本發(fā)明涉及集成電路測(cè)試技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種mos管導(dǎo)通電阻的測(cè)試結(jié)構(gòu)及方法。

背景技術(shù)：

mosfet(metal-oxide-semiconductorfield-effecttransistor)是金屬-氧化層-半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管的簡(jiǎn)稱，中文簡(jiǎn)稱mos管，是一種常見(jiàn)的半導(dǎo)體功率器件。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷進(jìn)步，基于soicmos工藝的射頻開(kāi)關(guān)已經(jīng)得到廣泛應(yīng)用，基本取代了之前的iii-v族工藝。在這類應(yīng)用中，mos管通常作為開(kāi)關(guān)使用，請(qǐng)參考圖1a和圖1b，mos管導(dǎo)通時(shí)等效于一個(gè)導(dǎo)通電阻ron，關(guān)斷時(shí)等效于一個(gè)電容coff，品質(zhì)因數(shù)fom(figureofmerit)＝ron*coff，是衡量射頻開(kāi)關(guān)器件性能的最為關(guān)鍵的指標(biāo)之一，直接影響到射頻開(kāi)關(guān)器件的穩(wěn)定性，且品質(zhì)因數(shù)越小越好?？梢?jiàn)，mos管的導(dǎo)通電阻直接關(guān)系到射頻開(kāi)關(guān)器件的品質(zhì)因數(shù)，同時(shí)也直接關(guān)系到射頻開(kāi)關(guān)器件的插入損耗(insertionloss)和隔離度(isolation)。因此，對(duì)mos管導(dǎo)通電阻(ron)的測(cè)試就顯得尤為重要。

目前，mos管導(dǎo)通電阻(ron)的測(cè)試是對(duì)待測(cè)試的mos管加載一定的柵源電壓vgs和漏源電壓vds，將某一漏端電壓vd，如0.05v，與對(duì)應(yīng)的漏端電流id相除，對(duì)應(yīng)的該電阻值定義為導(dǎo)通電阻。然而在實(shí)際測(cè)試中，測(cè)試出的導(dǎo)通電阻值不僅包括了mos管的導(dǎo)通電阻值，還包括了一些寄生電阻，例如導(dǎo)線電阻和封裝好的mos管內(nèi)部引線電阻，使得測(cè)得的電阻值并非是mos管導(dǎo)通電阻的真實(shí)值。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種mos管導(dǎo)通電阻的測(cè)試結(jié)構(gòu)及方法，能夠更有效、準(zhǔn)確的測(cè)試mos管導(dǎo)通電阻。

為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提出一種mos管導(dǎo)通電阻的測(cè)試結(jié)構(gòu)，包括依次設(shè)置的第一至第四測(cè)試墊，所述mos管設(shè)置在第二測(cè)試墊和第三測(cè)試墊之間，且所述mos管的漏極和源極分別連接至所述第二測(cè)試墊和第三測(cè)試墊，所述mos管的柵極通過(guò)任一規(guī)格的連線連接至第一測(cè)試墊，所述mos管的體節(jié)點(diǎn)通過(guò)任一規(guī)格的連線連接至第四測(cè)試墊；所述第三測(cè)試墊和第四測(cè)試墊之間通過(guò)規(guī)定規(guī)格的連線連接，所述mos管的漏極和源極與第二測(cè)試墊和第三測(cè)試墊之間的連線為所述規(guī)定規(guī)格的連線，且所述mos管的漏極和源極連接的所述規(guī)定規(guī)格的連線的總長(zhǎng)度等于所述第三測(cè)試墊和第四測(cè)試墊之間的所述規(guī)定規(guī)格的連線的長(zhǎng)度。

進(jìn)一步的，所述規(guī)定規(guī)格的連線的單位面積電阻為50mω/sq～200mω/sq。

進(jìn)一步的，相鄰的兩個(gè)測(cè)試墊之間的間距為50μm～200μm。

進(jìn)一步的，所述mos管的漏極和所述第二測(cè)試墊以及所述mos管的源極和所述第三測(cè)試墊之間均通過(guò)所述規(guī)定規(guī)格的連線連接；或者，所述mos管設(shè)置所述第二測(cè)試墊下方，所述mos管的漏極直接與所述第二測(cè)試墊的底部電接觸，所述mos管的源極和所述第三測(cè)試墊之間通過(guò)所述規(guī)定規(guī)格的連線連接；或者，所述mos管設(shè)置所述第三測(cè)試墊下方，所述mos管的源極直接與所述第三測(cè)試墊的底部電接觸，所述mos管的漏極和所述第二測(cè)試墊之間通過(guò)所述規(guī)定規(guī)格的連線連接。

進(jìn)一步的，施加在所述第一測(cè)試墊上的電壓為工作電壓，施加在第二測(cè)試墊上的電壓為0.05v～0.1v，施加在第三測(cè)試墊和第四測(cè)試墊上的電壓均為0v。

本發(fā)明還提供一種基于上述的mos管導(dǎo)通電阻的測(cè)試結(jié)構(gòu)的方法，包括以下步驟：

在所述第一測(cè)試墊上施加工作電壓，在所述第二測(cè)試墊上施加0.05v～0.1v的電壓，在所述第三測(cè)試墊和所述第四測(cè)試墊上均施加0v電壓，所述mos管導(dǎo)通；

