本發(fā)明涉及一種偏向sic晶體的大邊、小邊精確定向方法，屬于晶體加工領(lǐng)域。

背景技術(shù)：

sic作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料的一員，具有禁帶寬度大、熱導(dǎo)率高、臨界擊穿場強高、化學(xué)性能穩(wěn)定等優(yōu)異的性質(zhì)?；谶@些性質(zhì)，sic材料在高溫、高頻、高壓、大功率、光電子及抗輻射等方面具有巨大的引用潛力。目前，sic基電子器件已被廣泛應(yīng)用于航空航天、智能電網(wǎng)、混合動力汽車等領(lǐng)域。

目前常用的sic襯底材料為4h-sic、6h-sic，它們均屬于六方晶系。襯底表面一般為(0001)面或(0001)面附近的近鄰面。根據(jù)半導(dǎo)體業(yè)界傳統(tǒng)的要求，需要在半導(dǎo)體襯底材料上做定位邊來標記晶體的晶向。在4h-sic或6h-sic單晶中存在兩個定位邊，分別為主定位邊(大邊)、副定位邊(小邊)。主定位邊指向晶體學(xué)[1-100]方向，副定位邊指向晶體學(xué)[11-20]方向，主定位邊與副定位邊之間呈90°夾角。此外，在sic襯底中，定位邊還能夠表明晶體偏向的方向。如同質(zhì)外延sic薄膜時采用的(0001)偏向[11-20]方向4°或8°的襯底材料，此時襯底表面的法線方向偏向小邊方向，并與[0001]方向成4°或8°的夾角。當襯底的大邊、小邊位置定向不準時，會嚴重影響襯底的后期使用，如容易導(dǎo)致采用該襯底外延的sic薄膜中產(chǎn)生多型夾雜等問題。因此準確定位大邊、小邊的方向?qū)γ枋鼍w的晶向及偏角具有重要意義。

當sic單晶生長完成后，一般需要經(jīng)過磨平面、晶體定向、滾圓、磨定位邊、切割、研磨、拋光等過程，最終加工成sic襯底。目前在對晶體定向時，一般有兩種方法。第一種方法是按照籽晶生長大邊的位置確定晶體的大邊、小邊方向：將籽晶的大邊作為晶體的大邊方向，然后在與生長大邊垂直90°方向上確定小邊。當采用該方法時，晶體大邊、小邊定向的準確性嚴重受籽晶大邊、小邊定向準確性的影響，當籽晶的大邊、小邊定向不準確時，該方法得到的晶體的大邊、小邊方向通常也不準確。同時，生長大邊在生長結(jié)束后有時無法明確辨別，需要憑借經(jīng)驗進行尋找生長大邊，因此導(dǎo)致此方法中人為因素引入的誤差較大。第二種方法是先將晶體進行磨平面，然后再將晶體進行初步滾圓，得到圓柱形晶體，再采用x射線定向儀，實現(xiàn)對晶體的大邊、小邊方向進行精確定向，最后對晶體進行二次滾圓，將晶體直徑滾成目標直徑。該方法雖然能夠?qū)崿F(xiàn)對大邊、小邊方向的精確定向，但實際采用x射線定向儀定向過程中，需要不斷轉(zhuǎn)動晶體的外圓，步驟繁瑣。同時，該步驟中晶體需要進行兩次滾圓，而第二次滾圓時晶體容易發(fā)生開裂，因此該定向方法，實際操作過程步驟繁瑣，且增大了晶體開裂的風險。

中國專利cn203542884u公開了一種用于sic單晶定位邊定向的夾具。該夾具作為sic單晶晶體加工過程中定向儀定向、平面磨床磨定位邊的輔助工具，能夠?qū)⒋_定定位邊后的晶體準確的移動到平面磨床進行下一步加工。該方法中，通過升降旋轉(zhuǎn)電機旋轉(zhuǎn)晶體尋找sic單晶的衍射面。由于六方sic的對稱性，采用此方法能夠準確的定位出6個完全等價的(11-20)面和6個完全等價的(1-100)面，因此該方法能夠準確定位出正向晶體的定位邊。但，當晶體為偏向生長晶體時，此方法雖然也能夠定位出的6個(11-20)面和6個(1-100)面，但此時6個(11-20)面、(1-100)面已經(jīng)不再等價，其中僅有1個(11-20)面、(1-100)面能夠用于描述晶體的偏向。該方法中得到定位邊的方位后需將晶體轉(zhuǎn)移至磨床，無法再對晶體的表面進行進一步定向。因此使用該方法無法對偏向晶體的定位邊定向，也無法與后續(xù)工序無縫配合。此外，該方法中的夾具需要步進電機，在定向過程中若晶體旋轉(zhuǎn)過快，x射線定向儀的靈敏度無法實現(xiàn)同步；若晶體旋轉(zhuǎn)過慢，在對晶體端面360°旋轉(zhuǎn)的過程中費時較長。因此，此方法中步進電機旋轉(zhuǎn)晶體在實際操作過程中可用性不強。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)中的不足，本發(fā)明提供一種偏向sic晶體的大邊、小邊精確定向方法。

