技術特征：

技術總結
本發(fā)明公開了一種銅?鐵普魯士藍納米材料修飾電極、制備方法及其應用。所述修飾電極是以ITO玻璃電極為基底，所述基底表面依次沉積Cu納米粒子和CuHCF納米粒子；采用循環(huán)伏安法，在?0.3~1.2?V，10?mV/s條件下，檢測所述修飾電極對卡托普利的電化學響應，在0.65?vs.SCE左右有一對穩(wěn)定的氧化還原峰；并對卡托普利有明顯的催化氧化效果。本發(fā)明所述電極制備工藝簡單、方便，對卡托普利的檢測具有靈敏度高、線性范圍大、穩(wěn)定性和重復性好等優(yōu)點。

技術研發(fā)人員：單丹;田曉旸;張光耀;宗麗萍
受保護的技術使用者：南京理工大學
技術研發(fā)日：2017.06.07
技術公布日：2017.11.07