本發(fā)明的實施方式涉及半導(dǎo)體器件的制造。尤其是，實施方式涉及制造期間測量半導(dǎo)體器件的溫度。

背景技術(shù)：

快速熱處理(或rtp)意指在數(shù)秒或更低的時幅(timescale)上快速加熱硅晶片至高溫(高至攝氏1200度或更高)的半導(dǎo)體制造處理。然而在冷卻期間，晶片溫度必須緩慢下降以防止由熱震動的位錯(dislocation)及晶片破裂?？焖偌訜崴俾释ǔＳ筛邚姸葻艟呋蚣す鈦磉_(dá)成。rtp被用于包含摻雜物活化、熱氧化、金屬回流及化學(xué)氣相沉積的半導(dǎo)體制造的廣泛應(yīng)用。

測量處理溫度對控制rtp工具中的快速加熱及冷卻速率是關(guān)鍵的，以防止對在其中處理的硅晶片的損壞。因此，rtp工具需要具有快速反應(yīng)、精確且能夠在約250攝氏度至1100攝氏度的溫度范圍內(nèi)精確測量溫度的溫度測量裝置。通常對rtp工具而言在以下兩種能力間折衷：快速且精確地于溫度范圍的一端以相對低的成本測量基板溫度的能力、與于該溫度范圍的另一端測量該溫度的能力。

因此，存有改良溫度測量裝置的需求。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

于此描述用于在真空腔室中使用熱傳感器原位(in-situ)確定基板溫度的方法及設(shè)備。在一個實施方式中，熱傳感器具有傳送器，該傳送器經(jīng)構(gòu)造以傳送電磁波；接收器，該接收器經(jīng)構(gòu)造以接收電磁波；及控制器，該控制器經(jīng)構(gòu)造以控制該傳送器及該接收器，其中可操作該控制器以自所傳送的該電磁波及所接收的該電磁波之間的差異來確定溫度。

在另一實施方式中，提供處理腔室。該處理腔室包含腔室主體及基板支撐件，該基板支撐件設(shè)置于該腔室主體的內(nèi)部容積中。傳送器經(jīng)定向以經(jīng)過設(shè)置于該基板支撐件上的基板來傳送電磁波。接收器經(jīng)定向以接收由該傳送器發(fā)射的電磁波。控制器經(jīng)構(gòu)造以控制該傳送器及該接收器。可操作該控制器以自所傳送的該電磁波及所接收的該電磁波的磁場變化來確定溫度。

而在另一實施方式中，提供用于設(shè)置于處理腔室中的基板的溫度的非接觸測量的方法。該方法包含以下步驟：將基板傳輸進(jìn)入處理腔室；引導(dǎo)電磁波穿過設(shè)置于該處理腔室中的該基板；在通過該基板之后接收該電磁波；及基于所引導(dǎo)的該電磁波及所接收的該電磁波之間的變化的度量指示來確定該基板的溫度。

附圖說明

以上本發(fā)明的詳述特征可以被詳細(xì)理解的方式，以及本發(fā)明的更特定描述可以通過參照實施方式來獲得，實施方式中的一些實施方式繪示于附圖中。然而，應(yīng)當(dāng)注意，所附圖式僅繪示本發(fā)明典型的實施方式，因而不應(yīng)視為對本發(fā)明范圍的限制，因為本發(fā)明可允許其它等同有效實施方式。

圖1為具有熱傳感器的處理腔室的示意截面圖。

圖2為示出于圖1的處理腔室中的熱傳感器的示意截面圖。

為了便于理解，盡可能使用相同附圖標(biāo)號，以標(biāo)示附圖中共通的相同元件。考慮到，于一個實施方式中所公開的元件在沒有特定描述下可有益地運用于其它實施方式中。

具體實施方式

本公開內(nèi)容的實施方式一般地涉及用于快速測量在具有快速且極端的溫度改變的腔室中經(jīng)受處理的基板上的溫度的設(shè)備及方法。溫度測量裝置可幫助控制基板溫度，使得最小化歸因于過度加熱的損壞及可在基板處理期間損壞基板的熱震動情形。在一個實施方式中，溫度控制裝置可使用無線電波衍射以快速且精確地測量基板溫度。在另一實施方式中，溫度控制裝置可使用電磁波以快速且精確地測量基板溫度。

