本技術(shù)涉及igbt缺陷檢測(cè)，尤其涉及一種基于關(guān)斷過程?hào)艠O電壓的igbt缺陷定位方法及系統(tǒng)。

背景技術(shù)：

1、絕緣柵雙極型晶體管（insulated?gate?bipolar?transistor，igbt）是由雙極型三極管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件。隨著電子技術(shù)的發(fā)展，絕緣柵雙極型晶體管的應(yīng)用場(chǎng)合越來越廣泛，如，在新能源換流器、柔性直流輸電設(shè)備和動(dòng)態(tài)無功補(bǔ)償設(shè)備等場(chǎng)合得到了廣泛的應(yīng)用。因此，對(duì)igbt進(jìn)行缺陷檢測(cè)非常具有意義。

2、目前，主要是對(duì)igbt內(nèi)部是否發(fā)生了缺陷進(jìn)行檢測(cè)，檢測(cè)方法單一，不能定位igbt的內(nèi)部缺陷，比如，通過柵極放電電荷量分析缺陷情況，可以部分反映igbt內(nèi)部是否發(fā)生了缺陷，但是無法確定igbt的內(nèi)部缺陷。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中的至少一個(gè)問題，本技術(shù)提出了一種基于關(guān)斷過程?hào)艠O電壓的igbt缺陷定位方法及系統(tǒng)，能夠?qū)崿F(xiàn)igbt內(nèi)部缺陷的定位，便于接下來對(duì)igbt的維護(hù)。

2、為了解決上述技術(shù)問題，本技術(shù)提供以下技術(shù)方案：

3、第一方面，本技術(shù)提供一種基于關(guān)斷過程?hào)艠O電壓的igbt缺陷定位方法，包括：

4、獲取目標(biāo)igbt的芯片總數(shù)和檢測(cè)數(shù)據(jù)，所述檢測(cè)數(shù)據(jù)包括：在所述關(guān)斷過程的柵極電壓下降階段的正常柵極電壓、實(shí)際柵極電壓、第一正常時(shí)長(zhǎng)、第一實(shí)際時(shí)長(zhǎng)、在所述關(guān)斷過程的米勒平臺(tái)階段的第二正常時(shí)長(zhǎng)和第二實(shí)際時(shí)長(zhǎng)；

5、根據(jù)所述目標(biāo)igbt的芯片總數(shù)和檢測(cè)數(shù)據(jù)，完成所述目標(biāo)igbt的內(nèi)部缺陷定位；

6、所述根據(jù)所述目標(biāo)igbt的芯片總數(shù)和檢測(cè)數(shù)據(jù)，完成所述目標(biāo)igbt的內(nèi)部缺陷定位，包括：

7、檢測(cè)所述實(shí)際柵極電壓是否大于正常柵極電壓，若是，則定位所述目標(biāo)igbt的內(nèi)部缺陷為第一柵射極回路缺陷；

8、檢測(cè)所述第一實(shí)際時(shí)長(zhǎng)是否小于第一正常時(shí)長(zhǎng)，若是，則定位所述目標(biāo)igbt的內(nèi)部缺陷為第二柵射極回路缺陷；

9、檢測(cè)所述第二實(shí)際時(shí)長(zhǎng)是否小于第二正常時(shí)長(zhǎng)，若是，則定位所述目標(biāo)igbt的內(nèi)部缺陷為集柵極回路缺陷；

10、所述的基于關(guān)斷過程?hào)艠O電壓的igbt缺陷定位方法，還包括：

11、若所述內(nèi)部缺陷包括第一柵射極回路缺陷、第二柵射極回路缺陷和集柵極回路缺陷，則確定所述目標(biāo)igbt為柵極缺陷；

12、若所述內(nèi)部缺陷包括第一柵射極回路缺陷和第二柵射極回路缺陷，不包括集柵極回路缺陷，則確定所述目標(biāo)igbt為發(fā)射極缺陷；

13、若所述內(nèi)部缺陷包括集柵極回路缺陷，不包括第一柵射極回路缺陷和第二柵射極回路缺陷，則確定所述目標(biāo)igbt為集電極缺陷；

14、在所述定位所述目標(biāo)igbt的內(nèi)部缺陷為第一柵射極回路缺陷之后，還包括：

15、根據(jù)所述正常柵極電壓、實(shí)際柵極電壓、芯片總數(shù)和預(yù)獲取的柵極閾值電壓，確定所述目標(biāo)igbt發(fā)生第一柵射極回路缺陷的芯片數(shù)量；

