本發(fā)明涉及壓力測試技術(shù)領(lǐng)域，更為具體來說，本發(fā)明涉及一種壓力傳感裝置。

背景技術(shù)：

準確、可靠的壓力測量對許多行業(yè)是很重要的，不僅包括流化過程。而且涉及保健、農(nóng)業(yè)、運輸及其他領(lǐng)域，在科學(xué)流體力學(xué)，工程學(xué)，精確的壓力傳感器對基礎(chǔ)科學(xué)研究也是關(guān)鍵。

現(xiàn)有的壓力傳感器檢測的敏感度比較低，體積也比較大，并且成本也比較高，其外操作需要對溫度極限、振動及其他環(huán)境影響相對不敏感、并且與應(yīng)力、應(yīng)變和疲勞度及其表征現(xiàn)有技術(shù)的其他的力學(xué)限制相對無關(guān)的技術(shù)。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種壓力傳感裝置，利用該方法能夠解決目前的敏感度比較低，體積也比較大，并且成本也比較高問題。為解決上述問題，本發(fā)明提出一種壓力傳感裝置，該裝置包括如下：

硅晶片；

多孔電介質(zhì)隔膜；

所述硅晶片與所述的多孔電介質(zhì)隔膜相貼近；

壓力室，與所述的硅晶片底部相對，并且與多孔電介質(zhì)隔膜的頂部相連接；

電容器電極，其設(shè)置在所述的硅晶片底部，用于信號產(chǎn)生。

進一步，所述硅晶片底部中，其還包括硅晶片底部的橢圓形的橫截面端口。

有益效果：使用橫截面的設(shè)計端口，有利于在壓力的傳達效果時更精確。

進一步，所述電容器電極是對包括所述硅晶片底部的橢圓形的橫截面端口的腔進行限定的層。

進一步，所述的腔被配置成相對于大氣的真空下被密封，所述的多孔電介質(zhì)隔膜被暴露于所述的大氣中。

有益效果：這樣暴露在大氣中，能夠增加裝置對壓力的敏感度。

進一步，所述的額電容電極由單晶圓組成。

進一步，所述多孔電介質(zhì)隔膜，還包括：多孔超薄隔膜、多孔聚合物膜或多孔熔凝硅石隔膜中的一個或兩個以上。

進一步，所述多孔電介質(zhì)隔膜，其還包括：碳納米管的多孔薄膜、碳納米纖維的多孔薄膜或多孔碳納米管墊中的一個或兩個以上。

有益效果：體積比較小，傳感器的敏感度比較高，成本較低。

附圖說明

圖1為本發(fā)明的一種壓力傳感裝置的剖面圖。

1、多孔電介質(zhì)隔膜，2、壓力室，3、電容器電極

具體實施方式

以下結(jié)合附圖對本發(fā)明的原理和特征進行描述，所舉實例只用于解釋本發(fā)明，并非用于限定本發(fā)明的范圍。

如圖1中所示，一種壓力傳感裝置，其裝置包括如下：

硅晶片；

多孔電介質(zhì)隔膜1；

所述硅晶片與所述的多孔電介質(zhì)隔膜相貼近；

壓力室2，與所述的硅晶片底部相對，并且與多孔電介質(zhì)隔膜的頂部相連接；

電容器電極3，其設(shè)置在所述的硅晶片底部，用于信號產(chǎn)生。

所述硅晶片底部中，其還包括硅晶片底部的橢圓形的橫截面端口。

所述電容器電極是對包括所述硅晶片底部的橢圓形的橫截面端口的腔進行限定的層。

所述的腔被配置成相對于大氣的真空下被密封，所述的多孔電介質(zhì)隔膜被暴露于所述的大氣中。

所述的額電容電極由單晶圓組成。

所述多孔電介質(zhì)隔膜，還包括：多孔超薄隔膜、多孔聚合物膜或多孔熔凝硅石隔膜中的一個或兩個以上。

所述多孔電介質(zhì)隔膜，其還包括：碳納米管的多孔薄膜、碳納米纖維的多孔薄膜或多孔碳納米管墊中的一個或兩個以上。

實施例：在一個示例中，硅晶片或者晶圓或者晶圓組件包括多孔電介質(zhì)隔膜1，該晶片具有：硅晶片底部；以及底部硅晶片端口，其從硅晶片底部延伸至振動隔膜的底部。在一個示例中，底部晶片端口的橫截面為橢圓形。在一個示例中，電容器電極被設(shè)置為沿著硅晶片底部橫跨晶片底部端口，在一個示例中，腔被設(shè)置成在相對于大氣的真空下被密封，振動隔膜被暴露于該大氣中。在一個示例中，密封是氣密的。

在本說明書中，對上述術(shù)語的示意性表述不必須針對的是相同的實施例或示例。而且，描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點可以在任一個或多個實施例或示例中以合適的方式結(jié)合。此外，在不相互矛盾的情況下，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以將本說明書中描述的不同實施例或示例以及不同實施例或示例的特征進行結(jié)合和組合。

盡管上面已經(jīng)示出和描述了本發(fā)明的實施例，可以理解的是，上述實施例是示例性的，不能理解為對本發(fā)明的限制，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員在本發(fā)明的范圍內(nèi)可以對上述實施例進行變化、修改、替換和變型。