術(shù)語說明：

偏向sic晶體：本發(fā)明中指，偏向的sic單晶表面法線不是c軸，而是sic單晶硅面法線偏離<11-20>或<1-100>方向一小角度。偏向sic單晶的表面不是c面，而是與c面存在一定夾角的近鄰面。

大邊：指sic單晶晶體的主定位邊，方向為<1-100>。對六方sic單晶而言，在正向晶體中存在6個完全等價的大邊。

小邊：指sic單晶晶體的副定位邊，方向為<11-20>。對六方sic單晶而言，在正向晶體中存在6個完全等價的小邊。

生長大邊：本發(fā)明中指sic晶體背部籽晶的主定位邊。

生長小邊：本發(fā)明中指sic晶體背部籽晶的副定位邊。

籽晶面：本發(fā)明中指晶體含有籽晶的面。

原生面：本發(fā)明中指晶體的生長面，此面一般不平整，存在凸率。

本發(fā)明的技術(shù)方案如下：

一種偏向sic晶體的大邊、小邊精確定向方法，包括：

提供進行過磨平面處理的偏向sic晶體，提供x射線定向儀；

標記偏向sic晶體的生長大邊、生長小邊；

選取偏向sic晶體的衍射面，將x射線定向儀的探測器位置固定在該衍射面發(fā)生布拉格衍射位置處，測試位于(0001)面與(11-20)面或(0001)面與(1-100)面之間衍射面衍射角的位置，在磨平的平面內(nèi)旋轉(zhuǎn)晶體，不斷測試調(diào)整晶體表面的衍射方向，直至測得的衍射角與偏向后的理論值一致，實現(xiàn)對偏向sic晶體大邊、小邊的精確定向。

根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選的，所述的定向方法包括步驟如下：

(1)將偏向sic晶體的籽晶面、原生面進行磨平面處理，獲得上下表面都平整的sic晶體；

(2)在磨平面的上表面內(nèi)，用游標卡尺找到晶體的中心點(即晶體的圓心)，標記為o；觀察籽晶面找出生長大邊點標記為點c；過晶體中心點o與生長大邊點c作直線，直線與晶體周邊弧線的交點為a，a為生長大邊對面點；過晶體中心點o作直線ac的垂線，垂線與晶體周邊弧線的交點標記為b、d；如附圖1所示；

(3)當步驟(1)中的偏向sic晶體偏<11-20>方向時，根據(jù)x射線衍射理論和晶體表面偏向可知，平行于<11-20>方向(即bo、do方向)的衍射角會發(fā)生變化，變化值為晶體的偏角，而垂直于<11-20>方向(即ao、co方向)的衍射角將不會發(fā)生變化。選取(11-2n)作為衍射面，將x射線定向儀的探測器位置固定在該衍射面發(fā)生布拉格衍射位置處，分別測試bo方向和do方向的衍射角，(一般在偏向的情況下，此時bo、do方向的測試結(jié)果與偏向后的理論值不同，需要經(jīng)過后期定向?qū)ふ倚∵叿较?，作bo的垂線m1n1，并分別測試m1o，n1o方向的衍射角度；若m1o方向的衍射角度比bo方向的衍射角度更接近偏向后的理論值，則真正的小邊點或小邊對面點位于弧ab段；若n1o方向的衍射角度比bo方向的衍射角度更接近偏向后的理論值，則真正的小邊點或小邊對面點位于弧bc段，如圖2所示；