16、在所述定位所述目標(biāo)igbt的內(nèi)部缺陷為第二柵射極回路缺陷之后，還包括：

17、根據(jù)所述第一正常時(shí)長(zhǎng)、第一實(shí)際時(shí)長(zhǎng)和芯片總數(shù)，確定所述目標(biāo)igbt發(fā)生第二柵射極回路缺陷的芯片數(shù)量；

18、在所述定位所述目標(biāo)igbt的內(nèi)部缺陷為集柵極回路缺陷之后，還包括：

19、根據(jù)所述第二正常時(shí)長(zhǎng)和第二實(shí)際時(shí)長(zhǎng)和芯片總數(shù)，確定所述目標(biāo)igbt發(fā)生集柵極回路缺陷的芯片數(shù)量；

20、所述獲取目標(biāo)igbt的芯片總數(shù)和檢測(cè)數(shù)據(jù)包括：

21、獲取目標(biāo)igbt的芯片總數(shù)、實(shí)際柵極電壓和集射極電壓波形以及在正常狀態(tài)下的柵極電壓和集射極電壓波形；

22、若實(shí)際柵極電壓和集射極電壓波形中，存在柵極電壓變化并且集射極電壓不變化的階段，則確定該階段為柵極電壓下降階段，對(duì)應(yīng)的時(shí)長(zhǎng)為柵極電壓下降階段的第一實(shí)際時(shí)長(zhǎng)，對(duì)應(yīng)的柵極電壓為柵極電壓下降階段的實(shí)際柵極電壓；若實(shí)際柵極電壓和集射極電壓波形中，存在柵極電壓不變化并且集射極電壓變化的階段，則確定該階段為米勒平臺(tái)階段，對(duì)應(yīng)的時(shí)長(zhǎng)為米勒平臺(tái)階段的第二實(shí)際時(shí)長(zhǎng)；

23、若正常狀態(tài)的柵極電壓和集射極電壓波形中，存在柵極電壓變化并且集射極電壓不變化的階段，則確定該階段為柵極電壓下降階段，對(duì)應(yīng)的時(shí)長(zhǎng)為柵極電壓下降階段的第一正常時(shí)長(zhǎng)，對(duì)應(yīng)的柵極電壓為柵極電壓下降階段的正常柵極電壓；若正常狀態(tài)的柵極電壓和集射極電壓波形中，存在柵極電壓不變化并且集射極電壓變化的階段，則確定該階段為米勒平臺(tái)階段，對(duì)應(yīng)的時(shí)長(zhǎng)為米勒平臺(tái)階段的第二正常時(shí)長(zhǎng)。

24、在一個(gè)實(shí)施例中，所述根據(jù)所述正常柵極電壓、實(shí)際柵極電壓、芯片總數(shù)和預(yù)獲取的柵極閾值電壓，確定所述目標(biāo)igbt發(fā)生第一柵射極回路缺陷的芯片數(shù)量，包括：

25、根據(jù)下列式子確定發(fā)生第一柵射極回路缺陷的芯片數(shù)量 m1：

26、

27、其中，n表示芯片總數(shù)， umiller表示所述正常柵極電壓， umiller，fault表示所述實(shí)際柵極電壓， u t表示柵極閾值電壓。

28、在一個(gè)實(shí)施例中，所述根據(jù)所述第一正常時(shí)長(zhǎng)、第一實(shí)際時(shí)長(zhǎng)和芯片總數(shù)，確定所述目標(biāo)igbt發(fā)生第二柵射極回路缺陷的芯片數(shù)量，包括：

29、根據(jù)下列公式確定所述目標(biāo)igbt發(fā)生第二柵射極回路缺陷的芯片數(shù)量 m2：

30、

31、其中，n表示芯片總數(shù)，δta= ta,fault- ta， ta,fault表示第一實(shí)際時(shí)長(zhǎng)，ta表示第一正常時(shí)長(zhǎng)。