測(cè)出所述第二測(cè)試墊和所述第三測(cè)試墊之間的電阻值，定義為第一電阻值；

測(cè)出所述第三測(cè)試墊和所述第四測(cè)試墊之間的電阻值，定義為第二電阻值；

根據(jù)所述第一電阻值和所述第二電阻值計(jì)算出所述mos管的導(dǎo)通電阻，所述mos管的導(dǎo)通電阻為所述第一電阻值和所述第二電阻值的差值的絕對(duì)值。

本發(fā)明還提供一種mos管導(dǎo)通電阻的測(cè)試結(jié)構(gòu)，包括第一測(cè)試墊組和第二測(cè)試墊組；所述第一測(cè)試墊組由依次排列的第一至第四測(cè)試墊組成，所述mos管設(shè)置在第二測(cè)試墊和第三測(cè)試墊之間，且所述mos管的漏極和源極分別連接至所述第二測(cè)試墊和第三測(cè)試墊，所述mos管的柵極通過(guò)任一規(guī)格的連線連接至第一測(cè)試墊，所述mos管的體節(jié)點(diǎn)通過(guò)任一規(guī)格的連線連接至第四測(cè)試墊；所述第二測(cè)試墊組由依次排列的第五至第八測(cè)試墊組成，第五至第八測(cè)試墊依次與第一至第四測(cè)試墊一一對(duì)應(yīng)，所述第六測(cè)試墊和第七測(cè)試墊之間通過(guò)規(guī)定規(guī)格的連線連接，所述mos管的漏極和源極與第二測(cè)試墊和第三測(cè)試墊之間的連線為所述規(guī)定規(guī)格的連線，且所述mos管的漏極和源極連接的所述規(guī)定規(guī)格的連線的總長(zhǎng)度等于所述第六測(cè)試墊和第七測(cè)試墊之間的所述規(guī)定規(guī)格的連線的長(zhǎng)度。

進(jìn)一步的，所述規(guī)定規(guī)格的連線的單位面積電阻為50mω/sq～200mω/sq。

進(jìn)一步的，所述第一測(cè)試墊組或第二測(cè)試墊組中相鄰兩個(gè)測(cè)試墊之間的間距為50μm～200μm。

進(jìn)一步的，施加在所述第一測(cè)試墊上的電壓為工作電壓，施加在第二測(cè)試墊上的電壓為0.05v～0.1v，施加在第三測(cè)試墊和第四測(cè)試墊上的電壓均為0v。

本發(fā)明還提供一種基于上述的mos管導(dǎo)通電阻的測(cè)試結(jié)構(gòu)的方法，包括以下步驟：

在所述第一測(cè)試墊上施加工作電壓，在所述第二測(cè)試墊上施加0.05v～0.1v的電壓，在所述第三測(cè)試墊和所述第四測(cè)試墊上均施加0v電壓，所述mos管導(dǎo)通；

測(cè)出所述第二測(cè)試墊和所述第三測(cè)試墊之間的電阻值，定義為第一電阻值；

至少在所述第六測(cè)試墊和所述第七測(cè)試墊之間施加電壓，以測(cè)出所述第六測(cè)試墊和所述第七測(cè)試墊之間的電阻值，定義為第二電阻值；

根據(jù)所述第一電阻值和所述第二電阻值計(jì)算出所述mos管的導(dǎo)通電阻，所述mos管的導(dǎo)通電阻為所述第一電阻值和所述第二電阻值的差值的絕對(duì)值。

本發(fā)明還提供一種mos管導(dǎo)通電阻的測(cè)試結(jié)構(gòu)，包括并列設(shè)置的第一至第四列測(cè)試墊組，每列測(cè)試墊組包括按列布置的多個(gè)測(cè)試墊，所述mos管設(shè)置在第一列測(cè)試墊組和第二列測(cè)試墊組之間，且所述mos管的漏極和源極分別連接至所述第一列測(cè)試墊組的一個(gè)測(cè)試墊和所述第二列測(cè)試墊組的一個(gè)測(cè)試墊，所述mos管的柵極通過(guò)任一規(guī)格的連線連接至一探針，所述mos管的體節(jié)點(diǎn)通過(guò)任一規(guī)格的連線連接至另一探針；所述第三列測(cè)試墊組的一個(gè)測(cè)試墊和第四列測(cè)試墊組的一個(gè)測(cè)試墊之間通過(guò)規(guī)定規(guī)格的連線連接，所述mos管的漏極和源極與所述第一列測(cè)試墊組和所述第二列測(cè)試墊組的兩個(gè)測(cè)試墊連接的連線為所述規(guī)定規(guī)格的連線，且所述mos管的漏極和源極連接的所述規(guī)定規(guī)格的連線的總長(zhǎng)度等于所述第三列測(cè)試墊組和第四列測(cè)試墊組的兩個(gè)測(cè)試墊之間的所述規(guī)定規(guī)格的連線連接的連線的長(zhǎng)度；所述第一列測(cè)試墊組和所述第二列測(cè)試墊組中除去連接所述mos管的漏極和源極的兩個(gè)測(cè)試墊以外，其余測(cè)試墊通過(guò)任一規(guī)格的連線依次串聯(lián)；所述第三列測(cè)試墊組和第四列測(cè)試墊組中除去連接所述規(guī)定規(guī)格的連線的兩個(gè)測(cè)試墊以外，其余測(cè)試墊通過(guò)任一規(guī)格的連線依次串聯(lián)。