當步驟(1)中的偏向sic晶體偏<1-100>方向時，根據(jù)x射線衍射理論和晶體表面偏向可知，平行于<1-100>方向(即ao、co方向)的衍射角會發(fā)生變化，變化值為晶體的偏角，而垂直于<1-100>方向(即bo、do方向)的衍射角將不會發(fā)生變化。選取(1-10n)作為衍射面，將x射線定向儀的探測器位置固定在該衍射面發(fā)生布拉格衍射位置處，分別測試ao方向和co方向的衍射角，(一般在偏向的情況下，此時ao、co方向的測試結(jié)果與偏向后的理論值不同，需要經(jīng)過后期定向?qū)ふ掖筮叿较?，作co的垂線m1n1，分別測試m1o，n1o方向的衍射角度；若m1o方向的衍射角度比co方向的衍射角度更接近偏向后的理論值，則真正的大邊點位于弧dc段；若n1o方向的衍射角度比co方向的衍射角度更接近偏向后的理論值，則真正的大邊點位于弧bc段，如圖3所示；

(4)在步驟(3)確定弧段的基礎(chǔ)上，進一步在弧段對應(yīng)的直線m1n1上作點m2，m3，……或者n2，n3，……，分別測試m2o、m3o……方向的衍射角或者n2o、n3o……方向的衍射角，直至mio方向或nio方向測試的衍射角與偏向后的理論值相符，確定點mi或ni；如圖2，3所示；

(5)當步驟(1)中的偏向sic晶體偏<11-20>方向時，將步驟(4)中確定的mi或ni點與圓心o相連，并延長mio或nio至弧線ab或bc的交點為點b’；延長b’o至與晶體周邊弧線相交于點d’；過o點作d’b’的垂線，垂線與晶體周邊弧線的交點為點a’、點c’，點a’為大邊對面點，點c’為大邊點，確定晶體大邊、小邊，如圖4所示；

當步驟(1)中的偏向sic晶體偏<1-100>方向時，將步驟(4)中確定的mi或ni點與圓心o相連，并延長mio或nio至弧線dc或bc的交點為點c’，c’是大邊點；延長c’o至與晶體周邊弧線相交于點a’，點a’為大邊對面點；過o點作a’c’的垂線，垂線與晶體周邊弧線的交點為點b’、點d’，確定晶體大邊、小邊，如圖5所示；

(6)將x射線定向儀的探測器固定在(000y)面發(fā)生布拉格衍射位置處，測量a'o、b'o、c'o、d'o方向的衍射角，此時，平行于晶體偏向的方向衍射角會發(fā)生變化，變化值為晶體的偏角，而垂直于晶體偏向的方向不會發(fā)生變化，由此可知a'o、b'o、c'o、d'o方向的理論衍射角。若實際測得的a'o、b'o、c'o、d'o方向衍射角值與偏向后的理論值相同，則說明大邊、小邊定向準確；若實際測得的a'o、b'o、c'o、d'o方向衍射角值與偏向后的理論值存在差異值，且差異值大于允許誤差范圍，則說明步驟(4)中的mi或ni點的位置不準確，需重復(fù)步驟(4)直至找到最優(yōu)的mi或ni點，然后再進行步驟(5)、(6)的操作。

根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選的，還包括步驟(7)，當晶體偏<11-20>方向時，用定向儀測試大邊方向平面的衍射角，測試大邊方向平面是否為(1-100)面；當晶體偏<1-100>方向時，用定向儀測試小邊方向平面的衍射角值，測試小邊方向平面是否為(11-20)面。進一步驗證定向的準確性。這是由于當晶體偏<11-20>方向時，晶體的小邊平面不再是(11-20)面，而是與(11-20)面有一偏角，但此時大邊方向平面仍為準確的(1-100)面，因此需采用大邊方向平面進行驗證。當晶體偏<1-100>方向時，晶體的大邊平面不再是(1-100)面，而是與(1-100)面有一偏角，但此時小邊方向平面仍為準確的(11-20)面，因此需采用小邊方向平面進行驗證。