圖1為根據(jù)一個實施方式的具有熱傳感器190的處理腔室100的示意截面視圖?？墒褂锰幚砬皇?00以處理一個或更多個基板，包含沉積材料于基板的上方表面上，例如在圖1中所描繪的基板108的上方表面116。處理腔室100包含腔室主體101，腔室主體101連接至處理腔室100，上方圓頂128及下方圓頂114。在一個實施方式中，上方圓頂128可由以下材料來制造：例如不銹鋼、鋁、或包含石英的陶瓷、包含氣泡石英(例如，具有液包體(fluidinclusions)的石英)、氧化鋁、氧化釔或藍(lán)寶石。上方圓頂128也可由經(jīng)涂覆的金屬或陶瓷來形成。下方圓頂114可由光學(xué)透明或半透明材料來形成，例如石英。下方圓頂114耦接至腔室主體101，或為腔室主體101的整體部分。腔室主體101可包含支撐上方圓頂128的底板160。

設(shè)置輻射加熱燈具102陣列于下方圓頂114下方，用以加熱其它組件外，設(shè)置于處理腔室100內(nèi)的基板支撐件107的背側(cè)104。交替地，設(shè)置該輻射加熱燈具102陣列于上方圓頂128上方，用以加熱其它部件外，設(shè)置于處理腔室100內(nèi)的基板108的上方表面116。在沉積期間，基板108可經(jīng)由裝載口103被帶入處理腔室100且置于基板支撐件107上。可調(diào)適燈具102以加熱基板108至預(yù)先確定溫度，以便于供應(yīng)進(jìn)入處理腔室的工藝氣體的熱分解，用以沉積材料于基板108的上方表面116上。在一個實施例中，沉積于基板108上的材料可為iii族、iv族和/或v族材料、或包含iii族、iv族和/或v族摻雜物的材料。例如，沉積材料可為下列的其中一者或多者：砷化鎵、氮化鎵、或氮化鋁鎵。可調(diào)適燈具102以快速加熱基板108至約300攝氏度至約1200攝氏度的溫度，例如約300攝氏度至約950攝氏度。

燈具102可包含由可選的反射器143環(huán)繞的燈泡141，反射器143相鄰于下方圓頂114且設(shè)置于下方圓頂114的下方，用以在工藝氣體通過反射器143的上方以便于將材料沉積于基板108的上方表面116上時加熱基板108。燈具102被安置為繞著基板支撐件107的軸件132增加的半徑的環(huán)狀群組。軸件132由石英形成且包含中空部分或其中的孔穴，這降低了靠近基板108中央的輻射能量的側(cè)向位移，因而促進(jìn)均勻的照射基板108。

在一個實施方式中，每個燈具102耦接至功率分配板(未示出)，經(jīng)由功率分配板功率被供應(yīng)至每個燈具102。放置燈具102于燈頭145內(nèi)，在被處理期間或處理后，通過將冷卻流體導(dǎo)入位于燈具102之間的通道149可冷卻燈頭145。燈頭145傳導(dǎo)地冷卻下方圓頂114，部分因為燈頭145與下方圓頂114很靠近。燈頭145也可冷卻燈壁及反射器143的壁。如果需要，燈頭145可與下方圓頂114接觸。

示出基板支撐件107處于升高的處理位置，但可通過致動器(未示出)垂直移動至處理位置下方的裝載位置，以允許升降銷105接觸下方圓頂114。升降銷105通過基板支撐件107中的孔111且將基板108由基板支撐件107提高。機械手(未示出)可接著進(jìn)入處理腔室100以占用且經(jīng)由裝載口103從處理腔室100移除基板108。放置新的基板于具有上方表面116的基板支撐件107上，接著可提高至處理位置以放置基板108而與基板支撐件107的前側(cè)110接觸，其中器件多在上方表面116上而面朝上形成。

