缺陷，本發(fā)明提出了一種制氫電路和富氫足浴盆，用以通過富氫水來沐足，提供了更好的養(yǎng)生保健效果。

具體的，本發(fā)明公開了以下具體的實施例：

本發(fā)明實施例提出了一種制氫電路，包括：第一電阻、第二電阻、第一二極管、第二二極管、Mos管、開關(guān)；其中，所述第一電阻的一端連接所述Mos管的G極和所述第二電阻的一端；

所述第二電阻的另一端接地；

所述Mos管的D極連接所述第一二極管的負極；所述Mos管的S極連接所述第一二極管的正極；所述第一二極管的正極與所述Mos管的S極接地；

所述Mos管的D極還連接所述第二二極管的正極以及所述開關(guān)的一端；所述第二二極管的負極連接所述開關(guān)的另一端。

在一個具體的實施例中，所述開關(guān)具體為繼電器。

在一個具體的實施例中，所述第一電阻與所述第二電阻的電阻值相同。

在一個具體的實施例中，所述第一電阻和/或所述第二電阻具體為可變電阻。

在一個具體的實施例中，所述Mos管具體為：N型金氧半場效晶體管。

在一個具體的實施例中，所述第一二極管具體為鍺二極管。

在一個具體的實施例中，所述第二二極管具體為硅二極管。

在一個具體的實施例中，還包括：加熱控制電路；其中所述加熱控制電路包括：第三電阻、第四電阻、第三二極管、第四二極管、第二Mos管、第二開關(guān)；其中，所述第三電阻的一端連接所述第二Mos管的G極和所述第四電阻的一端；

所述第四電阻的另一端接地；

所述第二Mos管的D極連接所述第三二極管的負極；所述第二Mos管的S極連接所述第三二極管的正極；所述第三二極管的正極與所述第二Mos管的S極接地；

所述第二Mos管的D極還連接所述第四二極管的正極以及所述第二開關(guān)的一端；所述第四二極管的負極連接所述第二開關(guān)的另一端。

在一個具體的實施例中，還包括:氣泡控制電路；其中，所述氣泡控制電路包括：第五電阻、第六電阻、第五二極管、第六二極管、第三Mos管、第三開關(guān)；其中，所述第五電阻的一端連接所述第三Mos管的G極和所述第六電阻的一端；

所述第六電阻的另一端接地；

所述第三Mos管的D極連接所述第五二極管的負極；所述第三Mos管的S極連接所述第五二極管的正極；所述第五二極管的正極與所述第三Mos管的S極接地；

所述第三Mos管的D極還連接所述第六二極管的正極以及所述第三開關(guān)的一端；所述第六二極管的負極連接所述第三開關(guān)的另一端。

本發(fā)明實施例還提出了一種富氫足浴盆，包括上述任意一項所述的制氫電路。

以此，本發(fā)明實施例公開了一種制氫電路和富氫足浴盆，其中制氫電路包括：第一電阻、第二電阻、第一二極管、第二二極管、Mos管、開關(guān)；其中，所述第一電阻的一端連接所述Mos管的G極和所述第二電阻的一端；所述第二電阻的另一端接地；所述Mos管的D極連接所述第一二極管的負極；所述Mos管的S極連接所述第一二極管的正極；所述第一二極管的正極與所述Mos管的S極接地；所述Mos管的D極還連接所述第二二極管的正極以及所述開關(guān)的一端；所述第二二極管的負極連接所述開關(guān)的另一端。以此來進行制氫操作，并在足浴盆中使用該制氫操作所生成的富氫水，通過富氫水來沐足，提供了更好的養(yǎng)生保健效果。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例的技術(shù)方案，下面將對實施例中所需要使用的附圖作簡單地介紹，應當理解，以下附圖僅示出了本發(fā)明的某些實施例，因此不應被看作是對范圍的限定，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他相關(guān)的附圖。

圖1為本發(fā)明實施例提出的一種制氫電路的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明實施例提出的一種制氫電路的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本發(fā)明實施例提出的一種制氫電路的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖例說明：

