1.一種二硫化鉬納米片電化學(xué)傳感器，包括玻碳電極基底、電極引線和絕緣層，其特征在于：所述的玻碳電極基底表面涂覆有硫脲修飾的二硫化鉬納米片，所述的硫脲修飾的二硫化鉬納米片與GE11多肽連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的二硫化鉬納米片電化學(xué)傳感器，其特征在于：所述的硫脲修飾的二硫化鉬納米片通過如下方法制備得到：將鉬酸鹽和硫源溶解于水中，然后將溶液在微波輻射條件下加熱至220℃進(jìn)行反應(yīng)，洗滌、離心、干燥，得到硫脲修飾的二硫化鉬納米片。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的二硫化鉬納米片電化學(xué)傳感器，其特征在于：所述的硫脲修飾的二硫化鉬納米片的尺寸為200～300nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的二硫化鉬納米片電化學(xué)傳感器，其特征在于：所述的硫源和鉬酸鹽按摩爾比為12：1進(jìn)行配比；所述的鉬酸鹽為四水合鉬酸銨；所述的硫源為硫脲；所述的反應(yīng)的時間為10分鐘。
5.權(quán)利要求1～4任一項(xiàng)所述的二硫化鉬納米片電化學(xué)傳感器的制備方法，其特征在于包括如下步驟：
(1)將硫脲修飾的二硫化鉬納米片超聲分散在混合溶液A中，得到硫脲修飾的二硫化鉬分散液，其中，混合溶液A由全氟磺酸溶液、PVDF溶液和乙醇溶液組成；
(2)將步驟(1)中得到的硫脲修飾的二硫化鉬分散液凃覆在玻碳電極上，干燥，得到涂覆有硫脲修飾的二硫化鉬分散液的玻碳電極；
(3)將步驟(2)中得到的涂覆有硫脲修飾的二硫化鉬分散液的玻碳電極浸泡在由PBS緩沖液、GE11多肽和EDC·HCl組成的混合溶液B中，4℃保存，得到二硫化鉬納米片電化學(xué)傳感器。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的二硫化鉬納米片電化學(xué)傳感器的制備方法，其特征在于：
步驟(1)中硫脲修飾的二硫化鉬納米片添加量為按每mL混合溶液A配比4mg硫脲修飾的二硫化鉬納米片計算；
步驟(1)中所述混合溶液A中全氟磺酸溶液、PVDF溶液和乙醇溶液按體積比4:3:100配比計算。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的二硫化鉬納米片電化學(xué)傳感器的制備方法，其特征在于：
步驟(1)中所述的PVDF溶液通過如下方法制備得到：將PVDF溶解于N-甲基吡咯烷酮中，攪拌，得到PVDF溶液；
所述的N-甲基吡咯烷酮的添加量為按每g PVDF配比12mL N-甲基吡咯烷酮計算；
步驟(2)中所述的涂覆通過如下方法實(shí)現(xiàn)：取硫脲修飾的二硫化鉬分散液，采用滴凃的涂覆方法，均勻地涂覆在潔凈的玻碳電極的表面。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的二硫化鉬納米片電化學(xué)傳感器的制備方法，其特征在于：
步驟(1)中所述的超聲的時間為30分鐘；
步驟(2)中所述的干燥為在室溫條件下自然干燥；
步驟(3)中所述的保存的時間為2.5小時。
9.權(quán)利要求1～4任一項(xiàng)所述的二硫化鉬納米片電化學(xué)傳感器在生物醫(yī)學(xué)領(lǐng)域中的應(yīng)用。
10.權(quán)利要求1～4任一項(xiàng)所述的二硫化鉬納米片電化學(xué)傳感器在細(xì)胞檢測中的應(yīng)用。