本實(shí)用新型屬于晶圓測(cè)試裝置技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種抗干擾晶圓測(cè)試機(jī)外殼。

背景技術(shù)：

芯片制造流程主要可分為IC設(shè)計(jì)、晶圓制程、晶圓測(cè)試及晶圓封裝四大步驟。在晶圓測(cè)試階段，通常是由測(cè)試機(jī)臺(tái)與探針卡共同構(gòu)建一個(gè)測(cè)試環(huán)境，在此環(huán)境下測(cè)試晶圓上的晶片，以確保各個(gè)晶片的電氣特性與功能都符合設(shè)計(jì)的規(guī)格和規(guī)范。未能通過(guò)測(cè)試的晶片將會(huì)被標(biāo)記為不良產(chǎn)品或者壞片，在其后的切割封裝階段將被剔除。只有通過(guò)測(cè)試的晶片才會(huì)被封裝為芯片?，F(xiàn)有晶圓測(cè)試設(shè)備檢測(cè)效率低，不能同時(shí)進(jìn)行多工位側(cè)視，且測(cè)試信號(hào)容易受到電壓的影響，電壓不穩(wěn)定將會(huì)對(duì)測(cè)試信號(hào)產(chǎn)生震蕩，影響測(cè)試結(jié)果。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型的目的在于提供一種抗干擾晶圓測(cè)試機(jī)外殼，以解決上述背景技術(shù)中提出的問(wèn)題。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供如下技術(shù)方案：一種抗干擾晶圓測(cè)試機(jī)外殼，包括本體外殼和測(cè)試機(jī)，所述本體外殼的內(nèi)頂部固定連接于探針臺(tái)的上端，所述探針臺(tái)上安裝有探針卡，所述本體外殼內(nèi)底部固定連接于支柱的底端，所述支柱固定連接于測(cè)試臺(tái)的下表面，所述測(cè)試臺(tái)的上表面通過(guò)負(fù)壓吸附固定有轉(zhuǎn)接板，所述轉(zhuǎn)接板上電性連接有待測(cè)晶圓，所述探針臺(tái)通過(guò)屏蔽信號(hào)線電性連接于測(cè)試機(jī)，所述測(cè)試機(jī)電性連接有顯示模塊。

優(yōu)選的，所述測(cè)試機(jī)內(nèi)設(shè)有穩(wěn)壓電路，所述穩(wěn)壓電路內(nèi)包括LDO穩(wěn)壓器。

優(yōu)選的，所述測(cè)試臺(tái)的表面設(shè)有環(huán)形負(fù)壓吸附槽，所述負(fù)壓吸附槽相互連通，所述支柱內(nèi)部設(shè)有負(fù)壓通道，所述負(fù)壓通道的頂部固定連接于負(fù)壓吸附槽，所述負(fù)壓通道的底部通過(guò)管道連接于負(fù)壓泵。

優(yōu)選的，所述轉(zhuǎn)接板的底部固定連接有一層橡膠墊。

優(yōu)選的，所述，所述轉(zhuǎn)接板上包括與待測(cè)晶圓上MOS管電性連接的印刷電路，所述印刷電路包括串聯(lián)和并聯(lián)電路，所述印刷電路設(shè)有測(cè)試電路接線端。

優(yōu)選的，所述本體外殼為絕緣材料制成，且本體外殼的內(nèi)部設(shè)有接地金屬屏蔽網(wǎng)。

本實(shí)用新型的技術(shù)效果和優(yōu)點(diǎn)：該抗干擾晶圓測(cè)試機(jī)外殼，通過(guò)轉(zhuǎn)接板上的串聯(lián)和并聯(lián)電路可以對(duì)MOS產(chǎn)品進(jìn)行多工位同時(shí)檢測(cè)，提高效率；通過(guò)LDO穩(wěn)壓器電路，可以有效的對(duì)輸出電壓進(jìn)行穩(wěn)定，減小信號(hào)震蕩，有利于檢測(cè)結(jié)果的準(zhǔn)確。

附圖說(shuō)明

圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本實(shí)用新型的轉(zhuǎn)接板結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本實(shí)用新型的測(cè)試臺(tái)結(jié)構(gòu)示意圖。

圖中：1顯示模塊、2探針卡、3探針臺(tái)、4本體外殼、5轉(zhuǎn)接板、501測(cè)試電路接線端、6測(cè)試臺(tái)、601負(fù)壓吸附槽、7支柱、701負(fù)壓通道、8測(cè)試機(jī)、9待測(cè)晶圓、901 MOS管、10屏蔽信號(hào)線。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本實(shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。