進一步優(yōu)選的，步驟(7)中，當晶體偏<11-20>方向時，用金剛石砂輪磨出sic晶體大邊平面，將探測器置于(1-100)面發(fā)生衍射的2θ處，用x射線定向儀測試大邊方向平面的衍射角值，判斷大邊方向平面是為(1-100)面，驗證此次定向的準確性：當測試的大邊方向平面的衍射角值為(1-100)面的布拉格衍射角θ時，說明定向準確，否則說明不準確；當晶體偏<1-100>方向時，用金剛石砂輪磨出sic晶體小邊平面，將探測器位置置于(11-20)面發(fā)生衍射的2θ處，用x射線定向儀測試小邊方向平面的衍射角值，判斷小邊方向平面為(11-20)面，驗證此次定向的準確性：當測試的小邊方向平面的衍射角值為(11-20)面的布拉格衍射角θ時，說明定向準確，否則說明不準確。

sic晶體中某一衍射面內(nèi)發(fā)生衍射時的理論布拉格角度θ和探測器位置2θ的數(shù)值可根據(jù)布拉格方程及sic單晶的晶胞參數(shù)計算得到。

根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選的，步驟(1)中的偏向sic晶體為直徑2英寸～6英寸，偏<11-20>或<1-100>方向1°～8°的4h-sic晶體；或者為直徑2英寸～6英寸，偏<11-20>或<1-100>方向1°～8°的6h-sic晶體。

進一步優(yōu)選的，當步驟(1)中的偏向sic晶體為4h-sic晶體時，步驟(2)中點o、a、b、c、d標記于碳面上，分別代表晶體中心點、生長大邊對面點、生長小邊點、生長大邊點、生長小邊對面點；步驟(3)中的n＝4或8；步驟(6)中y＝4，將x射線定向儀的探測器固定在(0004)面發(fā)生布拉格衍射位置處；

當步驟(1)中的偏向sic晶體為6h-sic晶體時，步驟(2)中點o、a、b、c、d標記于硅面上，分別代表晶體中心點、生長大邊對面點、生長小邊對面點、生長大邊點、生長小邊點；步驟(3)中的n＝6或12；步驟(6)中y＝6，將x射線定向儀的探測器固定在(0006)面發(fā)生布拉格衍射位置處。

根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選的，步驟(3)中點o與線段m1n1的垂直距離為15～30mm。

根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選的，步驟(3)中點m1、n1與線段bo或co的垂直距離為2～10mm。

根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選的，步驟(4)中，mi與mi-1的間距為2～5mm，ni與ni-1的間距為2～5mm。

根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選的，步驟(6)中，設(shè)衍射角值與偏向后理論值的差異值為a，允許誤差范圍為0°＜a＜0.1°，當測試的衍射角值與偏向后的理論值相差0.1°及以上時，認為定向不準確，需重復(fù)步驟(4)～(6)的操作。

本發(fā)明可實現(xiàn)對直徑2英寸～6英寸，偏<11-20>或<1-100>方向1°～8°的4h-sic或6h-sic單晶的大邊、小邊精確定位，適用性廣。

本發(fā)明上述方法中未做詳細限定的部分均按本領(lǐng)域現(xiàn)有技術(shù)。

本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有如下優(yōu)點：

(1)本發(fā)明中的定向方法，巧妙利用了選取的衍射面與(11-20)面或(1-100)面之間存在交線，交線即為小邊或大邊的特點，精確地確定了偏向sic晶體的大邊、小邊方向。該方法避免了直接采用籽晶生長大邊進行定向帶來的人為誤差，大幅度提高定向的精度，定向誤差不超過0.1°。

(2)本發(fā)明中的定向方法，在實現(xiàn)對大邊、小邊精確定向的同時，無需對晶體進行二次滾圓，降低了晶體開裂的風險。

(3)本發(fā)明中的定向方法，通過測試不同區(qū)域衍射角的偏差，人為旋轉(zhuǎn)晶體，避免了步進電機旋轉(zhuǎn)晶體的盲目性，節(jié)省了時間，提高了效率。

(4)本發(fā)明中的定向方法，可在現(xiàn)有的定向儀設(shè)備上進行，簡單實用，易于推廣。

附圖說明

圖1是按照籽晶大邊在碳面上標記的4h-sic晶體生長大邊、生長小邊位置示意圖。o為晶體中心點，a為生長大邊對面點，b為生長小邊點，c為生長大邊點，d為生長小邊對面點。

