1.一種超級(jí)結(jié)溝槽底部定點(diǎn)分析方法，其特征在于，包括：
1)在樣品需要分析位置制作定點(diǎn)標(biāo)記；
2)在樣品側(cè)面研磨樣品，直至側(cè)面研磨部位剩余樣品距離所述定點(diǎn)標(biāo)記達(dá)到第一預(yù)設(shè)距離；
3)以第一預(yù)設(shè)角度傾斜地正面研磨樣品，直至研磨部位剩余樣品寬度達(dá)到第一預(yù)設(shè)研磨寬度；
4)使用聚焦離子束對(duì)樣品表面距離溝槽底部小于第二預(yù)設(shè)距離的標(biāo)記位置進(jìn)行表面定點(diǎn)分析。
2.如權(quán)利要求1所述超級(jí)結(jié)溝槽底部定點(diǎn)分析方法，其特征在于：實(shí)施步驟1)時(shí)，采用激光制作標(biāo)記。
3.如權(quán)利要求1所述超級(jí)結(jié)溝槽底部定點(diǎn)分析方法，其特征在于：實(shí)施步驟1)時(shí)，制作標(biāo)記大于等于4個(gè)。
4.如權(quán)利要求3所述超級(jí)結(jié)溝槽底部定點(diǎn)分析方法，其特征在于：實(shí)施步驟1)時(shí)，各標(biāo)記間隔距離相等。
5.如權(quán)利要求4所述超級(jí)結(jié)溝槽底部定點(diǎn)分析方法，其特征在于：實(shí)施步驟1)時(shí)，各標(biāo)記間隔距離為10微米-20微米。
6.如權(quán)利要求1所述超級(jí)結(jié)溝槽底部定點(diǎn)分析方法，其特征在于：所述第一預(yù)設(shè)距離為0.1微米-0.5微米。
7.如權(quán)利要求1所述超級(jí)結(jié)溝槽底部定點(diǎn)分析方法，其特征在于：所述第二預(yù)設(shè)距離為15微米。
8.如權(quán)利要求1任意一項(xiàng)所述超級(jí)結(jié)溝槽底部定點(diǎn)分析方法，其特征在于：所述第一預(yù)設(shè)角度為：17″＜a＜5°。
9.如權(quán)利要求1所述超級(jí)結(jié)溝槽底部定點(diǎn)分析方法，其特征在于：實(shí)施步驟3)時(shí)，通過光學(xué)顯微鏡、掃描電子顯微鏡或聚焦離子束實(shí)時(shí)檢測(cè)正面研磨的寬度同時(shí)進(jìn)行補(bǔ)充制作定點(diǎn)標(biāo)記。
10.如權(quán)利要求9所述超級(jí)結(jié)溝槽底部定點(diǎn)分析方法，其特征在于：至少進(jìn)行二次補(bǔ)充制作定點(diǎn)標(biāo)記。
11.如權(quán)利要求1-10任意一項(xiàng)所述超級(jí)結(jié)溝槽底部定點(diǎn)分析方法，其特征在于：所述第一預(yù)設(shè)研磨寬度通過下述公式計(jì)算獲得；
X＝tan(a)×Y；X為研磨深度，a為第一預(yù)設(shè)角度，Y為表面研磨寬度。