第一電阻-11、第二電阻-12、第一二極管-13、

第二二極管-14、Mos管-15、開關(guān)-16

加熱控制電路-2、

第三電阻-21、第四電阻-22、第三二極管-23、

第四二極管-24、第二Mos管-25、第二開關(guān)-26

氣泡控制電路-3、

第五電阻-31、第六電阻-32、第五二極管-33、

第六二極管-34、第三Mos管-35、第三開關(guān)-36

具體實施方式

在下文中，將更全面地描述本公開的各種實施例。本公開可具有各種實施例，并且可在其中做出調(diào)整和改變。然而，應理解：不存在將本公開的各種實施例限于在此公開的特定實施例的意圖，而是應將本公開理解為涵蓋落入本公開的各種實施例的精神和范圍內(nèi)的所有調(diào)整、等同物和/或可選方案。

在下文中，可在本公開的各種實施例中使用的術(shù)語“包括”或“可包括”指示所公開的功能、操作或元件的存在，并且不限制一個或更多個功能、操作或元件的增加。此外，如在本公開的各種實施例中所使用，術(shù)語“包括”、“具有”及其同源詞僅意在表示特定特征、數(shù)字、步驟、操作、元件、組件或前述項的組合，并且不應被理解為首先排除一個或更多個其它特征、數(shù)字、步驟、操作、元件、組件或前述項的組合的存在或增加一個或更多個特征、數(shù)字、步驟、操作、元件、組件或前述項的組合的可能性。

在本公開的各種實施例中，表述“或”或“A或/和B中的至少一個”包括同時列出的文字的任何組合或所有組合。例如，表述“A或B”或“A或/和B中的至少一個”可包括A、可包括B或可包括A和B二者。

在本公開的各種實施例中使用的表述(諸如“第一”、“第二”等)可修飾在各種實施例中的各種組成元件，不過可不限制相應組成元件。例如，以上表述并不限制所述元件的順序和/或重要性。以上表述僅用于將一個元件與其它元件區(qū)別開的目的。例如，第一用戶裝置和第二用戶裝置指示不同用戶裝置，盡管二者都是用戶裝置。例如，在不脫離本公開的各種實施例的范圍的情況下，第一元件可被稱為第二元件，同樣地，第二元件也可被稱為第一元件。

應注意到：如果描述將一個組成元件“連接”到另一組成元件，則可將第一組成元件直接連接到第二組成元件，并且可在第一組成元件和第二組成元件之間“連接”第三組成元件。相反地，當將一個組成元件“直接連接”到另一組成元件時，可理解為在第一組成元件和第二組成元件之間不存在第三組成元件。

在本公開的各種實施例中使用的術(shù)語“用戶”可指示使用電子裝置的人或使用電子裝置的裝置(例如，人工智能電子裝置)。

在本公開的各種實施例中使用的術(shù)語僅用于描述特定實施例的目的并且并非意在限制本公開的各種實施例。如在此所使用，單數(shù)形式意在也包括復數(shù)形式，除非上下文清楚地另有指示。除非另有限定，否則在這里使用的所有術(shù)語(包括技術(shù)術(shù)語和科學術(shù)語)具有與本公開的各種實施例所屬領(lǐng)域普通技術(shù)人員通常理解的含義相同的含義。所述術(shù)語(諸如在一般使用的詞典中限定的術(shù)語)將被解釋為具有與在相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域中的語境含義相同的含義并且將不被解釋為具有理想化的含義或過于正式的含義，除非在本公開的各種實施例中被清楚地限定。

實施例1

本發(fā)明實施例提出了一種制氫電路，如圖1所示，包括：第一電阻11、第二電阻12、第一二極管13、第二二極管14、Mos管15、開關(guān)16；其中，所述第一電阻11的一端連接所述Mos管15的G極和所述第二電阻12的一端；

所述第二電阻12的另一端接地；

所述Mos管15的D極連接所述第一二極管13的負極；所述Mos管15的S極連接所述第一二極管13的正極；所述第一二極管13的正極與所述Mos管的S極接地；

所述Mos管15的D極還連接所述第二二極管14的正極以及所述開關(guān)16的一端；所述第二二極管14的負極連接所述開關(guān)16的另一端。

在一個具體的實施例中，所述開關(guān)具體為繼電器。

繼電器(英文名稱：relay)是一種電控制器件，是當輸入量(激勵量)的變化達到規(guī)定要求時，在電氣輸出電路中使被控量發(fā)生預定的階躍變化的一種電器。它具有控制系統(tǒng)(又稱輸入回路)和被控制系統(tǒng)(又稱輸出回路)之間的互動關(guān)系。通常應用于自動化的控制電路中，它實際上是用小電流去控制大電流運作的一種“自動開關(guān)”。故在電路中起著自動調(diào)節(jié)、安全保護、轉(zhuǎn)換電路等作用。