設(shè)置于處理腔室100中的基板支撐件107將處理腔室100的內(nèi)部容積分隔成工藝氣體區(qū)域156(基板支撐件107的前側(cè)110上方)及凈化氣體區(qū)域158(基板支撐件107下方)?；逯渭?07在處理期間由中央軸件132旋轉(zhuǎn)，以最小化處理腔室100內(nèi)的熱及工藝氣體流動空間不均勻性的影響，因此便于基板108的均勻處理?；逯渭?07通過中央軸件132支撐，中央軸件132在裝載及卸除期間(且在一些情形中，在基板108處理期間)在往上及往下的方向134上移動基板108?；逯渭?07可由具有低熱質(zhì)量或低熱容量的材料形成，使得被基板支撐件107吸收及發(fā)射的能量最小化?；逯渭?07可由碳化硅或涂覆碳化硅的石墨形成，以吸收來自燈具102的輻射能量且快速地傳導(dǎo)輻射能量至基板108。在一個實施方式中，基板支撐件107在圖1中被示出為具有中央開口的環(huán)，以便于基板中央暴露于由燈具102產(chǎn)生的熱輻射下?；逯渭?07可自基板108邊緣支撐基板108。在另一實施方式中，基板支撐件107也可為不含中央開口的碟狀構(gòu)件。而在另一實施方式中，基板支撐件107也可為碟狀或盤狀的基板支撐件，或由個別指狀物延伸的多個插銷，例如三個插銷或五個插銷。

在一個實施方式中，上方圓頂128及下方圓頂114由光學(xué)透明或半透明材料(例如石英)形成。上方圓頂128及下方圓頂114為薄的以最小化熱內(nèi)存。在一個實施方式中，上方圓頂128及下方圓頂114可具有約3mm及約10mm之間的厚度，例如約4mm。通過將熱控制流體(例如冷卻氣體)經(jīng)由入口126導(dǎo)入熱控制空間136及經(jīng)由出口130抽出熱控制流體，可熱控制上方圓頂128。在一些實施方式中，經(jīng)過熱控制空間136的冷卻流體循環(huán)可減少于上方圓頂128的內(nèi)表面上的沉積。

可在腔室主體101內(nèi)設(shè)置襯墊組件162，且襯墊組件162被底板160的內(nèi)圓周環(huán)繞。襯墊組件162可由處理抵抗性材料形成，且大體上將處理容積(即，工藝氣體區(qū)域156及凈化氣體區(qū)域158)屏蔽于腔室主體101的金屬壁外?？纱┻^襯墊組件162設(shè)置開口170(例如狹縫閥)且與裝載口103對準(zhǔn)，以允許基板108的通過。

經(jīng)由形成于底板160的側(cè)壁中的工藝氣體進(jìn)入口175，將供應(yīng)自工藝氣體供應(yīng)源173的工藝氣體導(dǎo)入工藝氣體區(qū)域156。也可在襯墊組件162中形成額外的開口(未示出)以允許氣體流經(jīng)。工藝氣體進(jìn)入口175經(jīng)構(gòu)造以在大體徑向朝內(nèi)的方向上引導(dǎo)工藝氣體。在薄膜形成工藝期間，基板支撐件107位于處理位置中，而相鄰于工藝氣體進(jìn)入口175且處于與工藝氣體進(jìn)入口175約相同的高度，因而允許工藝氣體沿著流動路徑169流動，流動路徑169跨基板108的上方表面116而界定。工藝氣體經(jīng)由氣體排出口178離開工藝氣體區(qū)域156(沿著流動路徑165)，氣體排出口178定位于處理腔室100相對于工藝氣體進(jìn)入口175的相對側(cè)上?？赏ㄟ^耦接至氣體排出口178的真空泵180，而便于經(jīng)由氣體排出口178移除工藝氣體。當(dāng)工藝氣體進(jìn)入口175及氣體排出口178相互對準(zhǔn)且設(shè)置大致于相同高度，據(jù)信這樣平行安置使大體平坦、均勻的氣體流動能夠跨越基板?？山逵赏ㄟ^經(jīng)由基板支撐件107的旋轉(zhuǎn)來提供進(jìn)一步的徑向均勻性。

