技術(shù)特征：

1.一種納米多孔薄膜閉孔孔隙率的測量方法，其特征在于，包括以下步驟：

a、將尺寸為1cm×1cm的待測薄膜安裝在樣品架上；

b、設(shè)置入射正電子的能量范圍，采集所述待測薄膜在不同入射正電子能量下的湮沒輻射能量譜；

c、選擇所述湮沒輻射能量譜中511keVγ衍射峰的中央?yún)^(qū)域?qū)挾群蛢梢韰^(qū)域?qū)挾龋⒏鶕?jù)公式S＝A/SUM(1)和W＝B/SUM(2)，計算待測薄膜的線型參數(shù)S和W；

其中，S為中央?yún)^(qū)域湮沒計數(shù)A與峰總區(qū)域計數(shù)SUM之比，W為兩側(cè)區(qū)域湮沒計數(shù)B與峰總區(qū)域計數(shù)SUM之比，中間區(qū)域為511keV±|ΔE_γ|，|ΔE_γ|為0.76keV，兩側(cè)區(qū)域為1.44keV≤|ΔE_γ|≤4.81keV。

d、另取一片尺寸為1cm×1cm的待測薄膜安裝在樣品架上，重復步驟a-c，得到該待片測薄膜的S和W參數(shù)，再依次采集完該系列的所有待測薄膜的湮沒輻射能量譜，得到該系列的所有待測薄膜的S和W參數(shù)；

e、根據(jù)所述步驟d中得到的S和W參數(shù)值，作出該系列的待測薄膜的S-W曲線，判斷其是否為相同的閉孔結(jié)構(gòu)；

f、根據(jù)相同類型的閉孔薄膜之間的線性關(guān)系S∝V_p，V_p為閉孔孔隙率，由無孔薄膜的S參數(shù)，得到這一系列待測閉孔薄膜的孔隙率。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米多孔薄膜閉孔孔隙率的測量方法，其特征在于，所述待測薄膜是以0-25wt％的三嵌段共聚物F127作為致孔劑采用溶膠-凝膠法合成制得的一系列待測薄膜。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米多孔薄膜閉孔孔隙率的測量方法，其特征在于，所述步驟b中根據(jù)待測薄膜的厚度及α₊＝16ρ/E^1.43及來設(shè)置入射正電子的能量范圍；

其中，α₊為正電子的注入深度，ρ為待測材料的密度，E為入射正電子的最大能量。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米多孔薄膜閉孔孔隙率的測量方法，其特征在于：所述步驟b中采用帶高純Ge探頭基于慢正電子束的多普勒展寬譜儀采集待測薄膜在不同入射正電子能量下的湮沒輻射能量譜。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米多孔薄膜閉孔孔隙率的測量方法，其特征在于：所述步驟f中S和V_p均與I_3γ呈線性關(guān)系。