在一個具體的實施例中，所述第一電阻與所述第二電阻的電阻值相同。

在一個具體的實施例中，，為了能對電路中的電流進行靈活的調(diào)整，所述第一電阻和/或所述第二電阻具體為可變電阻。以此，由于電阻值可調(diào)，可以實時靈活的對電路進行調(diào)整，以使得電路滿足各種需要，提高適應性。

具體的電阻，也即電阻器(Resistor)，在日常生活中一般直接稱為電阻。是一個限流元件，將電阻接在電路中后，電阻器的阻值是由固定的兩個引腳決定的，它可限制通過它所連支路的電流大小。阻值不能改變的稱為固定電阻器。阻值可變的稱為電位器或可變電阻器。理想的電阻器是線性的，即通過電阻器的瞬時電流與外加瞬時電壓成正比。用于分壓的可變電阻器。在裸露的電阻體上，緊壓著一至兩個可移金屬觸點。觸點位置確定電阻體任一端與觸點間的阻值。

電阻中電壓與電流有確定函數(shù)關(guān)系，體現(xiàn)電能轉(zhuǎn)化為其他形式能力的二端器件，用字母R來表示，單位為歐姆Ω。實際器件如燈泡，電熱絲，電阻器等均可表示為電阻器元件。

電阻元件的電阻值大小一般與溫度，材料，長度，還有橫截面積有關(guān)，衡量電阻受溫度影響大小的物理量是溫度系數(shù)，其定義為溫度每升高1℃時電阻值發(fā)生變化的百分數(shù)。電阻的主要物理特征是變電能為熱能，也可說它是一個耗能元件，電流經(jīng)過它就產(chǎn)生內(nèi)能。電阻在電路中通常起分壓、分流的作用。對信號來說，交流與直流信號都可以通過電阻。

在一個具體的實施例中，所述Mos管具體為：N型金氧半場效晶體管。

Mos(Metal Oxide Semiconductor)管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導體(semiconductor)場效應晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個兩個區(qū)是一樣的，即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。

場效應管的名字也來源于它的輸入端(稱為GATE)通過投影；一個電場在一個絕緣層上來影響流過晶體管的電流。事實上沒有電流流過這個絕緣體，所以FET管的GATE電流非常小。最普通的FET用一薄層二氧化硅來作為GATE極下的絕緣體。這種晶體管稱為金屬氧化物半導體(MOS)晶體管，或,金屬氧化物半導體場效應管(MOSFET)。因為MOS管更小更省電，所以他們已經(jīng)在很多應用場合取代了雙極型晶體管。

金屬氧化物半導體場效應管依照其溝道極性的不同，可分為電子占多數(shù)的N溝道型與空穴占多數(shù)的P溝道型，通常被稱為N型金氧半場效晶體管(NMOSFET)與P型金氧半場效晶體管(PMOSFET)。

而具體的，所述MOS管具體可以選用N型金氧半場效晶體管。

在一個具體的實施例中，所述第一二極管具體為鍺二極管。

具體的，二極管，(英語：Diode)，電子元件當中，一種具有兩個電極的裝置，只允許電流由單一方向流過，許多的使用是應用其整流的功能。而變?nèi)荻O管(Varicap Diode)則用來當作電子式的可調(diào)電容器。大部分二極管所具備的電流方向性我們通常稱之為“整流(Rectifying)”功能。二極管最普遍的功能就是只允許電流由單一方向通過(稱為順向偏壓)，反向時阻斷(稱為逆向偏壓)。

而具體的，現(xiàn)今普遍的二極管大多是使用半導體材料如硅或鍺。在此可以選用鍺二極管。

而在一個具體的實施例中，所述第二二極管具體可以為硅二極管。

為了實現(xiàn)更好的制氫效果，如圖2所示，在一個具體的實施例中該制氫電路還可以包括：加熱控制電路2；其中所述加熱控制電路2包括：第三電阻21、第四電阻22、第三二極管23、第四二極管24、第二Mos管25、第二開關(guān)26；其中，所述第三電阻的一端連接所述第二Mos管的G極和所述第四電阻的一端；