32、在一個(gè)實(shí)施例中，所述根據(jù)所述第二正常時(shí)長(zhǎng)和第二實(shí)際時(shí)長(zhǎng)和芯片總數(shù)，確定所述目標(biāo)igbt發(fā)生集柵極回路缺陷的芯片數(shù)量，包括：

33、根據(jù)下列式子確定發(fā)生集柵極回路缺陷的芯片數(shù)量 m3：

34、

35、其中，n表示芯片總數(shù)， tb,faul表示第二實(shí)際時(shí)長(zhǎng)， tb表示第二正常時(shí)長(zhǎng)。

36、第二方面，本技術(shù)提供一種基于關(guān)斷過程?hào)艠O電壓的igbt缺陷定位系統(tǒng)，包括：

37、獲取裝置，用于獲取目標(biāo)igbt的芯片總數(shù)和檢測(cè)數(shù)據(jù)，所述檢測(cè)數(shù)據(jù)包括：在所述關(guān)斷過程的柵極電壓下降階段的正常柵極電壓、實(shí)際柵極電壓、第一正常時(shí)長(zhǎng)、第一實(shí)際時(shí)長(zhǎng)、在所述關(guān)斷過程的米勒平臺(tái)階段的第二正常時(shí)長(zhǎng)和第二實(shí)際時(shí)長(zhǎng)；

38、檢測(cè)裝置，用于根據(jù)所述目標(biāo)igbt的芯片總數(shù)和檢測(cè)數(shù)據(jù)，完成所述目標(biāo)igbt的內(nèi)部缺陷定位；

39、所述檢測(cè)裝置，包括：

40、第一檢測(cè)模塊，用于檢測(cè)所述實(shí)際柵極電壓是否大于正常柵極電壓，若是，則定位所述目標(biāo)igbt的內(nèi)部缺陷為第一柵射極回路缺陷；

41、第二檢測(cè)模塊，用于檢測(cè)所述第一實(shí)際時(shí)長(zhǎng)是否小于第一正常時(shí)長(zhǎng)，若是，則定位所述目標(biāo)igbt的內(nèi)部缺陷為第二柵射極回路缺陷；

42、第三檢測(cè)模塊，用于檢測(cè)所述第二實(shí)際時(shí)長(zhǎng)是否小于第二正常時(shí)長(zhǎng)，若是，則定位所述目標(biāo)igbt的內(nèi)部缺陷為集柵極回路缺陷；

43、所述的基于關(guān)斷過程?hào)艠O電壓的igbt缺陷定位系統(tǒng)，還包括：

44、第一定位裝置，用于若所述內(nèi)部缺陷包括第一柵射極回路缺陷、第二柵射極回路缺陷和集柵極回路缺陷，則確定所述目標(biāo)igbt為柵極缺陷；

45、第二定位裝置，用于若所述內(nèi)部缺陷包括第一柵射極回路缺陷和第二柵射極回路缺陷，不包括集柵極回路缺陷，則確定所述目標(biāo)igbt為發(fā)射極缺陷；

46、第三定位裝置，用于若所述內(nèi)部缺陷包括集柵極回路缺陷，不包括第一柵射極回路缺陷和第二柵射極回路缺陷，則確定所述目標(biāo)igbt為集電極缺陷；

47、所述的基于關(guān)斷過程?hào)艠O電壓的igbt缺陷定位系統(tǒng)，還包括：

48、第一數(shù)量確定裝置，用于根據(jù)所述正常柵極電壓、實(shí)際柵極電壓、芯片總數(shù)和預(yù)獲取的柵極閾值電壓，確定所述目標(biāo)igbt發(fā)生第一柵射極回路缺陷的芯片數(shù)量；

49、所述的基于關(guān)斷過程?hào)艠O電壓的igbt缺陷定位系統(tǒng)，還包括：

50、第二數(shù)量確定裝置，用于根據(jù)所述第一正常時(shí)長(zhǎng)、第一實(shí)際時(shí)長(zhǎng)和芯片總數(shù)，確定所述目標(biāo)igbt發(fā)生第二柵射極回路缺陷的芯片數(shù)量；

51、所述的基于關(guān)斷過程?hào)艠O電壓的igbt缺陷定位系統(tǒng)，還包括：

52、第三數(shù)量確定裝置，用于根據(jù)所述第二正常時(shí)長(zhǎng)和第二實(shí)際時(shí)長(zhǎng)和芯片總數(shù)，確定所述目標(biāo)igbt發(fā)生集柵極回路缺陷的芯片數(shù)量；