將供應(yīng)自凈化氣體源163的凈化氣體經(jīng)由凈化氣體進(jìn)入口164導(dǎo)入凈化氣體區(qū)域158，凈化氣體進(jìn)入口164在底板160的側(cè)壁中形成。設(shè)置凈化氣體進(jìn)入口164于工藝氣體進(jìn)入口175下方的一高度處。凈化氣體進(jìn)入口164經(jīng)構(gòu)造以在大體徑向朝內(nèi)的方向上引導(dǎo)凈化氣體。如果需要，凈化氣體進(jìn)入口164可經(jīng)構(gòu)造以在朝上的方向上引導(dǎo)凈化氣體。在膜形成工藝期間，基板支撐件107位于一位置處，使得凈化氣體沿著流動路徑161跨基板支撐件107的背側(cè)104流動。不受任何特定理論限制，相信凈化氣體的流動能防止或?qū)嵸|(zhì)避免工藝氣體流動進(jìn)入凈化氣體區(qū)域158，或減少工藝氣體擴散進(jìn)入凈化氣體區(qū)域158(即，基板支撐件107下方的區(qū)域)。凈化氣體離開凈化氣體區(qū)域158(沿著流動路徑166)且經(jīng)由氣體排出口178排出處理腔室，氣體排出口178位于處理腔室100相對于凈化氣體進(jìn)入口164的相對側(cè)上。

相似地，在凈化處理期間，基板支撐件107可位于升高的位置以允許凈化氣體側(cè)向流動跨過基板支撐件107的背側(cè)104。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解：出于說明目的示出工藝氣體進(jìn)入口、凈化氣體進(jìn)入口、及氣體排出口，因而可調(diào)整氣體進(jìn)入口或排出端口的位置、大小、或數(shù)量等，以進(jìn)一步便于基板108上均勻的材料沉積。

可選地，可放置反射器122于上方圓頂128或下方圓頂114的外部，以將由基板108輻射或基板108傳送的紅外光反射回到基板108上。由于反射的紅外光，通過包含以其它方式可逸散出處理腔室100的熱來改善加熱的效率。反射器122可由金屬制成，例如鋁或不銹鋼。反射器122可具有入口端口126及出口端口130以乘載流體(例如水)的流動以冷卻反射器122。如果需要，可通過使用高反射性涂覆層(例如金涂覆層)涂覆反射面來改善反射效率。

可設(shè)置一個或更多個熱傳感器190于燈頭145及上方圓頂128中，以測量基板108的熱發(fā)射。每個熱傳感器190包含傳送器191及接收器192，且耦接至至少一個傳感器控制器194。可設(shè)置熱傳感器190于燈頭145中的不同位置處，以便于在處理期間檢視(即，感測)基板108的不同位置。在一個實施方式中，設(shè)置熱傳感器190于燈頭145下方的腔室主體101的部分上。自基板108的不同位置感測溫度便于確定是否出現(xiàn)溫度反?；虿痪鶆蛐?。這些溫度不均勻性可導(dǎo)致膜形成的不均勻性，例如厚度及成分。雖然圖1中圖示了一個熱傳感器190(包括傳送器191及接收器192)，可使用一個或更多個額外的熱傳感器190以獲得基板108的邊緣至邊緣溫度剖面。應(yīng)預(yù)想，可安置熱傳感器190以確定基板108的多個預(yù)先確定位置處的溫度。

例如，可放置和/或定向每個熱傳感器190以檢視基板108的區(qū)域且感測該區(qū)域的熱狀態(tài)。在一些實施方式中，可徑向定向基板108的區(qū)域。例如，在旋轉(zhuǎn)基板108的實施方式中，熱傳感器190可檢視或定義具有與基板108的中央實質(zhì)相同的一中央的基板108的中央部分中的中央?yún)^(qū)域，帶有環(huán)繞該中央?yún)^(qū)域且與該中央?yún)^(qū)域同心的一個或更多個區(qū)域。然而，這些區(qū)域不須為同心或徑向定向。在一些實施方式中，可以非徑向方式在基板108的不同位置處安置區(qū)域，例如以cartesian格狀安置。

