本發(fā)明屬于dip類型封裝器件測試，具體涉及一種自識別切換的dip類型封裝器件測試裝置。

背景技術(shù)：

1、電性能測試是檢測電子元器件性能的關(guān)鍵步驟，通過測試一些特定的參數(shù)指標(biāo)來檢測元器件的性能，從而評估電氣設(shè)備和電子產(chǎn)品的性能。電性能測試是保證電氣設(shè)備和電子產(chǎn)品可靠性和穩(wěn)定性的重要手段。類如為了確保mosfet的正常運(yùn)行并符合規(guī)格要求，一個有效的方法是通過追蹤其i-v曲線來確定其特性。通過設(shè)置源表vstart初始電壓，vstep步進(jìn)電壓進(jìn)行階梯式電壓輸入，并連接被測器件的柵極g或漏極d，測量其漏電流電參數(shù)，并驗(yàn)證器件的耐電壓特性以及漏電流情況，判斷被測器件的好壞。

2、目前由于可靠性測試標(biāo)準(zhǔn)存在測試數(shù)量要求且芯片設(shè)計(jì)驗(yàn)證為了降低成本，會在劃片槽(scribe?line)或者芯片中放置testkey(用于測試集成電路的結(jié)構(gòu))，且每條testkey可能存在兩個及以上相同結(jié)構(gòu)連接或者每個dip封裝存在兩條不同split結(jié)構(gòu)的testkey連接pad并通過引線引出電極，iv電性測試過程中，需對dip封裝中每個測試結(jié)構(gòu)進(jìn)行電性測試，以此對比不同split下的電性能以及驗(yàn)證器件的可靠性。由于dip封裝內(nèi)每條testkey內(nèi)具有兩種相同結(jié)構(gòu)(圖1)或者是封裝有兩條testkey(圖2)，且對于測試數(shù)量的要求，需進(jìn)行測試結(jié)構(gòu)的分別測量，打線在不同的pad上就需要對測試治具板進(jìn)行更換以此進(jìn)行前后測試結(jié)構(gòu)的對應(yīng)i-v測量,且需要將dip封裝器件取下裝置另一塊治具板，大大增加了測試時間，線路的插拔也使得i-v測試存在人員操作失誤的風(fēng)險導(dǎo)致器件被靜電擊穿和線路連接錯誤。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明的主要目的在于提供一種自識別切換的dip類型封裝器件測試裝置，其對于g極識別且能自動切換測試電路，解決該測試方案需要人工手動辨別，使整個測試流程風(fēng)險更低，效率更高。

2、為達(dá)到以上目的，本發(fā)明提供一種自識別切換的dip類型封裝器件測試裝置，包括夾緊測試電路、控制電路、dac輸出電路、adc采樣電路和通道選擇電路，其中：

3、所述夾緊測試電路包括ic夾緊座j2、門極連接端(t7/t10)、漏極連接端(t8/t11)和源極連接端(t9/t12)，門極、漏極和源極連接端即源表測試口，所述ic夾緊座用于放置待檢測的芯片并且所述門極連接端、所述漏極連接端和所述源極連接端分別連接源表；

4、所述通道選擇電路包括繼電器k1、繼電器k2、繼電器k3、繼電器k4和繼電器k5，所述控制電路包括控制器u2，所述dac輸出電路包括繼電器k6，所述adc采樣電路包括繼電器k7，所述漏極連接端一路通過電阻r24與所述繼電器k4的2管腳電性連接并且另一路與所述繼電器k7的1管腳電性連接；

5、所述源極連接端的一路與所述繼電器k3的1管腳電性連接，所述繼電器k3的2管腳與所述ic夾緊座j2的1管腳電性連接并且所述繼電器k3的3管腳與所述ic夾緊座j2的5管腳電性連接；所述源極連接端的另一路與所述繼電器k5的2管腳電性連接；

6、所述門極連接端的一路與所述繼電器k1的1管腳電性連接，所述繼電器k1的2管腳與所述ic夾緊座j2的28管腳電性連接并且所述繼電器k1的3管腳與所述ic夾緊座j2的3管腳電性連接；所述門極連接端的另一路與所述繼電器k6的1管腳電性連接。

7、作為上述技術(shù)方案的進(jìn)一步優(yōu)選的技術(shù)方案，所述繼電器k1的4管腳與三極管q1的集電極電性連接，三極管q1的基極通過電阻r1與所述控制器u2的46管腳電性連接；

8、所述繼電器k2的4管腳與三極管q2的集電極電性連接，三極管q2的基極通過電阻r4與所述控制器u2的49管腳電性連接；所述繼電器k2的1管腳與所述ic夾緊座j2的26管腳電性連接；

9、所述繼電器k3的4管腳與三極管q3的集電極電性連接，三極管q3的基極通過電阻r7與所述控制器u2的50管腳電性連接；

10、所述繼電器k4的4管腳與三極管q6的集電極電性連接，三極管q6的基極通過電阻r15與所述控制器u2的22管腳電性連接；

11、所述繼電器k5的4管腳與三極管q7的集電極電性連接，三極管q7的基極通過電阻r18與所述控制器u2的23管腳電性連接。

12、作為上述技術(shù)方案的進(jìn)一步優(yōu)選的技術(shù)方案，所述繼電器k6的4管腳與三極管q8的集電極電性連接，三極管q8的基極通過電阻r21與所述控制器u2的41管腳電性連接；

