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抗震型閃爍晶體陣列的制作方法

文檔序號:12800539閱讀:來源:國知局

技術(shù)特征:

1.一種抗震型閃爍晶體陣列,其特征在于:它包括閃爍晶體陣列與保護(hù)層,所述保護(hù)層位于閃爍晶體陣列四周及底面,保留閃爍晶體陣列一端面作為出光面;所述保護(hù)層包括抗震層、雙面鋁箔膠帶,單面鋁箔膠帶,其中抗震層位于保護(hù)層的中間,抗震層兩側(cè)為單面鋁箔膠帶及雙面鋁箔膠帶,雙面鋁箔膠帶位于抗震層與閃爍晶體陣列之間。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的抗震型閃爍晶體陣列,其特征在于:所述保護(hù)層為由所接觸的閃爍晶體陣列的面大小相同,形狀一致的片狀結(jié)構(gòu)組合而成。

3.根據(jù)權(quán)利要求1-2任一所述的抗震型閃爍晶體陣列,其特征在于:所述閃爍晶體陣列包括閃爍晶體晶條、高反射率反射層、高反射率外圍層,所述閃爍晶體晶條為1條以上,所述高反射率反射層位于閃爍晶體晶條與閃爍晶體晶條之間;所述高反射率反射層包括反射膜、光學(xué)UV膠層和涂膠接合處,其中,涂膠結(jié)合處位于反射膜兩側(cè)的上段1/10-4/9及下段1/10-4/9位置,兩區(qū)域共占反射膜總面積的20-50%,光學(xué)UV膠層均勻分布在涂膠接合處上;所述高反射率外圍層位于閃爍晶體晶條和高反射率反射層形成的陣列除出光面的5個面外表面,與陣列貼合固定。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的抗震型閃爍晶體陣列,其特征在于:涂膠結(jié)合處中心位于反射膜兩側(cè)的上段1/3及下段1/3位置,兩區(qū)域共占反射膜總面積的25-35%,光學(xué)UV膠層均勻分布在涂膠接合處上。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的抗震型閃爍晶體陣列,其特征在于:涂膠結(jié)合處中心位于反射膜兩側(cè)的上段1/3及下段1/3位置,兩區(qū)域共占反射膜總面積的30%。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的抗震型閃爍晶體陣列,其特征在于:位于反射膜兩側(cè)的涂膠結(jié)合處位置相對,大小相同。

7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的抗震型閃爍晶體陣列,其特征在于:所述閃爍晶體晶條為N×M條,N≥2,M≥2,組合成陣列。

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