進(jìn)一步的，所述規(guī)定規(guī)格的連線的單位面積電阻為50mω/sq～200mω/sq。

進(jìn)一步的，所述第一至第四列測(cè)試墊組之間的列間距為50μm～200μm。

進(jìn)一步的，所述mos管的漏極和所述第一列測(cè)試墊組的測(cè)試墊以及所述mos管的源極和所述第二列測(cè)試墊組的測(cè)試墊之間均通過(guò)所述規(guī)定規(guī)格的連線連接；或者，所述mos管設(shè)置所述第一列測(cè)試墊組的測(cè)試墊下方，所述mos管的漏極直接與所述第一列測(cè)試墊組的測(cè)試墊的底部電接觸，所述mos管的源極和所述第二列測(cè)試墊組的測(cè)試墊之間通過(guò)所述規(guī)定規(guī)格的連線連接；或者，所述mos管設(shè)置所述第二列測(cè)試墊組的測(cè)試墊下方，所述mos管的源極直接與所述第二列測(cè)試墊組的測(cè)試墊的底部電接觸，所述mos管的漏極和所述第一列測(cè)試墊組的測(cè)試墊之間通過(guò)所述規(guī)定規(guī)格的連線連接。

進(jìn)一步的，施加在與所述mos管的柵極連接的探針上的電壓為工作電壓，與所述mos管的源極和漏極連接的測(cè)試墊無(wú)需加載電壓，與所述mos管體節(jié)點(diǎn)連接的另一探針接地。

本發(fā)明還提供一種基于上述的mos管導(dǎo)通電阻的測(cè)試結(jié)構(gòu)的方法，包括以下步驟：

在與所述mos管的柵極連接的探針上施加工作電壓，與所述mos管的源極和漏極連接的測(cè)試墊無(wú)需加載電壓，與所述mos管體節(jié)點(diǎn)連接的另一探針接地，其余測(cè)試墊接地，所述mos管導(dǎo)通；

測(cè)出所述第一列測(cè)試墊組和所述第二列測(cè)試墊組之間的電阻值，定義為第一電阻值；

至少在所述第三列測(cè)試墊組和第四列測(cè)試墊組中連接所述規(guī)定規(guī)格的連線的兩個(gè)測(cè)試墊之間施加電壓，以測(cè)出所述第三列測(cè)試墊組和第四列測(cè)試墊組之間的電阻值，定義為第二電阻值，或者通過(guò)射頻測(cè)試方法測(cè)出所述第三列測(cè)試墊組和第四列測(cè)試墊組之間的所述第二電阻值；

根據(jù)所述第一電阻值和所述第二電阻值計(jì)算出所述mos管的導(dǎo)通電阻，所述mos管的導(dǎo)通電阻為所述第一電阻值和所述第二電阻值的差值的絕對(duì)值。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的技術(shù)方案具有以下有益效果：

1、設(shè)置與mos管的漏極和源極連接的兩個(gè)測(cè)試墊對(duì)應(yīng)的兩個(gè)參考測(cè)試墊，這兩個(gè)參考測(cè)試墊之間的連線的規(guī)格和長(zhǎng)度與mos管的源極、漏極連接兩個(gè)測(cè)試墊連接的連線規(guī)格和總長(zhǎng)度相同，從而可以將mos管的源極、漏極導(dǎo)通時(shí)與之相連的兩個(gè)測(cè)試墊之間的電阻，與兩個(gè)參考測(cè)試墊之間的電阻作差，由此可以消除現(xiàn)有的測(cè)試結(jié)構(gòu)中的寄生電阻對(duì)測(cè)量結(jié)果影響，進(jìn)而獲得更準(zhǔn)確的mos管導(dǎo)通電阻。

2、其中設(shè)置的所有測(cè)試墊都可以是現(xiàn)有的測(cè)試結(jié)構(gòu)中的測(cè)試墊，其中僅僅對(duì)測(cè)試墊的間距、mos管的漏極和源極與相應(yīng)測(cè)試墊的連線規(guī)格、兩個(gè)參考測(cè)試墊之間的連線規(guī)格做了調(diào)整，無(wú)需增加額外的面積，能夠與標(biāo)準(zhǔn)cmos工藝兼容，無(wú)需額外的光罩或工藝步驟。

附圖說(shuō)明

圖1a和圖1b是mos管導(dǎo)通和關(guān)斷時(shí)的等效電路圖；

圖2a至2d是本發(fā)明具體實(shí)施例的mos管導(dǎo)通電阻的測(cè)試結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明的目的、特征更明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式作進(jìn)一步的說(shuō)明，然而，本發(fā)明可以用不同的形式實(shí)現(xiàn)，不應(yīng)只是局限在所述的實(shí)施例。

請(qǐng)參考圖2a，本發(fā)明一實(shí)施例提供一種mos管導(dǎo)通電阻的測(cè)試結(jié)構(gòu)，包括依次設(shè)置的第一測(cè)試墊201、第二測(cè)試墊202、第三測(cè)試墊203以及第四測(cè)試墊204，相鄰的兩個(gè)測(cè)試墊之間的間距(d1或d3)可以為50μm～200μm，例如為120μm。所述mos管200設(shè)置在第二測(cè)試墊202和第三測(cè)試墊203之間，且所述mos管200的漏極d通過(guò)一段規(guī)定規(guī)格的連線l1連接至第二測(cè)試墊202，源極s通過(guò)另一段所述規(guī)定規(guī)格的連線l2連接至第三測(cè)試墊203，柵極g通過(guò)任一規(guī)格的連線連接至第一測(cè)試墊201，體節(jié)點(diǎn)b通過(guò)任一規(guī)格的連線連接至第四測(cè)試墊204；第三測(cè)試墊203和第四測(cè)試墊204之間通過(guò)一段所述規(guī)定規(guī)格的連線l連接。