13、所述繼電器k6的2管腳通過電阻r14分別與三極管q4的發(fā)射極和三極管q5的集電極連接，所述三極管q4的基極和所述三極管q5的基極均通過電阻r13與運(yùn)放器u3的輸出端連接，運(yùn)放器u3的正極輸入端與所述控制器u2的20管腳電性連接。

14、作為上述技術(shù)方案的進(jìn)一步優(yōu)選的技術(shù)方案，所述繼電器k7的2管腳一路通過電阻r28接地并且另一路與所述控制器u2的14管腳電性連接；

15、所述繼電器k7的4管腳與三極管q9的集電極電性連接，三極管q9的基極通過電阻r25與所述控制器u2的42管腳電性連接。

16、作為上述技術(shù)方案的進(jìn)一步優(yōu)選的技術(shù)方案，繼電器k1-k3為單刀雙擲開關(guān)，用于選擇源表連接到芯片的路徑；

17、繼電器k4-k7為單刀單擲開關(guān)，用于門極位置的檢測。

18、作為上述技術(shù)方案的進(jìn)一步優(yōu)選的技術(shù)方案，當(dāng)測試芯片插入ic夾緊座j2后進(jìn)行測試，測試具體實(shí)施為以下步驟：

19、步驟s1：進(jìn)行門極位置檢測，通過控制電路使得繼電器k4-k7全部閉合，繼電器k1-k3為第一位置；

20、步驟s2：dac輸出電路工作，經(jīng)過電壓跟隨和放大后，通過繼電器k6和k1，加載到ic夾緊座(dip28)的gate1位置(28管腳)；

21、步驟s3：adc采樣電路對測試芯片的漏極進(jìn)行采樣，若adc采集到電壓小于正確預(yù)設(shè)值(0.7v)，則表示測試芯片插入ic夾緊座的初始位置正確(即測試芯片的門極位置正好插入gate1位置)并且該測試芯片的門極檢測合格，則執(zhí)行步驟s7，若adc采集到的電壓大于故障閾值(2v+)表示當(dāng)前測試芯片插入ic夾緊座的位置不正確(即測試芯片的門極位置不是在gate1位置，而是在gate2位置)或者(門極位置gate1正確時)測試芯片損壞，執(zhí)行步驟s4；

22、步驟s4：通過控制電路使得dac輸出電路關(guān)閉，繼電器k1-k3切換到第二位置；

23、步驟s5：dac輸出電路工作，經(jīng)過電壓跟隨和放大后，通過繼電器k6和k1，加載到ic夾緊座(dip28)的gate2位置(3管腳)；

24、步驟s6：adc采樣電路對測試芯片的漏極進(jìn)行采樣，若adc采集到電壓小于正確閾值，則表示該測試芯片的門極位置為gate2位置并且該測試芯片的門極檢測合格，繼續(xù)執(zhí)行步驟s7，若adc采集到的電壓依舊大于故障閾值，則提示該測試芯片損壞；

25、步驟s7：dac輸出電路關(guān)閉，繼電器k4-k7全部斷開，并且執(zhí)行在源表的i-v測試程序(即在源表進(jìn)行測試芯片的i-v測試)。

26、作為上述技術(shù)方案的進(jìn)一步優(yōu)選的技術(shù)方案，對于繼電器k1-k3為第一位置時，繼電器k1的1管腳和2管腳接通，繼電器k2的1管腳和2管腳接通，繼電器k3的1管腳和2管腳接通；ic夾緊座j2(dip28)的source2(5管腳)和gate2(3管腳)懸空，source1(1管腳)和b端(26管腳)短路并連接至源極連接端(t9、t12)，drain(22管腳)連接至漏極連接端，gate1(28管腳)連接至門極連接端；

27、對于繼電器k1-k3切換到第二位置時，繼電器k1的1管腳和3管腳接通，繼電器k2的1管腳和3管腳接通，繼電器k3的1管腳和3管腳接通；ic夾緊座j2(dip28)的source1和gate1懸空，gate2和b端短路并連接至門極連接端，drain連接至漏極連接端，source2連接至源極連接端。

28、作為上述技術(shù)方案的進(jìn)一步優(yōu)選的技術(shù)方案，當(dāng)測試芯片的門極位置與ic夾緊座j2(dip28)的gate1或者gate2對齊時，即測試芯片的門極被加載開啟電壓，測試芯片會被導(dǎo)通，測試芯片的漏極(與j2的22管腳連接)會被拉到低電平，adc采集電路采集到的電壓為測試芯片結(jié)電壓，數(shù)值小于正確預(yù)設(shè)值，當(dāng)采集到的電壓大于故障閾值(2.3v)，則說明測試芯片沒有導(dǎo)通現(xiàn)象(損壞)。