本實(shí)用新型屬于醫(yī)療器械設(shè)備領(lǐng)域，具體涉及一種抗震型閃爍晶體陣列。

背景技術(shù)：

輻射探測(cè)器的種類(lèi)廣泛，這些探測(cè)器可以測(cè)量輻射射線和它們的性質(zhì)，常用的有電離室、計(jì)數(shù)管和閃爍計(jì)數(shù)器、原子核乳膠、固體核徑跡探測(cè)器和半導(dǎo)體探測(cè)器等。其原理主要是利用輻射線與物質(zhì)相互作用時(shí)所產(chǎn)生的多種效應(yīng)。如應(yīng)用帶電粒子與物質(zhì)作用產(chǎn)生電離的原理制作的電離室、計(jì)數(shù)管，以及α徑跡探測(cè)器等；利用其熒光作用做成的閃爍計(jì)數(shù)器；利用電離和激發(fā)所引起的化學(xué)反應(yīng)過(guò)程制作原子核乳膠，固體核徑跡探測(cè)器等。其中閃爍計(jì)數(shù)器分辨時(shí)間短、效率高，還可根據(jù)電信號(hào)的大小測(cè)定粒子的能量，其應(yīng)用過(guò)程中多數(shù)使用閃爍晶體陣列作為能量接收端,受到能量激發(fā)的閃爍晶體放出熒光,由光電倍增管(PMT)將光信號(hào)轉(zhuǎn)換成可測(cè)量的電子信號(hào)后輸出。

通常情況下，閃爍晶體陣列作為接收端安裝在輻射探測(cè)器上必須直接將陣列的出光面接觸光電倍增管，且陣列是由加工過(guò)的閃爍晶體組裝而成，本身并不具備良好的物理強(qiáng)度，安裝或使用輻射探測(cè)設(shè)備的過(guò)程不可避免的造成陣列隨之震動(dòng)，受到應(yīng)力容易使陣列散開(kāi)或晶條破損，但現(xiàn)有閃爍晶體陣列只有在外側(cè)包覆一層鋁箔膠帶，作為保護(hù)層并無(wú)法阻隔晃動(dòng)、震動(dòng)等外力帶給陣列的影響，若陣列受到外力影響導(dǎo)致結(jié)構(gòu)松散將產(chǎn)生漏光的現(xiàn)象，破壞閃爍晶體陣列的收光與成像效果，進(jìn)而影響輻射探測(cè)器的功能。

如何設(shè)計(jì)一種抗震型閃爍晶體陣列，是現(xiàn)有技術(shù)急需解決的技術(shù)難題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為了解決閃爍晶體陣列因受到外力影響導(dǎo)致結(jié)構(gòu)松散或晶體受損的問(wèn)題，避免陣列產(chǎn)生漏光、收光與成像效果不佳的問(wèn)題，進(jìn)而影響輻射探測(cè)器的功能，本實(shí)用新型提供一種具有更好保護(hù)效果，不會(huì)受損或漏光的耐抗震閃爍晶體陣列。

本實(shí)用新型解決其技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案如下：一種耐抗震閃爍晶體陣列，它包括閃爍晶體陣列與保護(hù)層，所述保護(hù)層位于閃爍晶體陣列四周及底面，保留閃爍晶體陣列一端面作為出光面；所述保護(hù)層包括抗震層、雙面鋁箔膠帶，單面鋁箔膠帶，其中抗震層位于保護(hù)層的中間，抗震層兩側(cè)為單面鋁箔膠帶及雙面鋁箔膠帶，雙面鋁箔膠帶位于抗震層與閃爍晶體陣列之間。

所述保護(hù)層為由所接觸的閃爍晶體陣列的面大小相同，形狀一致的片狀結(jié)構(gòu)組合而成。

所述閃爍晶體的端面是指由所有閃爍晶體晶條端面組成的面。側(cè)面是指由最外層閃爍晶體晶條側(cè)面組成的面。

所述抗震層材料選自EPE珍珠棉、硅膠、橡膠、高分子塑料中的任意一種。

所述閃爍晶體陣列包括閃爍晶體晶條、高反射率反射層、高反射率外圍層，所述閃爍晶體晶條為1條以上，所述高反射率反射層位于閃爍晶體晶條與閃爍晶體晶條之間；所述高反射率反射層包括反射膜、光學(xué)UV膠層和涂膠接合處，其中，涂膠結(jié)合處位于反射膜兩側(cè)的上段1/10-4/9及下段1/10-4/9位置，兩區(qū)域共占反射膜總面積的20-50％，光學(xué)UV膠層均勻分布在涂膠接合處上；所述高反射率外圍層位于閃爍晶體晶條和高反射率反射層形成的陣列除出光面的5個(gè)面外表面，與陣列貼合固定。