可設(shè)置熱傳感器190的傳送器191于燈具102之間(例如，在通道149中)且經(jīng)定向而實質(zhì)斜向基板108的上方表面116。在一些實施方式中，將傳送器191及接收器192以實質(zhì)相似角度定向斜向基板108。在其它實施方式中，可定向傳送器191及接收器192稍微離開彼此。例如，傳送器191及接收器192可具有相互約5度內(nèi)的定向角度。

在處理期間，控制器182自熱傳感器190(或自傳感器控制器194)接收溫度的度量指示且基于該度量單獨地調(diào)整輸送至每個燈具102(或單個燈具群組或燈具區(qū)域)的功率?？刂破?82可包含獨立對多種燈具102或燈具區(qū)域供電的功率源184?？刂破?82也可包含傳感器控制器194?？刂破?82可經(jīng)構(gòu)造以產(chǎn)生基板108上所需溫度剖面，且基于對自熱傳感器190接收的度量與預(yù)先確定的溫度剖面或目標(biāo)設(shè)定點的比較，控制器182可調(diào)整對燈具和/或燈具區(qū)域的功率，以使指示基板的側(cè)向溫度剖面的所觀察(感測)的熱信息符合所需溫度剖面?？刂破?82也可調(diào)整對燈具及/或燈具區(qū)域的功率，以使一個基板的熱處理符合另一基板的熱處理，以防止腔室性能隨著時間飄移。

可操作熱傳感器190以探測基板108上的溫度，例如，傳感器控制器194可指示傳送器191發(fā)送傳送信號146。傳送信號146可與基板108或其它可修改、衰減、或變更傳送信號146的主體相互作用。接收信號147(被變更的傳送信號146)被引導(dǎo)遠(yuǎn)離基板108至接收器192。接收器192接著將接收信號147傳達(dá)至傳感器控制器194。傳感器控制器194可比較傳送信號146與接收信號147以確定溫度。圖2中更詳細(xì)討論熱傳感器190。

圖2為示出于圖1的處理腔室中的熱傳感器190的示意截面視圖。雖然一個或更多個傳送器191可引導(dǎo)基板108的上方表面116、基板108的下側(cè)208、或兩者的組合處的一個或更多個傳送信號146，機制為相似的，并且討論可參考單一傳送器。亦即，傳送器191以第一角度222引導(dǎo)基板108的下側(cè)208處的傳送信號146自正交角度210、220至基板108的下側(cè)208。傳送信號146由基板108變更，例如由通過衍射至中間角度218來改變信號的第一角度222，例如示出為傳播穿過基板108的中間信號240。中間角度218可取決于基板108的屬性以及基板108的溫度?；宓膶傩耘c中間角度218一起產(chǎn)生信號146、147的位移216。中間信號240離開基板108的上方表面116，可在上方表面116再次衍射至第二角度212，而作為接收信號147隨后被接收器192探測到。在一個實施方式中，第一角度222及第二角度212實質(zhì)相似，在第二實施方式中，第一角度222及第二角度212不相似。

熱傳感器190可在相關(guān)聯(lián)于電磁波傳送的一個或更多個法則上運作。熱傳感器190可利用基板108的屬性以造成傳送信號146中的改變。這些屬性產(chǎn)生自傳送信號146至取決于溫度的接收信號147的位移216，且相應(yīng)地，可使用以確定基板108的溫度。在一個實施方式中，可探測到基板108的溫度為基板108的折射及密度中的改變的函數(shù)。例如，硅具有在0攝氏度時約2.3290g·cm³及在1414攝氏度時約2.57g·cm³的密度。電磁波在波通過介質(zhì)(例如基板108)時在速率上改變且折射，并且隨著基板108的動態(tài)密度變化。因此，傳送信號中的改變可指示基板108密度中的改變，接著可關(guān)聯(lián)于基板108的溫度。此外，也可使用測量在傳送信號146傳播通過基板108時被基板108密度所影響的傳送信號146的速度，以產(chǎn)生關(guān)于基板108溫度的信息。在另一實施方式中，電磁波可確定基板108的電磁場。基板的電磁場中的改變關(guān)聯(lián)于基板108溫度中的改變。

