技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供了一種GaN發(fā)光二極管抗輻照能力無(wú)損篩選方法及裝置，所述方法包括：獲取隨機(jī)子樣器件的輸出光功率Pout和1/f噪聲幅值B；獲取經(jīng)過(guò)輻照實(shí)驗(yàn)后的所述隨機(jī)子樣器件的輸出光功率Pout′；基于所述Pout和所述Pout′，計(jì)算退化量ΔPout＝Pout′?Pout；以所測(cè)量的1/f噪聲幅值B作為信息參數(shù)，以輸出光功率退化量ΔPout作為輻照性能參數(shù)，采用線性回歸法建立B和ΔPout之間的線性回歸方程并計(jì)算得到線性回歸方程中的ΔPout和信息參數(shù)B的系數(shù)向量建立信息參數(shù)B和輻照性能參數(shù)之間的無(wú)損篩選回歸預(yù)測(cè)方程：利用所述無(wú)損篩選回歸預(yù)測(cè)方程預(yù)測(cè)單個(gè)器件的抗輻照性能。本發(fā)明能夠?qū)崿F(xiàn)在對(duì)元器件無(wú)損壞的前提下，進(jìn)行對(duì)GaN發(fā)光二極管元器件準(zhǔn)確、高效的篩選。

技術(shù)研發(fā)人員：石強(qiáng);李兆成
受保護(hù)的技術(shù)使用者：深圳市量為科技有限公司
文檔號(hào)碼：201710063101
技術(shù)研發(fā)日：2017.01.19
技術(shù)公布日：2017.06.13