更進(jìn)一步的，涂膠結(jié)合處中心位于反射膜兩側(cè)的上段1/3及下段1/3位置，兩區(qū)域共占反射膜總面積的25-35％，光學(xué)UV膠層均勻分布在涂膠接合處上。

做為本實(shí)用新型的更優(yōu)選技術(shù)方案，涂膠結(jié)合處中心位于反射膜兩側(cè)的上段1/3及下段1/3位置，兩區(qū)域共占反射膜總面積的30％。

做為本實(shí)用新型的優(yōu)選技術(shù)方案，位于反射膜兩側(cè)的涂膠結(jié)合處位置相對(duì)，大小相同。

所述閃爍晶體晶條為N×M條，N≥2，M≥2，組合成陣列，大多情況下，N＝M。

本實(shí)用新型的有益效果在于：

1.本實(shí)用新型閃爍晶體陣列外的包覆材料具有更佳的保護(hù)效果，不易因外力因素產(chǎn)生陣列散開(kāi)的問(wèn)題。

2.本實(shí)用新型本技術(shù)使閃爍晶體陣列不易產(chǎn)生漏光問(wèn)題，提高陣列運(yùn)作時(shí)的穩(wěn)定性。

3.本實(shí)用新型減少光學(xué)UV膠層量和控制光學(xué)UV膠層分布位置可以減少放光損耗，在相同晶體材料、光學(xué)UV膠的條件下能提高31％的光輸出。

4.本實(shí)用新型適當(dāng)減少光學(xué)UV膠的使用量和控制其位置，并使其達(dá)到最佳的平衡，避免UV膠在組裝過(guò)程中殘留于陣列表面，減低組裝過(guò)程中的難度。

附圖說(shuō)明

圖1是實(shí)施例耐抗震閃爍晶體陣列未組裝情況俯視圖；

圖2是實(shí)施例1保護(hù)層的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是實(shí)施例1的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4是實(shí)施例1部分剖開(kāi)結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5是實(shí)施例2的閃爍晶體晶條和高反射率反射層的拆分結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面參照附圖1-5詳細(xì)描述本實(shí)用新型的實(shí)施方式。

實(shí)施例1：

參見(jiàn)圖1-4一種耐抗震閃爍晶體陣列，它包括閃爍晶體陣列1與保護(hù)層2，所述保護(hù)層2位于閃爍晶體陣列1四周及底面，保留閃爍晶體陣列端面8作為出光面；所述保護(hù)層包括抗震層10、雙面鋁箔膠帶9，單面鋁箔膠帶11，其中抗震層10位于保護(hù)層2的中間，抗震層10兩側(cè)為單面鋁箔膠帶11及雙面鋁箔膠帶9，雙面鋁箔膠帶9位于抗震層10與閃爍晶體陣列1之間。

所述抗震層10材料選自EPE珍珠棉、硅膠、橡膠、高分子塑料中的任意一種。

實(shí)施例2：

參見(jiàn)圖5，基于實(shí)施例1的技術(shù)進(jìn)行進(jìn)一步說(shuō)明：閃爍晶體陣列1包括閃爍晶體晶條3、高反射率反射層4、高反射率外圍層12，所述閃爍晶體晶條為25條，形成5×5的陣列1，還包括保護(hù)層2位于陣列1外，包裹陣列1的5個(gè)面，未被包裹的陣列1的面為由閃爍晶體晶條端面組成的陣列端面8。

所述高反射率反射層4位于閃爍晶體晶條3與晶條之間；所述高反射率反射層4包括反射膜5、光學(xué)UV膠層6和涂膠接合處7，其中，參見(jiàn)圖3本實(shí)施例抗震型閃爍晶體陣列結(jié)構(gòu)示意圖：涂膠結(jié)合處7中心位于反射膜5兩側(cè)的上段1/3及下段1/3位置，兩區(qū)域共占反射膜總面積的30％，光學(xué)UV膠層6均勻分布在涂膠接合處7上。位于反射膜5兩側(cè)的涂膠結(jié)合處7位置相對(duì)，大小相同；所述高反射率外圍層12位于閃爍晶體晶條和高反射率反射層形成的陣列的除出光面外表面的5個(gè)面上，與陣列貼合固定。

當(dāng)然，以上所述是本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本實(shí)用新型原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和潤(rùn)飾，這些改進(jìn)和潤(rùn)飾也視為本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。