熱傳感器190可衰減至相同波長或頻譜，或衰減至不同波長或頻譜。例如，使用于處理腔室100的基板可為成分上同質(zhì)的，或可具有不同成分的領(lǐng)域，例如特征位置。使用衰減至不同波長的熱傳感器190可允許具有不同成分及不同發(fā)射的基板領(lǐng)域的監(jiān)控來回應(yīng)熱能量。

雖然聲波無法穿越真空，無線電波為能夠穿越真空的電磁波。聲音由物質(zhì)(例如空氣或水)中的壓力變化組成因而無法穿越真空。然而，類似于可見光、紅外光、紫外光、x射線及伽馬射線的無線電波，為容易穿越真空的電磁波，使得無線電波適用于真空環(huán)境，例如等離子體處理腔室及類似者。

在一個實施方式中，熱傳感器190衰減至紅外光波長，例如700納米至1mm，例如約3μm。熱傳感器190可產(chǎn)生連續(xù)波，例如正弦波。然而，應(yīng)理解可為任何合適的波，例如脈沖波。脈沖波可有利地具有較低噪聲，使得脈沖波為熱傳感器190的使用所需。例如，脈沖波可測量針對脈沖波自傳送器至接收器的時間變化且比較對抗多種基板溫度的時間變化。

穿越材料介質(zhì)的電磁波真實速度取決于該介質(zhì)的密度。不同材料由于電磁波的吸收及重新發(fā)射工藝造成不同延遲量。不同材料具有更緊密聚集的原子，因而原子之間的距離量也更低。針對基板108的密度變化取決于材料的本性以及某些屬性，例如基板108的溫度。此外，電磁波的速度取決于材料及電磁波所穿越材料的密度。電磁波的速度越過給定距離逐漸地改變。因此，通過分析電磁波由輸入至輸出的變化，我們可將溫度探測為基板108的折射及密度中的改變的函數(shù)?？赏ㄟ^比較作為溫度的函數(shù)的頻率及速度的變化與折射而在特定點處驗證溫度。

例如，聲波的速度在保持20攝氏度的干空氣中為約343m/s或約767mph。波的速度取決于介質(zhì)(即，空氣或基板)的溫度。聲音的速度可表示為v＝331m/s+0.6t，其中v為波的速度，t為空氣以攝氏度數(shù)的溫度，331m/s為干空氣于0攝氏度中的聲音速度，且0.6為一常數(shù)。隨著溫度增加，聲音的速度也以每攝氏度0.6m/s的速率增加。聲音的速度也取決于介質(zhì)的可壓縮性及慣性。歸因于媒介的可壓縮性的速度變化可表示為v2＝(彈性屬性/慣性屬性)。其中彈性屬性通常為介質(zhì)的體積模量(bulkmodulus)或楊氏模量(young’smodulus)，且慣性屬性為介質(zhì)的密度。可將這些相同原則應(yīng)用至電磁波以測量真空氣氛中基板的溫度。

在另一實施方式中，可使用經(jīng)構(gòu)造以探測磁化率(susceptibility)的傳感器190來確定基板108的溫度。使用curie-weiss法則，可使用磁場變化以測量基板108中的溫度。磁化率與基板的溫度反向成比例，經(jīng)由該基板的溫度來測量磁場。因此，在基板108處測量磁場指示測量的溫度。

在一個實施方式中，傳送器191可為置于基板下方的磁鐵的形式。在一個實施方式中，接收器192可為傳感器的形式，該傳感器用于使用傳送器191所提供的場來測量基板108的磁化率?？稍诜瓷淦髌桨逯谢蛳路椒胖么盆F(即，傳送器191)且相對于基板的磁場磁鐵被控制及隔絕?；?08磁場中的改變可表示為使用curie’s法則的溫度函數(shù)，即，χ＝m/h＝mμ0/b＝c/t。其中χ為在基板108上施加磁場感應(yīng)的磁化率；m為每單位容積的磁矩，h為宏觀的磁場，μ0為自由空間的磁導(dǎo)率；b為磁場；c為材料特定的curie常數(shù)；而t為(基板)溫度。

