技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種MOS管導(dǎo)通電阻的測試結(jié)構(gòu)及方法，設(shè)置與MOS管的漏極和源極連接的兩個測試墊相對應(yīng)的兩個參考測試墊，這兩個參考測試墊之間的連線的規(guī)格和長度與MOS管的源極、漏極連接兩個測試墊所用的連線規(guī)格和總長度相同，從而可以將MOS管的源極、漏極導(dǎo)通時與之相連的兩個測試墊之間的電阻，與兩個參考測試墊之間的電阻作差，獲得更準確的MOS管導(dǎo)通電阻，由此可以消除現(xiàn)有的測試結(jié)構(gòu)中的寄生電阻對測量結(jié)果影響；此外，本發(fā)明的測試結(jié)構(gòu)，無需增加額外的面積，能夠與標準CMOS工藝兼容，無需額外的光罩或工藝步驟。

技術(shù)研發(fā)人員：劉張李
受保護的技術(shù)使用者：上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2017.04.14
技術(shù)公布日：2017.08.04