連線l1、連線l2和連線l規(guī)格相同，即材質(zhì)、單位面積電阻(或稱電阻率)和線寬均相同。同時(shí)連線l1、連線l2的總長(zhǎng)度與連線l的長(zhǎng)度相等?？蛇x的，連線l1、連線l2和連線l的規(guī)格(即所述規(guī)定規(guī)格)：材質(zhì)為金屬鋁，單位面積電阻為50mω/sq～200mω/sq(即毫歐每平方)，例如為120mω/sq，直徑(即線寬)為0～10μm。本實(shí)施例中，連線l1、連線l2和連線l均為直線，連線l1長(zhǎng)度、連線l2長(zhǎng)度以及mos管200源極s和漏極d之間的長(zhǎng)度d2(通常為2μm～3μm)之和為d1，連線l的長(zhǎng)度等于d3，d3＝d1-d2，由于mos管200導(dǎo)通時(shí)等效于一段具有ron阻值的連線，因此，可以由第三測(cè)試墊203和第四測(cè)試墊204之間電阻值、以及mos管200導(dǎo)通時(shí)第二測(cè)試墊202和第三測(cè)試墊203之間電阻值，求出mos管200的導(dǎo)通電阻ron。

上述測(cè)試結(jié)構(gòu)中，所述mos管200設(shè)置在第二測(cè)試墊202和第三測(cè)試墊203之間，且與第二測(cè)試墊202和第三測(cè)試墊203之間的距離均不為0，均需通過(guò)規(guī)定規(guī)格的連線相應(yīng)的連接第二測(cè)試墊202和第三測(cè)試墊203。這種測(cè)試結(jié)構(gòu)也可以進(jìn)行相應(yīng)的變形，使mos管200與第二測(cè)試墊202或第三測(cè)試墊203之間的距離為0，即所述mos管200設(shè)置在第二測(cè)試墊202和第三測(cè)試墊203之間時(shí)，還可以設(shè)置在第二測(cè)試墊202或第三測(cè)試墊203底部，使其源極s或漏極d直接與頂部的測(cè)試墊電接觸，此時(shí)mos管200與第二測(cè)試墊202或第三測(cè)試墊203之間的距離不為0。具體地，當(dāng)所述mos管200設(shè)置在所述第二測(cè)試墊202底部時(shí)，所述mos管200與所述第二測(cè)試墊202的距離為0，請(qǐng)參考圖2b，mos管200的漏極d直接與第二測(cè)試墊202底部電接觸，源極s通過(guò)一段所述規(guī)定規(guī)格的連線l0與第三測(cè)試墊203連接，mos管200源極s和漏極d之間的長(zhǎng)度d2以及連線l0的長(zhǎng)度之和為d1，連線l的長(zhǎng)度等于d3，d3＝d1-d2；而當(dāng)所述mos管200設(shè)置在所述第三測(cè)試墊203底部時(shí)，mos管200的漏極d通過(guò)一段所述規(guī)定規(guī)格的連線與第二測(cè)試墊202底部電接觸，源極s頂部直接與第三測(cè)試墊203底部電接觸。

基于圖2a或2b的測(cè)試結(jié)構(gòu)的mos管導(dǎo)通電阻的測(cè)試方法，具體包括以下步驟：

首先，在所述第一測(cè)試墊201上施加工作電壓vdd(即mos管200的柵端電壓，通常為2v～5v，例如為2.55v)，在所述第二測(cè)試墊202上施加0.05v～0.1v的電壓(即mos管200的漏端電壓)，例如為0.05v或0.1v，在所述第三測(cè)試墊203和所述第四測(cè)試墊204上均施加0電壓(即mos管200的體電壓)，所述mos管200導(dǎo)通；

然后，測(cè)出所述第二測(cè)試墊202和所述第三測(cè)試墊203之間的電阻值，定義為第一電阻值r1，具體地，在mos管導(dǎo)通后，先測(cè)出所述第二測(cè)試墊202和所述第三測(cè)試墊203之間的電流，然后根據(jù)歐姆定律，將第二測(cè)試墊202上施加的電壓與所述電流相除，以得到r1；

接著，測(cè)出所述第三測(cè)試墊203和所述第四測(cè)試墊204之間的電阻值，定義為第二電阻值r2，具體地，可以利用上述mos管導(dǎo)通時(shí)第二測(cè)試墊202和第四測(cè)試墊204之間的電壓和電流得出r2，也可以撤去第一測(cè)試墊201和第二測(cè)試墊202上的電壓，在所述第三測(cè)試墊203上施加新的電壓，第四測(cè)試墊204上的電壓仍為零，從而測(cè)出所述第三測(cè)試墊203和所述第四測(cè)試墊204之間相應(yīng)的電流，然后根據(jù)歐姆定律，將施加的新的電壓與所述電流相除，得出r2；

最后，根據(jù)所述第一電阻值r1和所述第二電阻值r2計(jì)算出所述mos管200的導(dǎo)通電阻ron，所述mos管200的導(dǎo)通電阻ron＝|r2-r1|，即mos管200的導(dǎo)通電阻ron為所述第一電阻值r1和所述第二電阻值r2的差值的絕對(duì)值。