熱傳感器190針對不同溫度范圍及操作條件可具有不同實施方式。在一個實施方式中，熱傳感器190可經(jīng)構(gòu)造針對一般用途且可操作熱傳感器190于約250攝氏度(500華氏度)及約2500攝氏度(4500華氏度)之間的溫度。一般用途的熱傳感器可包括操作于約0.65μm波長(或約0.7μm及約1.1μm之間；或約0.9μm及約1.9μm之間)的窄頻帶輻射溫度計。一般用途熱傳感器可具有固態(tài)光電探測器、約0.9mm直徑的光學(xué)分辨率、及約250：1的距離率(d-ratio)，固態(tài)探測器除其它之外，例如si或ge。

在另一實施方式中，熱傳感器190可為具有兩色率的高溫計的高精確度熱傳感器。該兩色代表使用于熱測量的兩個分離的波長?？捎诩s650攝氏度(1200華氏度)及約2500攝氏度(4500華氏度)之間的溫度使用高精確度熱傳感器。高精確度熱傳感器可使用針對約0.8μm及約0.9μm的兩色頻帶來操作。有利地，高精確度熱傳感器獨立于發(fā)射率、波動和/或視野路徑擾動，且針對移動目標(biāo)自動補償。

而在另一實施方式中，熱傳感器190可為可程序化的/高性能的熱傳感器?？捎诩s100攝氏度(212華氏度)及約2500攝氏度(4500華氏度)之間的溫度使用可程序化的/高性能的熱傳感器?？沙绦蚧?高性能的溫度計可具有內(nèi)建信號調(diào)節(jié)及數(shù)字計算、在約2μm及約20μm之間的寬或窄帶的頻帶選擇、雙向界面、例如最大/最小/差分/維持的多個可程序化功能、針對不同材料成分的可程序化大氣溫度、及透鏡視野的選擇，例如led或激光器。

而在另一實施方式中，熱傳感器190可為高溫一般用途熱傳感器?？捎诩s250攝氏度(500華氏度)及約2500攝氏度(4500華氏度)之間的溫度使用高溫一般用途熱傳感器。高溫一般用途熱傳感器可操作于窄頻帶，例如約0.65μm，或約0.7-1.1μm、或約0.9-1.9μm。高溫一般用途熱傳感器可具有諸如si或ge之類的固態(tài)光電探測器、約0.9mm直徑的光學(xué)分辨率、及約250：1的距離率。

而在另一實施方式中，熱傳感器190可為高穩(wěn)定度熱傳感器?？稍诩s300攝氏度(600華氏度)及約2500攝氏度(4500華氏度)之間的溫度針對復(fù)雜的應(yīng)用操作高穩(wěn)定度熱傳感器。高穩(wěn)定度熱傳感器可由一個或更多個窄頻帶輻射溫度計組成。例如，高穩(wěn)定度熱傳感器在選擇的頻帶外可在約3.9μm的頻帶中針對玻璃和/或經(jīng)由熱氣體操作、在約5.0μm的頻帶中針對玻璃表面操作、在約4.2μm及約5.3μm之間的頻帶中針對內(nèi)燃?xì)怏w操作。高穩(wěn)定度熱傳感器可具有熱電探測器、截波穩(wěn)定化、且具有適用于1mm目標(biāo)為100：1距離率的光學(xué)分辨率。高穩(wěn)定度熱感應(yīng)器具有約30msec的反應(yīng)時間且可具有約4ma至約20ma的模擬輸出。

而在另一實施方式中，熱傳感器190可為高速、兩色率熱傳感器?？稍诩s150攝氏度(300華氏度)及約2500攝氏度(4500華氏度)之間的溫度操作高速、兩色率熱傳感器。高速、兩色率溫度計可具有窄頻帶，例如約0.8μm及約2.1μm之間的第一帶及約0.9μm及約2.4μm之間的第二帶。高速、兩色率熱傳感器可額外地具有內(nèi)部震動檢查。有利地，高速、兩色率熱傳感器大幅獨立于發(fā)射率、波動和/或視野路徑擾動，且針對移動目標(biāo)自動補償。

盡管前述針對本發(fā)明的實施方式，在不脫離本發(fā)明的基本范圍的情況下可設(shè)計本發(fā)明其它的及進(jìn)一步的實施方式。