技術特征：

1.低壓檢測電路，所述低壓檢測電路連接輸入電壓的輸入電壓端以及接地端，其特征在于，在輸入電壓端以及接地端之間，還設有：

分壓電阻陣列、開關K、電平比較器電路和輸出電路；

在所述分壓電阻陣列中設有依次連接的電阻R1、R2、R3，在所述電平比較器電路中設有PMOS管PM1、PM2以及PM3，NPN三極管Q1和Q2，電阻R4、R5、R6、R8，NMOS管NM1，在所述輸出電路中設有PMOS管PM4和電阻R7；

其中，在所述電平比較器電路中，PM1與PM2的柵極相連，PM1的漏極與Q1的集電極相連，PM2的漏極與Q2的集電極相連，Q1的發(fā)射極與接地端之間設有R8，Q2的發(fā)射極與R8之間設有R5，PM3的柵極與PM2的漏極相連，PM3的漏極經由R6與NM1的源極連接，NM1的漏極與接地端連接，NM1的柵極與Q1、Q2的基極連接；

開關K的兩端分別與R1的兩端相連，PM3的漏極與開關K的一端連接，在PM4與R7之間設有電壓輸出端。

2.根據權利要求1所述的低壓檢測電路，其特征在于，所述PM1與所述PM2的參數完全相同，二者構成電流鏡。

3.根據權利要求1所述的低壓檢測電路，其特征在于，所述MOS管PM1的溝道寬度與溝道長度的比值為W/L(PM1)，所述MOS管PM2的溝道寬度與溝道長度的比值為W/L(PM2)，

$\frac{W/L\left(PM1\right)}{W/L\left(PM2\right)}=m.$

4.根據權利要求3所述的低壓檢測電路，其特征在于，當所述輸入電壓從零升高至三極管導通電壓之前，流經所述三極管Q1的飽和電流為Is(Q1)，流經所述三極管Q2的飽和電流為Is(Q2)，Is(Q1)＝Is(Q2)。

5.根據權利要求4所述的低壓檢測電路，其特征在于，當所述電壓繼續(xù)升高時，流經所述三極管Q1集電極的電流為Ic(Q1)，流經所述三極管Q2的飽和電流為Ic(Q2)，Ic(Q1)＝mIc(Q2)。

6.根據權利要求1所述的低壓檢測電路，其特征在于，在所述電平比較器中，在輸入電壓端以及接地端之間，還設有：

分壓電阻陣列、開關K、電平比較器電路和輸出電路；

在所述分壓電阻陣列中設有依次連接的電阻R9、R10、R11，在所述電平比較器電路中設有PMOS管PM5、PM6以及PM7，NPN三極管Q1和Q2，電阻R12、R13、R14，NMOS管NM2，在所述輸出電路中設有PMOS管PM8和電阻R15；

其中，在所述電平比較器電路中，PM5與PM6的柵極相連，PM5的漏極與Q1的集電極相連，PM6的漏極與Q2的集電極相連，Q1的發(fā)射極與接地端相連，Q2的發(fā)射極與接地端之間設有R14，PM7的柵極與PM6的漏極相連，PM7的漏極經由R13與NM2的源極連接，NM2的漏極與接地端連接，NM2的柵極與Q1、Q2的基極連接；

開關K的兩端分別與R9的兩端相連，PM7的漏極與開關K的一端連接，在PM8與R15之間設有電壓輸出端。

7.根據權利要求6所述的低壓檢測電路，其特征在于，所述PM5與所述PM6的參數完全相同，二者構成電流鏡。