圖2a和2b所示的測(cè)試結(jié)構(gòu)及其測(cè)試方法，通過(guò)將第三測(cè)試墊203和第四測(cè)試墊204作為兩個(gè)參考測(cè)試墊，第三測(cè)試墊203和第四測(cè)試墊204之間的電阻作為參考電阻，第三測(cè)試墊203和第四測(cè)試墊204之間的間距d3等于第二測(cè)試墊202和第三測(cè)試墊203之間的間距d1減去mos管源漏長(zhǎng)度d2，且第三測(cè)試墊203和第四測(cè)試墊204之間的連線均采用與第二測(cè)試墊202和第三測(cè)試墊203連接mos管的連線相同的規(guī)定規(guī)格，因此當(dāng)mos管200導(dǎo)通時(shí)，其漏極和源極連接的第二測(cè)試墊202和第三測(cè)試203之間的電阻與參考電阻之間僅相差mos管的導(dǎo)通電阻，因此mos管導(dǎo)通時(shí)，對(duì)比測(cè)出的第二測(cè)試墊202和第三測(cè)試墊203之間的電阻與第三測(cè)試墊203和第四測(cè)試墊204之間的電阻，即可以獲得準(zhǔn)確的mos管200的導(dǎo)通電阻，由此可以消除現(xiàn)有的測(cè)試結(jié)構(gòu)中的寄生電阻對(duì)測(cè)量結(jié)果影響，進(jìn)而獲得更準(zhǔn)確的mos管導(dǎo)通電阻。此外，由于該測(cè)試結(jié)構(gòu)中設(shè)置的所有測(cè)試墊都可以是現(xiàn)有的測(cè)試結(jié)構(gòu)中的測(cè)試墊，其中僅僅對(duì)相應(yīng)的測(cè)試墊之間的間距、mos管的漏極和源極與相應(yīng)測(cè)試墊的連線規(guī)格、兩個(gè)參考測(cè)試墊之間的連線規(guī)格做了調(diào)整，因此無(wú)需增加額外的面積，能夠與標(biāo)準(zhǔn)cmos工藝兼容，無(wú)需額外的光罩或工藝步驟。

請(qǐng)參考圖2c，本發(fā)明的另一實(shí)施例還提供一種mos管導(dǎo)通電阻的測(cè)試結(jié)構(gòu)，包括第一測(cè)試墊組i和第二測(cè)試墊組ii；所述第一測(cè)試墊組i由依次排列設(shè)置的第一測(cè)試墊201、第二測(cè)試墊202、第三測(cè)試墊203以及第四測(cè)試墊204組成，所述mos管200設(shè)置在第二測(cè)試墊202和第三測(cè)試墊203之間，且所述mos管200的漏極d通過(guò)一段規(guī)定規(guī)格的連線l1連接至第二測(cè)試墊202，源極s通過(guò)另一段所述規(guī)定規(guī)格的連線l2連接至第三測(cè)試墊203，柵極g通過(guò)任一規(guī)格的連線連接至第一測(cè)試墊201，體節(jié)點(diǎn)b通過(guò)任一規(guī)格的連線連接至第四測(cè)試墊204；所述第二測(cè)試墊組由依次排列設(shè)置的第五測(cè)試墊205、第六測(cè)試墊206、第七測(cè)試墊207、第八測(cè)試墊208組成，所述第六測(cè)試墊206和第七測(cè)試墊207之間通過(guò)規(guī)定規(guī)格的連線l連接，第五測(cè)試墊205、第六測(cè)試墊206、第七測(cè)試墊207、第八測(cè)試墊208的位置分別與第一測(cè)試墊201、第二測(cè)試墊202、第三測(cè)試墊203以及第四測(cè)試墊204一一對(duì)應(yīng)，即第二測(cè)試墊組ii完全參考第一測(cè)試墊組i設(shè)置，其區(qū)別僅在于第一測(cè)試墊組i中插入了mos管200以及相應(yīng)的規(guī)定規(guī)格的連線l1、l2，第二測(cè)試墊組ii中僅插入了總長(zhǎng)度相等的規(guī)定規(guī)格的連線l，且第六測(cè)試墊206和第七測(cè)試墊207之間的間距d3與第二測(cè)試墊202和第三測(cè)試墊203之間的間距d1相差mos管200的漏源之間的長(zhǎng)度d2。

所述第二測(cè)試墊組ii或所述第一測(cè)試墊組i中的相鄰兩個(gè)測(cè)試墊之間的間距可以為50μm～200μm，例如為100μm，或者所述第二測(cè)試墊組ii和所述第一測(cè)試墊組i中的相鄰兩個(gè)測(cè)試墊之間的間距均為50μm～200μm。

連線l1、連線l2和連線l的規(guī)格相同，即材質(zhì)、單位面積電阻和線寬均相同，同時(shí)連線l1、連線l2的總長(zhǎng)度與連線l的長(zhǎng)度相等?？蛇x的，連線l1、連線l2和連線l的規(guī)格(即所述規(guī)定規(guī)格)：材質(zhì)均為鋁，單位面積電阻為50mω/sq～200mω/sq，例如為120mω/sq，直徑(即線寬)為0～10μm。連線l1、連線l2和連線l均為直線，連線l1長(zhǎng)度、連線l2長(zhǎng)度以及mos管200源極s和漏極d之間的長(zhǎng)度d2(通常為2μm～3μm)之和為d1，連線l的長(zhǎng)度等于d3，d3＝d1-d2，由于mos管200導(dǎo)通時(shí)等效于一段具有ron阻值的連線，因此，可以由第六測(cè)試墊206和第七測(cè)試墊207之間電阻值、以及mos管200導(dǎo)通時(shí)第二測(cè)試墊202和第三測(cè)試墊203之間電阻值，求出mos管200的導(dǎo)通電阻ron。

