1.一種制氫電路，其特征在于，包括：第一電阻、第二電阻、第一二極管、第二二極管、Mos管、開關(guān)；其中，所述第一電阻的一端連接所述Mos管的G極和所述第二電阻的一端；
所述第二電阻的另一端接地；
所述Mos管的D極連接所述第一二極管的負極；所述Mos管的S極連接所述第一二極管的正極；所述第一二極管的正極與所述Mos管的S極接地；
所述Mos管的D極還連接所述第二二極管的正極以及所述開關(guān)的一端；所述第二二極管的負極連接所述開關(guān)的另一端。
2.如權(quán)利要求1所述的制氫電路，其特征在于，所述開關(guān)具體為繼電器。
3.如權(quán)利要求1所述的制氫電路，其特征在于，所述第一電阻與所述第二電阻的電阻值相同。
4.如權(quán)利要求1所述的制氫電路，其特征在于，所述第一電阻和/或所述第二電阻具體為可變電阻。
5.如權(quán)利要求1所述的制氫電路，其特征在于，所述Mos管具體為：N型金氧半場效晶體管。
6.如權(quán)利要求1所述的制氫電路，其特征在于，所述第一二極管具體為鍺二極管。
7.如權(quán)利要求1所述的制氫電路，其特征在于，所述第二二極管具體為硅二極管。
8.如權(quán)利要求1所述的制氫電路，其特征在于，還包括：加熱控制電路；其中所述加熱控制電路包括：第三電阻、第四電阻、第三二極管、第四二極管、第二Mos管、第二開關(guān)；其中，所述第三電阻的一端連接所述第二Mos管的G極和所述第四電阻的一端；
所述第四電阻的另一端接地；
所述第二Mos管的D極連接所述第三二極管的負極；所述第二Mos管的S極連接所述第三二極管的正極；所述第三二極管的正極與所述第二Mos管的S極接地；
所述第二Mos管的D極還連接所述第四二極管的正極以及所述第二開關(guān)的一端；所述第四二極管的負極連接所述第二開關(guān)的另一端。
9.如權(quán)利要求1所述的制氫電路，其特征在于，還包括:氣泡控制電路；其中，所述氣泡控制電路包括：第五電阻、第六電阻、第五二極管、第六二極管、第三Mos管、第三開關(guān)；其中，所述第五電阻的一端連接所述第三Mos管的G極和所述第六電阻的一端；
所述第六電阻的另一端接地；
所述第三Mos管的D極連接所述第五二極管的負極；所述第三Mos管的S極連接所述第五二極管的正極；所述第五二極管的正極與所述第三Mos管的S極接地；
所述第三Mos管的D極還連接所述第六二極管的正極以及所述第三開關(guān)的一端；所述第六二極管的負極連接所述第三開關(guān)的另一端。
10.一種富氫足浴盆，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-9中任意一項所述的制氫電路。