本發(fā)明涉及一種X光管熒光儀，尤其涉及一種二次靶結(jié)構(gòu)的投射式X光管熒光儀，其屬于測(cè)控技術(shù)領(lǐng)域。

背景技術(shù)：

在使用X光管作為激發(fā)光源對(duì)樣品進(jìn)行多元素同時(shí)定量定性分析時(shí)，目前國(guó)內(nèi)和國(guó)際均用單靶輸出作為光源，測(cè)量不同元素并達(dá)到一定的分析靈敏度需要不同的X光管進(jìn)行分析。

現(xiàn)有技術(shù)使用側(cè)靶作為激發(fā)源(如Mo靶)對(duì)重元素如Mo、Tc、Rh、Pd、Ag、Cd、In、Sn、Sb、Te等無(wú)法激發(fā)其K線系，而對(duì)其L線系激發(fā)效率又很低，而且又有從S到V的常量元素的干擾，使其探測(cè)靈敏度較低。使用端窗靶則利用軔致輻射連續(xù)射線其譜形中本底必然很大，探測(cè)靈敏度必然不高，例如現(xiàn)在國(guó)內(nèi)一些廠家的儀器，使用很高的激發(fā)電壓，相當(dāng)長(zhǎng)的測(cè)量時(shí)間，而效果并不理想。例如探測(cè)環(huán)境樣品中重金屬污染元素Cd、Sn、Sb，對(duì)糧食作物中污染元素，例如大米中Cd的測(cè)量，用常規(guī)小型臺(tái)式X射線熒光儀在探測(cè)靈敏度上就很難測(cè)量。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)中存在的不足，提供一種二次靶結(jié)構(gòu)的投射式X光管熒光儀。

本發(fā)明解決上述技術(shù)問題的技術(shù)方案如下：

一種二次靶結(jié)構(gòu)的投射式X光管熒光儀，包括探測(cè)器和可發(fā)射X射線的、端部設(shè)有鈹窗的X光管，在鈹窗內(nèi)側(cè)設(shè)有一次靶、外側(cè)設(shè)有樣品臺(tái)和兩個(gè)以上的二次靶，所述二次靶采用Te靶，所述X射線經(jīng)過二次靶激發(fā)后投射到樣品臺(tái) 上；在樣品臺(tái)與一次靶的間隙處設(shè)有光欄。

在上述技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，本發(fā)明還可以做如下改進(jìn)。

進(jìn)一步，所述鈹窗的外側(cè)設(shè)有兩個(gè)分別為二次靶A和二次靶B的二次靶，所述二次靶A與一次靶平行設(shè)置，所述二次靶B和樣品臺(tái)與二次靶A圍成三角形結(jié)構(gòu)、且使得X射線透過二次靶A照射到二次靶B上并可以反射到樣品托上；所述一次靶和二次靶的靶厚均≤50μm、至鈹窗距離均≤5mm。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果是：利用軔致輻射和適當(dāng)?shù)亩伟胁暮徒Y(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)；透射靶管加二次靶技術(shù)的激發(fā)系統(tǒng)，電流≤5Ma,電壓≤50Kv，為提高X射線探測(cè)器靈敏度，大幅減小光管散射和軔致輻射對(duì)譜本底的貢獻(xiàn)。

附圖說明

圖1為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖。

在圖中，1、X光管；2、X射線；3、一次靶；4、二次靶A；5、二次靶B；6、樣品臺(tái)；7、光欄；8、探測(cè)器；9、鈹窗。

具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的原理和特征進(jìn)行描述，所舉實(shí)例只用于解釋本發(fā)明，并非用于限定本發(fā)明的范圍。

一種二次靶結(jié)構(gòu)的投射式X光管熒光儀，包括探測(cè)器8和可發(fā)射X射線2的、端部設(shè)有鈹窗9的X光管1，在鈹窗9內(nèi)側(cè)設(shè)有一次靶3、外側(cè)設(shè)有樣品臺(tái)6和兩個(gè)以上的二次靶，所述二次靶采用Te靶，所述X射線2經(jīng)過二次靶激發(fā)后投射到樣品臺(tái)6上；在樣品臺(tái)6與一次靶3的間隙處設(shè)有光欄7。

本發(fā)明在制作時(shí)，所述鈹窗9的外側(cè)設(shè)有兩個(gè)分別為二次靶A4和二次靶B5的二次靶，所述二次靶A4與一次靶3平行設(shè)置，所述二次靶B5和樣品臺(tái)6與二次靶A4圍成三角形結(jié)構(gòu)、且使得X射線2透過二次靶A4照射到二次靶B5上并可以反射到樣品臺(tái)6上。

所述一次靶3和二次靶的靶厚≤50μm、離鈹窗距離≤5mm。

本發(fā)明的根據(jù)探測(cè)需求配不同元素的二次靶，但并不限于雙二次靶。

在常規(guī)X熒光分析中增大樣品中元素特征峰與本底的比值對(duì)重元素測(cè)量即利用軔致輻射的激發(fā)，又利用光電截面與相干散射和非相干散射有一二個(gè)量級(jí)的差別提高探測(cè)靈敏度，又使初級(jí)軔致輻射不進(jìn)入探測(cè)器系統(tǒng)形成本底干擾，有效提高探測(cè)靈敏度又比用晶體衍射單色化或多層膜單色化簡(jiǎn)單造價(jià)低廉。二次靶材更換方便。因此對(duì)測(cè)量K線系能量較高的元素有利，如Te、Sn、Sb、Cd、Ag、Rh、Pd等。

實(shí)施例針對(duì)大米中Cd元素的測(cè)量：

一次靶選用Ta，利用韌致輻射電子激發(fā)出X射線，并穿過鈹窗射到二次靶。二次靶選用Te，其X射線非電子激發(fā)出二次靶的特征X射線，打到樣品托上的樣品大米上，從而激發(fā)出樣品大米中的特征X射線，達(dá)到高靈敏度測(cè)量大米中Cd的目的。

以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。