上述測(cè)試結(jié)構(gòu)中，所述mos管200設(shè)置在第二測(cè)試墊202和第三測(cè)試墊203之間，且與第二測(cè)試墊202和第三測(cè)試墊203之間的距離均不為0，均需通過(guò)規(guī)定規(guī)格的連線相應(yīng)的連接第二測(cè)試墊202和第三測(cè)試墊203。這種測(cè)試結(jié)構(gòu)也可以進(jìn)行相應(yīng)的變形，使mos管200與第二測(cè)試墊202或第三測(cè)試墊203之間的距離為0，即所述mos管200設(shè)置在第二測(cè)試墊202和第三測(cè)試墊203之間時(shí)，還可以設(shè)置在第二測(cè)試墊202或第三測(cè)試墊203底部，使其源極s或漏極d直接與頂部的測(cè)試墊電接觸，此時(shí)mos管200與第二測(cè)試墊202或第三測(cè)試墊203之間的距離不為0。具體地，當(dāng)所述mos管200設(shè)置在所述第二測(cè)試墊202底部時(shí)，所述mos管200與所述第二測(cè)試墊202的距離為0，請(qǐng)參考圖2b，mos管200的漏極d直接與第二測(cè)試墊202底部電接觸，源極s通過(guò)一段所述規(guī)定規(guī)格的連線l0與第三測(cè)試墊203連接，mos管200源極s和漏極d之間的長(zhǎng)度d2以及連線l0的長(zhǎng)度之和為d1，連線l的長(zhǎng)度等于d3，d3＝d1-d2；而當(dāng)所述mos管200設(shè)置在所述第三測(cè)試墊203底部時(shí)，mos管200的漏極d通過(guò)一段所述規(guī)定規(guī)格的連線與第二測(cè)試墊202底部電接觸，源極s頂部直接與第三測(cè)試墊203底部電接觸。

基于圖2c的mos管導(dǎo)通電阻的測(cè)試結(jié)構(gòu)的mos管導(dǎo)通電阻的測(cè)試方法，具體包括以下步驟：

首先，在所述第一測(cè)試墊201上施加工作電壓vdd，在所述第二測(cè)試墊202上施加0.05v～0.1v的電壓，在所述第三測(cè)試墊203和所述第四測(cè)試墊204上均施加0電壓，所述mos管200導(dǎo)通；

然后，測(cè)出所述第二測(cè)試墊202和所述第三測(cè)試墊203之間的電阻值，定義為第一電阻值r1，具體地，在mos管導(dǎo)通后，先測(cè)出所述第二測(cè)試墊202和所述第三測(cè)試墊203之間的電流，然后根據(jù)歐姆定律，將第二測(cè)試墊202上施加的電壓與所述電流相除，以得到r1；

接著，至少在所述第六測(cè)試墊206和所述第七測(cè)試墊207之間施加電壓，測(cè)出所述第六測(cè)試墊206和所述第七測(cè)試墊207之間的電流，根據(jù)歐姆定律將所述電壓和電流相除，以測(cè)出所述第六測(cè)試墊206和所述第七測(cè)試墊207之間的電阻值，定義為第二電阻值r2；

最后，根據(jù)所述第一電阻值r1和所述第二電阻值r2計(jì)算出所述mos管200的導(dǎo)通電阻ron，所述mos管200的導(dǎo)通電阻ron＝|r2-r1|，即mos管200的導(dǎo)通電阻ron為所述第一電阻值r1和所述第二電阻值r2的差值的絕對(duì)值。

圖2c所示的測(cè)試結(jié)構(gòu)及其測(cè)試方法，通過(guò)將第六測(cè)試墊206和第七測(cè)試墊207作為兩個(gè)參考測(cè)試墊，第六測(cè)試墊206和第七測(cè)試墊207之間的電阻作為參考電阻，第六測(cè)試墊206和第七測(cè)試墊207之間的間距d3與連接mos管200的第二測(cè)試墊202和第三測(cè)試墊203之間的間距d1相差mos管200的長(zhǎng)度d2，且第六測(cè)試墊206和第七測(cè)試墊207之間的連線采用與第二測(cè)試墊202和第三測(cè)試墊203連接mos管200的連線相同的規(guī)定規(guī)格，因此當(dāng)mos管200導(dǎo)通時(shí)，其漏極和源極連接的第二測(cè)試墊202和第三測(cè)試203之間的電阻與參考電阻之間僅相差mos管的導(dǎo)通電阻，因此mos管導(dǎo)通時(shí)，對(duì)比測(cè)出的第二測(cè)試墊202和第三測(cè)試墊203之間的電阻與第六測(cè)試墊206和第七測(cè)試墊207之間的電阻，即可以獲得準(zhǔn)確的mos管200的導(dǎo)通電阻，由此可以消除現(xiàn)有的測(cè)試結(jié)構(gòu)中的寄生電阻對(duì)測(cè)量結(jié)果影響，進(jìn)而獲得更準(zhǔn)確的mos管導(dǎo)通電阻。此外，由于該測(cè)試結(jié)構(gòu)中設(shè)置的所有測(cè)試墊都可以是現(xiàn)有的測(cè)試結(jié)構(gòu)中的測(cè)試墊，其中僅僅對(duì)相應(yīng)的測(cè)試墊之間的間距、mos管的漏極和源極與相應(yīng)測(cè)試墊的連線規(guī)格、兩個(gè)參考測(cè)試墊之間的連線規(guī)格做了調(diào)整，因此無(wú)需增加額外的面積，能夠與標(biāo)準(zhǔn)cmos工藝兼容，無(wú)需額外的光罩或工藝步驟。

