1.一種薄膜材料電光系數(shù)的測量裝置，包括薄膜分析儀(5)，所述薄膜分析儀(5)包括工作臺(1)、光源(13)、Y型光纖(12)、干涉光譜儀(14)以及計算機(jī)(6)，Y型光纖(12)的兩個光纖臂分別與光源(13)及干涉光譜儀(14)相連，干涉光譜儀(14)與計算機(jī)(6)相連，其特征在于，還包括測試單元，所述測試單元包括待測樣品(4)和與待測樣品(4)電連接的可控電壓源(7)，其中：待測樣品(4)置于工作臺(1)上，Y型光纖(12)的共同端設(shè)于待測樣品(4)上方，使得光源(13)發(fā)出的光束通過Y型光纖(12)入射到工作臺上的待測薄膜(9)表面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種薄膜材料電光系數(shù)的測量裝置，其特征在于，所述待測樣品(4)是將待測薄膜(9)沉積在金屬基底(8)上形成均勻薄膜，并在待測薄膜(9)表面設(shè)置電極(10)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種薄膜材料電光系數(shù)的測量裝置，其特征在于，還包括測試箱(2)，所述測試箱(2)中設(shè)置有測試腔體，測試腔體中設(shè)置有用于放置待測樣品(4)的樣品臺。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述一種薄膜材料電光系數(shù)的測量裝置，其特征在于，測試箱(2)上設(shè)有進(jìn)氣口和通光口(3)，所述進(jìn)氣口和通光口(3)分別與測試腔體連通，進(jìn)氣口用于通入惰性氣體，通光孔(3)設(shè)于Y型光纖(12)的共同端下方，與待測樣品(4)的位置相對應(yīng)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4任一項所述一種薄膜材料電光系數(shù)的測量裝置，其特征在于，還包括波長準(zhǔn)直器(11)，所述波長校準(zhǔn)器(11)的光束入口端與Y型光纖的共同端相連，波長校準(zhǔn)器(11)的光束出口端位于通光口(3)上方，通光口(3)與波長準(zhǔn)直器(11)的光束出口尺寸相一致。
6.一種測量薄膜材料電光系數(shù)的方法，其特征在于，包括以下步驟：
步驟A：將待測薄膜(9)沉積在金屬基底(8)表面形成均勻薄膜，在待測薄膜(9)表面設(shè)置電極(10)作為頂電極，得到待測樣品(4)；
步驟B：
將測試箱(2)置于工作臺(1)，測試箱(2)中設(shè)置有測試腔體，測試腔體中設(shè)置有用于放置待測樣品(4)的樣品臺，測試箱(2)上設(shè)有進(jìn)氣口和通光口(3)，所述進(jìn)氣口和通光口(3)分別與測試腔體連通；將Y型光纖(12)的兩個光纖臂分別與光源(13)及干涉光譜儀(14)相連，干涉光譜儀(14)與計算機(jī)(6)相連；將Y型光纖(12)的共同端設(shè)于通光口(3)上方，通光口(3)與樣品臺的位置相對應(yīng)，使得光源(13)發(fā)出的探測光通過Y型光纖(12)由通光口(3)入射到樣品臺上的待測薄膜(9)表面；
然后將步驟A制得的待測樣品(4)放置于樣品臺上，將頂電極和金屬基底形成的底電極通過引線與可控電壓源(7)連接，通過進(jìn)氣口向測試腔體中充入惰性氣體；
步驟C：開啟可控電壓源(7)，并通過可控電壓源(7)設(shè)定加載于待測樣品(4)兩端的目標(biāo)電壓，待電壓穩(wěn)定后，開啟薄膜分析儀(5)，使得光源(13)發(fā)出的探測光經(jīng)Y型光纖(12)垂直入射到測試腔體中的待測樣品(4)上，在待測薄膜(9)的上下界面產(chǎn)生的反射光后，經(jīng)Y型光纖(12)的另一光纖臂進(jìn)入干涉光譜儀(14)；
步驟D：利用計算機(jī)實時采集并記錄兩束反射光形成的干涉光譜曲線，并用軟件對記錄的反射光干涉光譜進(jìn)行分析，從而得到目標(biāo)電壓下待測薄膜材料的折射率n；
步驟E：調(diào)節(jié)可控電壓源(7)控制加載于待測樣品(4)兩端的目標(biāo)電壓，待電壓穩(wěn)定后，重復(fù)步驟C至D，直到所有所需的電壓值對應(yīng)的折射率值均測得，停止通入惰性氣體，并關(guān)閉薄膜分析儀(5)，結(jié)束測試；將不同目標(biāo)電壓下對應(yīng)的薄膜材料折射率保存下來，采用軟件擬合得到薄膜材料折射率隨直流電壓變化的線性圖，其中：橫坐標(biāo)為待測薄膜兩端的電場強(qiáng)度，縱坐標(biāo)為待測薄膜材料的折射率n，所述線性圖中斜率即為待測薄膜材料的電光系數(shù)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述一種測量薄膜材料電光系數(shù)的方法，其特征在于，薄膜分析儀(5)還包括波長準(zhǔn)直器(11)，所述波長校準(zhǔn)器(11)的光束入口端與Y型光纖的共同端相連，其光束出口端位于通光口(3)上方，通光口(3)與波長準(zhǔn)直器(11)的光束出口尺寸相一致。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述一種測量薄膜材料電光系數(shù)的方法，其特征在于，所述步驟D和步驟E之間還包括：
步驟F：每個目標(biāo)電壓測試重復(fù)多次，并保存結(jié)果，剔除錯誤值后取平均值以作為目標(biāo)電壓下薄膜材料的折射率n。
9.根據(jù)權(quán)利要求4所述一種測量薄膜材料電光系數(shù)的方法，其特征在于，探測光的波長范圍為200～1700nm。
10.根據(jù)權(quán)利要求4所述一種測量薄膜材料電光系數(shù)的方法，其特征在于，可控電壓源的電壓調(diào)節(jié)范圍為0～400V。