圖2是本發(fā)明中，偏<11-20>方向4h-sic單晶大邊、小邊方向精確定位示意圖。

圖3是本發(fā)明中，偏<1-100>方向4h-sic單晶大邊、小邊方向精確定位示意圖。

圖4是本發(fā)明中，偏<11-20>方向4h-sic單晶精確定向大邊、小邊位置示意圖。a’為大邊對面點，b’為小邊點，c’為大邊點，d’為小邊對面點。

圖5是本發(fā)明中，偏<1-100>方向4h-sic單晶精確定向大邊、小邊位置示意圖。a’為大邊對面點，b’為小邊點，c’為大邊點，d’為小邊對面點。

具體實施方式

下面結(jié)合具體實施例對本發(fā)明做進一步說明，但不限于此。

實施例1

一種偏向sic晶體的大邊、小邊精確定向方法，具體包括操作步驟如下：

(1)將偏<11-20>方向1°的直徑2英寸4h-sic晶體的籽晶面、原生面進行磨平面處理，獲得平整的sic晶體。

(2)在磨平面的上表面內(nèi)，用游標卡尺找到晶體的中心(即晶體的圓心)，標記為o。觀察籽晶面找出生長大邊點并在碳面上標記為點c。過晶體中心點o與生長大邊點c作直線，直線與晶體周邊弧線的交點為a，a為生長大邊對面點。過晶體中心點o作直線ac的垂線，垂線與晶體周邊弧線的交點標記為b、d，其中點b為生長小邊點，d為生長小邊對面點。

(3)選取(11-24)面作為衍射面，用x射線定向儀的探測器固定在71.97°，測試bo方向和do方向的衍射角，測得衍射角分別為36.79°，35.19°。該值與標準值36.99°，34.99°存在差異，需要進一步尋找小邊方向。作bo的垂線m1n1，線段m1n1與點o的垂直距離為15mm，點m1、n1與線段bo的垂直距離均為2mm。測試m1o，n1o方向的衍射角度，分別為36.74°，36.84°。n1o方向的衍射角度(36.84°)比bo方向的衍射角度(36.79°)更接近偏向后的理論值(36.99°)，所以判斷出真正的小邊點位于弧bc段。

(4)在步驟(3)確定弧bc段的基礎(chǔ)上，進一步在弧段對應(yīng)的直線m1n1線段上作點n2，n3，……，ni與ni-1的間距為2mm，分別測試n2o、n3o，……方向的衍射角，直至在n5o方向測試的衍射角為36.99°，確定點n5。

(5)將步驟(4)中的n5點與圓心o相連，并延長n5o至弧線bc的交點為點b’，則b’是小邊點。延長b’o至d’，則d’為小邊對面點；過o點作d’b’的垂線，垂線與晶體周邊弧線的交點為a’、c’。則a’為大邊對面點，c’為大邊點。確定晶體大邊、小邊。

(6)將x射線定向儀的探測器固定在(0004)面發(fā)生布拉格衍射位置(35.6°)處，測試a’o、b’o、c’o、d’o方向的衍射角，分別為17.78°，18.80°，17.82°，16.80°，與偏向后對應(yīng)的理論值17.80°，18.80°，17.80°，16.80°相差0.02°，小于0.1°，說明此次大邊、小邊定位準確。

(7)用金剛石砂輪磨出sic晶體大邊方向平面，將x射線定向儀的探測器固定在(1-100)面發(fā)生布拉格衍射(33.65°)處，測試大邊方向平面的衍射角為16.82°，說明大邊方向的平面為(1-100)面，此次定向正確。

實施例2

與實施例1所述的一種偏向sic晶體的大邊、小邊精確定向方法，其不同之處在于：

步驟(1)中，晶體為偏<1-100>方向8°的直徑6英寸4h-sic晶體。

步驟(3)中，選取(1-104)面作為衍射面，將x射線定向儀的探測器固定在49.87°，測試ao方向和co方向的衍射角，測得衍射角分別為18.35°，31.51°。該值與標準值16.93°，32.93°存在差異，需要進一步尋找大邊方向。作co的垂線m1n1，線段m1n1與點o的垂直距離為30mm，點m1、n1與線段co的垂直距離均為10mm。測試m1o，n1o方向的衍射角度，分別為32.05°，31.37°。m1o方向的衍射角度(32.05°)比co方向的衍射角度(31.51°)更接近偏向后的理論值(32.93°)，判斷出真正的大邊點位于弧cd段。