請(qǐng)參考圖2d，本發(fā)明的又一實(shí)施例提供一種mos管導(dǎo)通電阻的測(cè)試結(jié)構(gòu)，包括并列設(shè)置的第一測(cè)試墊組i、第二測(cè)試墊組ii、第三測(cè)試墊組iii、第四測(cè)試墊組iv,列間距可以為50μm～200μm，例如為100μm；每列測(cè)試墊組包括按列布置的多個(gè)測(cè)試墊，例如圖2d中，第一測(cè)試墊組i、第二測(cè)試墊組ii、第三測(cè)試墊組iii、第四測(cè)試墊組iv均有三個(gè)按列布置的測(cè)試墊，所述mos管200設(shè)置在第一列測(cè)試墊組i和第二列測(cè)試墊組ii之間，且所述mos管200的漏極d通過(guò)一段規(guī)定規(guī)格的連線l1連接至所述第一列測(cè)試墊組i的一個(gè)測(cè)試墊，定義為第一測(cè)試墊201，源極s通過(guò)另一段所述規(guī)定規(guī)格的連線l2連接至所述第二列測(cè)試墊組ii的一個(gè)測(cè)試墊，定義為第二測(cè)試墊202，所述mos管200的柵極g通過(guò)任一規(guī)格的連線連接至一探針p1，所述mos管200的體節(jié)點(diǎn)b通過(guò)任一規(guī)格的連線連接至另一探針p2；所述第三列測(cè)試墊組iii的一個(gè)測(cè)試墊(定義為第三測(cè)試墊203)和第四列測(cè)試墊組iv的一個(gè)測(cè)試墊(定義為第四測(cè)試墊204)之間通過(guò)規(guī)定規(guī)格的連線l連接，連線l的長(zhǎng)度d3等于所述mos管200的長(zhǎng)度d2和連線l1、l2的長(zhǎng)度之和d1，即d3＝d1-d2；第一測(cè)試墊組i、第二測(cè)試墊組ii、第三測(cè)試墊組iii、第四測(cè)試墊組iv中，除第一測(cè)試墊201、第二測(cè)試墊202、第三測(cè)試墊203、第四測(cè)試墊204以外，其余均為接地測(cè)試墊(ground)，由此，第一測(cè)試墊組i和第二測(cè)試墊組ii以及第三測(cè)試墊組iii和第四測(cè)試墊組iv分別構(gòu)成兩個(gè)射頻測(cè)試(ground-signal-ground)結(jié)構(gòu)，每一測(cè)試結(jié)構(gòu)的左右接地測(cè)試墊會(huì)連在一起，具體地，所述第一列測(cè)試墊組i和所述第二列測(cè)試墊組ii中除去連接所述mos管200的漏極d和源極s的兩個(gè)測(cè)試墊201、202以外，其余測(cè)試墊均為接地測(cè)試墊(ground)，并通過(guò)任一規(guī)格的連線依次串聯(lián)；所述第三列測(cè)試墊組iii和第四列測(cè)試墊組iv中除去連接所述規(guī)定規(guī)格的連線l的兩個(gè)測(cè)試墊203、204以外，其余測(cè)試墊為接地測(cè)試墊(ground)，并通過(guò)任一規(guī)格的連線依次串聯(lián)。

本實(shí)施例中，第三測(cè)試墊組iii、第四測(cè)試墊組iv的設(shè)置完全參考第一測(cè)試墊組i、第二測(cè)試墊組ii設(shè)置，其區(qū)別僅在于第一測(cè)試墊組i、第二測(cè)試墊組ii之間插入了mos管200以及連線l1、l2,第三測(cè)試墊組iii、第四測(cè)試墊組iv之間相應(yīng)的位置上插入了連線l。

連線l1、l2和連線l的規(guī)格相同，即材質(zhì)、單位面積電阻和線寬均相同?？蛇x的，連線l1、l2和連線l的規(guī)格(即所述規(guī)定規(guī)格)：材質(zhì)為金屬鋁，單位面積電阻為50mω/sq～200mω/sq，例如為120mω/sq，直徑(即線寬)為0～10μm。連線l1、l2和連線l均為直線，連線l1、l2以及mos管200源極s和漏極d之間的長(zhǎng)度d2(通常為2μm～3μm)之和為d1，連線l的長(zhǎng)度等于d3，d3＝d1-d2，由于mos管200導(dǎo)通時(shí)等效于一段具有ron阻值的連線，因此，可以由兩個(gè)測(cè)試墊203、204之間電阻值、以及mos管200導(dǎo)通時(shí)第一測(cè)試墊201、第二測(cè)試墊202之間電阻值，求出mos管200的導(dǎo)通電阻ron。

上述測(cè)試結(jié)構(gòu)中，所述mos管200設(shè)置在第一測(cè)試墊201、第二測(cè)試墊202之間，且與第一測(cè)試墊201、第二測(cè)試墊202之間的距離均不為0，均需通過(guò)規(guī)定規(guī)格的連線相應(yīng)的連接第一測(cè)試墊201和第二測(cè)試墊202。這種測(cè)試結(jié)構(gòu)也可以進(jìn)行相應(yīng)的變形，使mos管200與第一測(cè)試墊201或第二測(cè)試墊202之間的距離不為0，即所述mos管200設(shè)置在第一測(cè)試墊201或第二測(cè)試墊202之間時(shí)，還可以設(shè)置在第一測(cè)試墊201或第二測(cè)試墊202底部，使其源極s或漏極d直接與頂部的測(cè)試墊電接觸，此時(shí)mos管200與第一測(cè)試墊201或第二測(cè)試墊202之間的距離為0。具體地，當(dāng)所述mos管200設(shè)置在所述第一測(cè)試墊201底部時(shí)，所述mos管200與所述第一測(cè)試墊201的距離為0(請(qǐng)參考圖2b的設(shè)置方式)，mos管200的漏極d直接與第一測(cè)試墊201底部電接觸，源極s通過(guò)一段所述規(guī)定規(guī)格的連線與第二測(cè)試墊202連接，mos管200源極s和漏極d之間的長(zhǎng)度d2以及連線的長(zhǎng)度之和為d1，連線l的長(zhǎng)度等于d3，d3＝d1-d2；而當(dāng)所述mos管200設(shè)置在所述第二測(cè)試墊202底部時(shí)，mos管200的漏極d通過(guò)一段所述規(guī)定規(guī)格的連線與第二測(cè)試墊202底部電接觸，源極s頂部直接與第二測(cè)試墊202底部電接觸。