本實(shí)用新型提供了如圖1-3所示的一種抗干擾晶圓測(cè)試機(jī)外殼，包括本體外殼4和測(cè)試機(jī)8，所述本體外殼4的內(nèi)頂部固定連接于探針臺(tái)3的上端，所述探針臺(tái)3上安裝有探針卡2，所述本體外殼4內(nèi)底部固定連接于支柱7的底端，所述支柱7固定連接于測(cè)試臺(tái)6的下表面，所述測(cè)試臺(tái)6的上表面通過(guò)負(fù)壓吸附固定有轉(zhuǎn)接板5，所述轉(zhuǎn)接板5上電性連接有待測(cè)晶圓9，所述探針臺(tái)3通過(guò)屏蔽信號(hào)線10電性連接于測(cè)試機(jī)8，所述測(cè)試機(jī)8電性連接有顯示模塊1。

進(jìn)一步的，所述測(cè)試機(jī)8內(nèi)設(shè)有穩(wěn)壓電路，所述穩(wěn)壓電路內(nèi)包括LDO穩(wěn)壓器，由于測(cè)試機(jī)8在高壓條件下對(duì)晶圓測(cè)試具有電壓不穩(wěn)定性，不穩(wěn)定的輸出電壓容易產(chǎn)生信號(hào)的震蕩，影響檢測(cè)結(jié)果，通過(guò)LDO穩(wěn)壓器電路，可以有效的對(duì)輸出電壓進(jìn)行穩(wěn)定，減小信號(hào)震蕩，有利于檢測(cè)結(jié)果的準(zhǔn)確。

進(jìn)一步的，所述測(cè)試臺(tái)6的表面設(shè)有環(huán)形負(fù)壓吸附槽601，所述負(fù)壓吸附槽601相互連通，所述支柱7內(nèi)部設(shè)有負(fù)壓通道701，所述負(fù)壓通道701的頂部固定連接于負(fù)壓吸附槽601，所述負(fù)壓通道701的底部通過(guò)管道連接于負(fù)壓泵，通過(guò)負(fù)壓泵在負(fù)壓吸附槽601內(nèi)形成負(fù)壓，可以對(duì)轉(zhuǎn)接板5的底部進(jìn)行固定，且不會(huì)對(duì)轉(zhuǎn)接板5上的電路形成磨損。

進(jìn)一步的，所述轉(zhuǎn)接板5的底部固定連接有一層橡膠墊，通過(guò)橡膠墊，可以有效的與負(fù)壓吸附槽601的槽口相密合，提高固定效果。

進(jìn)一步的，所述，所述轉(zhuǎn)接板5上包括與待測(cè)晶圓9上MOS管901電性連接的印刷電路，所述印刷電路包括串聯(lián)和并聯(lián)電路，所述印刷電路設(shè)有測(cè)試電路接線端501，通過(guò)串聯(lián)和并聯(lián)電路可以對(duì)MOS產(chǎn)品進(jìn)行多工位同時(shí)檢測(cè)，提高效率。

進(jìn)一步的，所述本體外殼4為絕緣材料制成，且本體外殼4的內(nèi)部設(shè)有接地金屬屏蔽網(wǎng)，可以有效的屏蔽外界電磁干擾檢測(cè)，確保檢測(cè)準(zhǔn)確。

具體的，使用時(shí)，將待測(cè)晶圓9接入轉(zhuǎn)接板5，調(diào)整測(cè)試機(jī)8發(fā)出的測(cè)試電流通過(guò)探針臺(tái)3將信號(hào)分配至探針卡2，將探針卡2上的測(cè)試探針接觸待測(cè)晶圓9，通過(guò)轉(zhuǎn)接板5上的串聯(lián)和并聯(lián)電路可以對(duì)MOS產(chǎn)品進(jìn)行多工位同時(shí)檢測(cè)，提高效率，通過(guò)LDO穩(wěn)壓器電路，可以有效的對(duì)輸出電壓進(jìn)行穩(wěn)定，減小信號(hào)震蕩，有利于檢測(cè)結(jié)果的準(zhǔn)確。

最后應(yīng)說(shuō)明的是：以上所述僅為本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不用于限制本實(shí)用新型，盡管參照前述實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行了詳細(xì)的說(shuō)明，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，其依然可以對(duì)前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對(duì)其中部分技術(shù)特征進(jìn)行等同替換,凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。