步驟(4)中，在步驟(3)確定弧cd段的基礎(chǔ)上，進一步在弧段對應(yīng)的直線m1n1上作點m2，m3，……，mi與mi-1的間距為5mm，分別測試m2o、m3o，……方向的衍射角，直至在m7o方向測試的衍射角為32.93°，確定點m7。

步驟(5)中，將步驟(4)中的m7點與圓心o相連，并延長m7o至弧線cd的交點為點c’，則c’是大邊點。延長c’o至a’，則a’為大邊對面點；過o點作a’c’的垂線，垂線與晶體周邊弧線的交點為b’、d’。則b’為小邊點，d’為小邊對面點。

步驟(6)中，將x射線定向儀的探測器固定在(0004)面發(fā)生布拉格衍射位置(35.6°)處，測試a’o、b’o、c’o、d’o方向的衍射角，分別為9.89°，17.83°，25.71°，17.77°，與偏向后對應(yīng)的理論值9.80°，17.80°，25.80°，17.80°相差為0.09°，小于0.1°，說明此次大邊、小邊定位準確。

步驟(7)中，用金剛石砂輪磨出sic晶體小邊方向平面，將x射線定向儀的探測器固定在(11-20)面發(fā)生布拉格衍射(60.18°)處，測試小邊方向平面的衍射角為30.09°，說明小邊方向的平面為(11-20)面，此次定向正確。

實施例3

與實施例1所述的一種偏向sic晶體的大邊、小邊精確定向方法，其不同之處在于：

步驟(1)中，晶體為偏<11-20>方向4°的直徑4英寸6h-sic晶體。

步驟(2)中，用游標卡尺找到晶體的中心(即晶體的圓心)，并在硅面標記為o。觀察籽晶面找出生長大邊點并標記為點c。過晶體中心點o與生長大邊點c作直線，直線與晶體周邊弧線的交點為a，a為生長大邊對面點。過晶體中心點o作直線ac的垂線，垂線與晶體周邊弧線的交點標記為b、d，其中點b為生長小邊對面點，d為生長小邊點。由于6h-sic晶體與4h-sic晶體的標記面不同，一個是硅面，一個是碳面，二者的b、d指代會對調(diào)，但都能由做垂線方法定位小邊。

步驟(3)中，選取(11-212)面作為衍射面，將x射線定向儀的探測器固定在104.73°，測試bo方向和do方向的衍射角，測得衍射角分別為55.46°，49.26°。該值與標準值56.36°，48.36°存在差異，需要進一步尋找小邊方向。作bo的垂線m1n1，線段m1n1與點o的垂直距離為15mm，點m1、n1與線段bo的垂直距離均為4mm。測試m1o，n1o方向的衍射角度，分別為55.59°，55.30°。m1o方向的衍射角度(55.59°)比bo方向的衍射角度(55.46°)更接近偏向后的理論值(56.36°)，根據(jù)此次的測試結(jié)果判斷出真正的小邊對面點位于弧ab段。

步驟(4)中，在步驟(3)確定弧ab段的基礎(chǔ)上，進一步在m1n1上作點m2，m3，……，mi與mi-1的間距為3mm，分別測試m2o、m3o，……方向的衍射角，直至在m6o方向測試的衍射角為56.36°，確定點m6。

步驟(5)中，將步驟(4)中的m6點與圓心o相連，并延長m6o至弧線ab的交點為點b’，則b’是小邊對面點。延長b’o至d’，則d’為小邊點；過o點作d’b’的垂線，垂線與晶體周邊弧線的交點為點a’、點c’。則a’為大邊對面點，c’為大邊點。

步驟(6)中，將x射線定向儀的探測器固定在(0006)面發(fā)生布拉格衍射位置(35.6°)處，測試a’o、b’o、c’o、d’o方向的衍射角，分別為17.80°，21.81°，17.80°，13.79°，與偏向后對應(yīng)的理論值17.80°，21.80°，17.80°，13.80°相差為0.01°，小于0.1°，說明此次大邊、小邊定位準確。

步驟(7)中，用金剛石砂輪磨出sic晶體大邊方向平面，將x射線定向儀的探測器固定在(1-100)面發(fā)生布拉格衍射(33.65°)處，測試大邊方向平面的衍射角為16.83°，說明大邊方向的平面為(1-100)面，此次定向正確。