1.一種研究膜-基體復(fù)合結(jié)構(gòu)力學(xué)性質(zhì)的方法，其特征在于，包括以下步驟：
陽(yáng)極化處理，在基材表面原位、實(shí)時(shí)生長(zhǎng)氧化膜；
壓痕處理，中止極化并對(duì)所述氧化膜進(jìn)行壓痕處理；
其中，所述陽(yáng)極化處理步驟和所述壓痕處理步驟交替進(jìn)行N次，N≥2，測(cè)試不同厚度比條件下的膜-基體復(fù)合結(jié)構(gòu)的力學(xué)參數(shù)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種研究膜-基體復(fù)合結(jié)構(gòu)力學(xué)性質(zhì)的方法，其特征在于，第一次所述陽(yáng)極化處理步驟前，還包括對(duì)基材鍍膜面進(jìn)行表面預(yù)處理的步驟；所述預(yù)處理步驟包括清洗和/或拋光。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種研究膜-基體復(fù)合結(jié)構(gòu)力學(xué)性質(zhì)的方法，其特征在于，不同次所述壓痕處理步驟中，壓痕位置不同、壓痕深度相同。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的一種研究膜-基體復(fù)合結(jié)構(gòu)力學(xué)性質(zhì)的方法，其特征在于，每個(gè)所述壓痕位置間距為10μm～100μm。
5.一種測(cè)試膜-基體復(fù)合結(jié)構(gòu)力學(xué)性質(zhì)的系統(tǒng)，其特征在于，包括電化學(xué)組件，以及設(shè)置在所述電化學(xué)組件垂直上方的納米壓痕組件；所述納米壓痕組件用于對(duì)所述電化學(xué)組件中實(shí)時(shí)生長(zhǎng)的薄膜進(jìn)行壓痕測(cè)試。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的測(cè)試膜-基體復(fù)合結(jié)構(gòu)力學(xué)性質(zhì)的系統(tǒng)，其特征在于，所述電化學(xué)組件包括電解液槽、設(shè)置在槽體底部的負(fù)電極、以及設(shè)置在槽體中的正電極，所述負(fù)電極連接至電源的負(fù)極、所述正電極連接至所述電源的正極。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的測(cè)試膜-基體復(fù)合結(jié)構(gòu)力學(xué)性質(zhì)的系統(tǒng)，其特征在于，待鍍膜基材直接疊置在所述正電極上，且待鍍膜表面靠近所述槽體開口表面，并與之平行；所述待鍍膜表面在電解液中的深度為3mm～8mm。
8.根據(jù)權(quán)利要求5-7任一項(xiàng)所述的測(cè)試膜-基體復(fù)合結(jié)構(gòu)力學(xué)性質(zhì)的系統(tǒng)，其特征在于，所述納米壓痕組件包括壓頭以及與之連接的壓頭傳感器。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的測(cè)試膜-基體復(fù)合結(jié)構(gòu)力學(xué)性質(zhì)的系統(tǒng)，其特征在于，所述納米壓痕組件還包括用于控制壓痕深度的壓頭位移控制模塊。
10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的測(cè)試膜-基體復(fù)合結(jié)構(gòu)力學(xué)性質(zhì)的系統(tǒng)，其特征在于，所述壓頭為Berkvich壓頭。