技術(shù)特征：

1.一種GaN發(fā)光二極管抗輻照能力無(wú)損篩選方法，其特征在于，包括：

獲取隨機(jī)子樣器件的輸出光功率P_out和1/f噪聲幅值B；

獲取經(jīng)過(guò)輻照實(shí)驗(yàn)后的所述隨機(jī)子樣器件的輸出光功率P_out′；

基于所述P_out和所述P_out′，計(jì)算退化量ΔP_out＝P_out′-P_out；

以所測(cè)量的1/f噪聲幅值B作為信息參數(shù)，以輸出光功率退化量ΔP_out作為輻照性能參數(shù)，采用線性回歸法建立B和ΔP_out之間的線性回歸方程并計(jì)算得到線性回歸方程中的ΔP_out和信息參數(shù)B的系數(shù)向量其中，X為信息參數(shù)B構(gòu)成的矩陣，是殘差，系數(shù)向量的展開(kāi)式為

建立信息參數(shù)B和輻照性能參數(shù)之間的無(wú)損篩選回歸預(yù)測(cè)方程：其中，ΔP_outk＝β₀+β₁B_k為測(cè)量值對(duì)應(yīng)的輸出光功率退化量的預(yù)測(cè)值，t(1-α/2，(n-2))是置信度為1-α的t分布，為殘差，為的轉(zhuǎn)置，X^T為X的轉(zhuǎn)置，為的轉(zhuǎn)置；

利用所述無(wú)損篩選回歸預(yù)測(cè)方程預(yù)測(cè)單個(gè)器件的抗輻照性能。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種GaN發(fā)光二極管抗輻照能力無(wú)損篩選方法，其特征在于，所述獲取隨機(jī)子樣器件的1/f噪聲幅值B包括：設(shè)置GaN發(fā)光二極管的輸入電流；

在GaN發(fā)光二極管的輸出端引出噪聲信號(hào)，并進(jìn)行低噪聲的前置放大；

將放大后的噪聲信號(hào)傳輸給數(shù)據(jù)采集卡；

通過(guò)計(jì)算機(jī)軟件計(jì)算并提取數(shù)據(jù)采集卡采集的數(shù)據(jù)，得到噪聲幅值。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種GaN發(fā)光二極管抗輻照能力無(wú)損篩選方法，其特征在于，所述利用所述無(wú)損篩選回歸預(yù)測(cè)方程預(yù)測(cè)單個(gè)器件的抗輻照性能，包括：

獲取待篩選器件在工作區(qū)某一電流值處的1/f噪聲幅值B；

將所測(cè)的1/f噪聲幅值B帶入回歸預(yù)測(cè)方程得到此GaN發(fā)光二極管的輸出光功率退化預(yù)測(cè)值；

確定所述器件的輸出光功率退化容限；

將所述預(yù)測(cè)值和所述輸出光功率退化容限進(jìn)行比較，如果此預(yù)測(cè)值在此類器件的輸出光功率退化容限之內(nèi)，則認(rèn)為此器件為合格產(chǎn)品；反之，如果得到的預(yù)測(cè)值落在此類器件的輸出光功率退化容限之外，則認(rèn)為此器件為不合格產(chǎn)品。

4.一種GaN發(fā)光二極管抗輻照能力無(wú)損篩選裝置，其特征在于，包括：

第一獲取單元，用于獲取隨機(jī)子樣器件的輸出光功率P_out和1/f噪聲幅值B；

第二獲取單元，用于獲取經(jīng)過(guò)輻照實(shí)驗(yàn)后的所述隨機(jī)子樣器件的輸出光功率P_out′；

計(jì)算單元，用于基于所述P_out和所述P_out′，計(jì)算退化量ΔP_out＝P_out′-P_out；線性回歸方程建立單元，用于以所測(cè)量的1/f噪聲幅值B作為信息參數(shù)，以輸出光功率退化量ΔP_out作為輻照性能參數(shù)，采用線性回歸法建立B和ΔP_out之間的線性回歸方程并計(jì)算得到線性回歸方程中的ΔP_out和信息參數(shù)B的系數(shù)向量其中，X為信息參數(shù)B構(gòu)成的矩陣，是殘差，系數(shù)向量的展開(kāi)式為

建立信息參數(shù)B和輻照性能參數(shù)之間的無(wú)損篩選回歸預(yù)測(cè)方程：其中，ΔP_outk＝β₀+β₁B_k為測(cè)量值對(duì)應(yīng)的輸出光功率退化量的預(yù)測(cè)值，t(1-α/2，(n-2))是置信度為1-α的t分布，為殘差，為的轉(zhuǎn)置，X^l為X的轉(zhuǎn)置，為的轉(zhuǎn)置；

預(yù)測(cè)單元，利用所述無(wú)損篩選回歸預(yù)測(cè)方程預(yù)測(cè)單個(gè)器件的抗輻照性能。