所述第四電阻的另一端接地；

所述第二Mos管的D極連接所述第三二極管的負極；所述第二Mos管的S極連接所述第三二極管的正極；所述第三二極管的正極與所述第二Mos管的S極接地；

所述第二Mos管的D極還連接所述第四二極管的正極以及所述第二開關(guān)的一端；所述第四二極管的負極連接所述第二開關(guān)的另一端。

為了實現(xiàn)更好的制氫效果，在一個具體的實施例中，如圖3所示，該制氫電路還可以包括:氣泡控制電路3；其中，所述氣泡控制電路3包括：第五電阻31、第六電阻32、第五二極管33、第六二極管34、第三Mos管35、第三開關(guān)36；其中，所述第五電阻的一端連接所述第三Mos管的G極和所述第六電阻的一端；

所述第六電阻的另一端接地；

所述第三Mos管的D極連接所述第五二極管的負極；所述第三Mos管的S極連接所述第五二極管的正極；所述第五二極管的正極與所述第三Mos管的S極接地；

所述第三Mos管的D極還連接所述第六二極管的正極以及所述第三開關(guān)的一端；所述第六二極管的負極連接所述第三開關(guān)的另一端。

以此，本發(fā)明實施例公開了一種制氫電路，包括：第一電阻、第二電阻、第一二極管、第二二極管、Mos管、開關(guān)；其中，所述第一電阻的一端連接所述Mos管的G極和所述第二電阻的一端；所述第二電阻的另一端接地；所述Mos管的D極連接所述第一二極管的負極；所述Mos管的S極連接所述第一二極管的正極；所述第一二極管的正極與所述Mos管的S極接地；所述Mos管的D極還連接所述第二二極管的正極以及所述開關(guān)的一端；所述第二二極管的負極連接所述開關(guān)的另一端。以此來進行制氫操作，并在足浴盆中使用該制氫操作所生成的富氫水，通過富氫水來沐足，提供了更好的養(yǎng)生保健效果。

實施例2

本發(fā)明實施例還提出了一種富氫足浴盆，包括實施例1中所述的制氫電路。

具體的，富氫足浴盆中除了制氫電路以外，還可以根據(jù)各自的需要以及具體的使用場景以及產(chǎn)品定位，選取其他的配件，例如還可以選取發(fā)光二極管，電源，噴霧噴頭，吸水裝置，儲水盒等等，以此滿足各種不同的需要。

以此，本發(fā)明實施例公開了一種制氫電路和富氫足浴盆，其中制氫電路包括：第一電阻、第二電阻、第一二極管、第二二極管、Mos管、開關(guān)；其中，所述第一電阻的一端連接所述Mos管的G極和所述第二電阻的一端；所述第二電阻的另一端接地；所述Mos管的D極連接所述第一二極管的負極；所述Mos管的S極連接所述第一二極管的正極；所述第一二極管的正極與所述Mos管的S極接地；所述Mos管的D極還連接所述第二二極管的正極以及所述開關(guān)的一端；所述第二二極管的負極連接所述開關(guān)的另一端。以此來進行制氫操作，并在足浴盆中使用該制氫操作所生成的富氫水，通過富氫水來沐足，提供了更好的養(yǎng)生保健效果。

本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解附圖只是一個優(yōu)選實施場景的示意圖，附圖中的模塊或流程并不一定是實施本發(fā)明所必須的。

本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解實施場景中的裝置中的模塊可以按照實施場景描述進行分布于實施場景的裝置中，也可以進行相應變化位于不同于本實施場景的一個或多個裝置中。上述實施場景的模塊可以合并為一個模塊，也可以進一步拆分成多個子模塊。

上述本發(fā)明序號僅僅為了描述，不代表實施場景的優(yōu)劣。

以上公開的僅為本發(fā)明的幾個具體實施場景，但是，本發(fā)明并非局限于此，任何本領(lǐng)域的技術(shù)人員能思之的變化都應落入本發(fā)明的保護范圍。