基于圖2d的mos管導(dǎo)通電阻的測(cè)試結(jié)構(gòu)的mos管導(dǎo)通電阻的測(cè)試方法，具體包括以下步驟：

首先，在所述探針p1上施加工作電壓vdd(即mos管200的柵極g加載工作電壓vdd)，所述第一測(cè)試墊201和第二測(cè)試墊202保持原狀態(tài)(即mos管200的漏極d和源極s無(wú)需加載電壓)，探針p2接地或者施加0電壓(即mos管200體節(jié)點(diǎn)b接地)，所述mos管200導(dǎo)通；

接著，通過(guò)射頻測(cè)試方法測(cè)出所述第一測(cè)試墊201和所述第二測(cè)試墊202之間的電阻值，定義為第一電阻值r11,即測(cè)出所述第一列測(cè)試墊組i和所述第二列測(cè)試墊組ii之間的電阻值；

然后，至少在所述第三測(cè)試墊203和所述第四測(cè)試墊204之間施加電壓，以測(cè)出所述第三測(cè)試墊203和所述第四測(cè)試墊204之間的電阻值，定義為第二電阻值r22，第二電阻值r22即所述第三列測(cè)試墊組iii和第四列測(cè)試墊組iv之間的電阻值，此外，第二電阻值r22還可以通過(guò)射頻測(cè)試方法測(cè)出，該射頻測(cè)試方法與所述mos管200導(dǎo)通時(shí)的第一電阻值r11測(cè)量方法類似，只是不需要探針p1和探針p2之間的偏壓；

最后，根據(jù)所述第一電阻值r11和所述第二電阻值r22計(jì)算出所述mos管200的導(dǎo)通電阻ron，所述mos管200的導(dǎo)通電阻ron＝|r22-r21|，即mos管200的導(dǎo)通電阻ron為所述第一電阻值r11和所述第二電阻值r22的差值的絕對(duì)值。

圖2d所示的測(cè)試結(jié)構(gòu)及其測(cè)試方法，通過(guò)將所述第三測(cè)試墊203和所述第四測(cè)試墊204作為兩個(gè)參考測(cè)試墊，所述第三測(cè)試墊203和所述第四測(cè)試墊204之間的電阻作為參考電阻，其間距d3與連接mos管200的第一測(cè)試墊201和第二測(cè)試墊202之間的間距d1正好相差mos管200的長(zhǎng)度d2，且所述第三測(cè)試墊203和所述第四測(cè)試墊204之間的連線以及第一測(cè)試墊201和第二測(cè)試墊202連接mos管200的連線均采用相同的規(guī)定規(guī)格，因此當(dāng)mos管200導(dǎo)通時(shí)，其漏極d和源極s連接的第一測(cè)試墊201和第二測(cè)試墊202之間的電阻與參考電阻之間僅相差mos管200的導(dǎo)通電阻ron，因此mos管200導(dǎo)通時(shí)，對(duì)比測(cè)出的第一測(cè)試墊201和第二測(cè)試墊202之間的電阻與所述第三測(cè)試墊203和所述第四測(cè)試墊204之間的參考電阻，即可以獲得準(zhǔn)確的mos管200的導(dǎo)通電阻，由此可以消除現(xiàn)有的測(cè)試結(jié)構(gòu)中的寄生電阻對(duì)測(cè)量結(jié)果影響，進(jìn)而獲得更準(zhǔn)確的mos管導(dǎo)通電阻。此外，由于該測(cè)試結(jié)構(gòu)中設(shè)置的所有測(cè)試墊都可以是現(xiàn)有的測(cè)試結(jié)構(gòu)中的測(cè)試墊，其中僅僅對(duì)相應(yīng)的測(cè)試墊之間的間距、mos管的漏極和源極與相應(yīng)測(cè)試墊的連線規(guī)格、兩個(gè)參考測(cè)試墊之間的連線規(guī)格做了調(diào)整，因此無(wú)需增加額外的面積，能夠與標(biāo)準(zhǔn)cmos工藝兼容，無(wú)需額外的光罩或工藝步驟。

需要說(shuō)明的是，在對(duì)mos管的導(dǎo)通電阻測(cè)量精度要求不是特別高的情況下，由于兩個(gè)參考測(cè)試墊之間連線長(zhǎng)度是mos管的長(zhǎng)度的100倍以上，因此也可以直接使圖2a至2d中的d3＝d1，由此獲得的測(cè)試結(jié)構(gòu)將包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)，在這些變形后的測(cè)試結(jié)構(gòu)下測(cè)得的mos管的導(dǎo)通電阻，可以滿足相應(yīng)的測(cè)量精度要求。

顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。