技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種偏向SiC晶體的大邊、小邊精確定向方法，屬于晶體加工領(lǐng)域，方法包括提供進行過磨平面處理的偏向SiC晶體，提供X射線定向儀；標(biāo)記偏向SiC晶體的生長大邊、生長小邊；選取偏向SiC晶體的衍射面，將X射線定向儀的探測器位置固定在該衍射面發(fā)生布拉格衍射位置處，測試位于(0001)面與(11?20)面或(0001)面與(1?100)面之間衍射面衍射角的位置，在磨平的平面內(nèi)旋轉(zhuǎn)晶體，不斷測試調(diào)整晶體表面的衍射方向，直至測得的衍射角與偏向后的理論值一致，實現(xiàn)對偏向SiC晶體大邊、小邊的精確定向。本方法定位準(zhǔn)確，誤差小，無需對晶體進行二次滾圓，降低了晶體開裂的風(fēng)險。

技術(shù)研發(fā)人員：陳秀芳;謝雪健;胡小波;徐現(xiàn)剛;張磊
受保護的技術(shù)使用者：山東大學(xué);國網(wǎng)山東省電力公司電力科學(xué)研究院
技術(shù)研發(fā)日：2017.04.25
技術(shù)公布日：2017.07.28