53、所述獲取裝置包括：

54、獲取模塊，用于獲取目標(biāo)igbt的芯片總數(shù)、實(shí)際柵極電壓和集射極電壓波形以及在正常狀態(tài)下的柵極電壓和集射極電壓波形；

55、第一確定模塊，用于若實(shí)際柵極電壓和集射極電壓波形中，存在柵極電壓變化并且集射極電壓不變化的階段，則確定該階段為柵極電壓下降階段，對(duì)應(yīng)的時(shí)長(zhǎng)為柵極電壓下降階段的第一實(shí)際時(shí)長(zhǎng)，對(duì)應(yīng)的柵極電壓為柵極電壓下降階段的實(shí)際柵極電壓；若實(shí)際柵極電壓和集射極電壓波形中，存在柵極電壓不變化并且集射極電壓變化的階段，則確定該階段為米勒平臺(tái)階段，對(duì)應(yīng)的時(shí)長(zhǎng)為米勒平臺(tái)階段的第二實(shí)際時(shí)長(zhǎng)；

56、第二確定模塊，用于若正常狀態(tài)的柵極電壓和集射極電壓波形中，存在柵極電壓變化并且集射極電壓不變化的階段，則確定該階段為柵極電壓下降階段，對(duì)應(yīng)的時(shí)長(zhǎng)為柵極電壓下降階段的第一正常時(shí)長(zhǎng)，對(duì)應(yīng)的柵極電壓為柵極電壓下降階段的正常柵極電壓；若正常狀態(tài)的柵極電壓和集射極電壓波形中，存在柵極電壓不變化并且集射極電壓變化的階段，則確定該階段為米勒平臺(tái)階段，對(duì)應(yīng)的時(shí)長(zhǎng)為米勒平臺(tái)階段的第二正常時(shí)長(zhǎng)。

57、在一個(gè)實(shí)施例中，所述第一數(shù)量確定裝置用于：

58、根據(jù)下列式子確定發(fā)生第一柵射極回路缺陷的芯片數(shù)量 m1：

59、

60、其中，n表示芯片總數(shù)， umiller表示所述正常柵極電壓， umiller，fault表示所述實(shí)際柵極電壓， u t表示柵極閾值電壓。

61、在一個(gè)實(shí)施例中，所述第二數(shù)量確定裝置用于：

62、根據(jù)下列公式確定所述目標(biāo)igbt發(fā)生第二柵射極回路缺陷的芯片數(shù)量 m2：

63、

64、其中，n表示芯片總數(shù)，δta= ta,fault- ta， ta,fault表示第一實(shí)際時(shí)長(zhǎng)，ta表示第一正常時(shí)長(zhǎng)。

65、在一個(gè)實(shí)施例中，所述第三數(shù)量確定裝置用于：

66、根據(jù)下列式子確定發(fā)生集柵極回路缺陷的芯片數(shù)量 m3：

67、

68、其中，n表示芯片總數(shù)， tb,faul表示第二實(shí)際時(shí)長(zhǎng)， tb表示第二正常時(shí)長(zhǎng)。

69、第三方面，本技術(shù)提供一種電子設(shè)備，包括存儲(chǔ)器、處理器及存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器上并可在處理器上運(yùn)行的計(jì)算機(jī)程序，所述處理器執(zhí)行所述程序時(shí)實(shí)現(xiàn)所述的基于關(guān)斷過程?hào)艠O電壓的igbt缺陷定位方法。

70、第四方面，本技術(shù)提供一種計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，其上存儲(chǔ)有計(jì)算機(jī)指令，所述指令被處理器執(zhí)行時(shí)實(shí)現(xiàn)所述的基于關(guān)斷過程?hào)艠O電壓的igbt缺陷定位方法。

71、由上述技術(shù)方案可知，本技術(shù)提供一種基于關(guān)斷過程?hào)艠O電壓的igbt缺陷定位方法及系統(tǒng)，能夠?qū)崿F(xiàn)igbt內(nèi)部缺陷的定位，便于接下來對(duì)igbt的維護(hù)。