技術(shù)特征：

1.一種基于關(guān)斷過(guò)程?hào)艠O電壓的igbt缺陷定位方法，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于關(guān)斷過(guò)程?hào)艠O電壓的igbt缺陷定位方法，其特征在于，所述根據(jù)所述正常柵極電壓、實(shí)際柵極電壓、芯片總數(shù)和預(yù)獲取的柵極閾值電壓，確定所述目標(biāo)igbt發(fā)生第一柵射極回路缺陷的芯片數(shù)量，包括：

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于關(guān)斷過(guò)程?hào)艠O電壓的igbt缺陷定位方法，其特征在于，所述根據(jù)所述第一正常時(shí)長(zhǎng)、第一實(shí)際時(shí)長(zhǎng)和芯片總數(shù)，確定所述目標(biāo)igbt發(fā)生第二柵射極回路缺陷的芯片數(shù)量，包括：

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于關(guān)斷過(guò)程?hào)艠O電壓的igbt缺陷定位方法，其特征在于，所述根據(jù)所述第二正常時(shí)長(zhǎng)和第二實(shí)際時(shí)長(zhǎng)和芯片總數(shù)，確定所述目標(biāo)igbt發(fā)生集柵極回路缺陷的芯片數(shù)量，包括：

5.一種基于關(guān)斷過(guò)程?hào)艠O電壓的igbt缺陷定位系統(tǒng)，其特征在于，包括：

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的基于關(guān)斷過(guò)程?hào)艠O電壓的igbt缺陷定位系統(tǒng)，其特征在于，所述第一數(shù)量確定裝置用于：

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的基于關(guān)斷過(guò)程?hào)艠O電壓的igbt缺陷定位系統(tǒng)，其特征在于，所述第二數(shù)量確定裝置用于：

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的基于關(guān)斷過(guò)程?hào)艠O電壓的igbt缺陷定位系統(tǒng)，其特征在于，所述第三數(shù)量確定裝置用于：

9.一種電子設(shè)備，包括存儲(chǔ)器、處理器及存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器上并可在處理器上運(yùn)行的計(jì)算機(jī)程序，其特征在于，所述處理器執(zhí)行所述程序時(shí)實(shí)現(xiàn)權(quán)利要求1至4任一項(xiàng)所述的基于關(guān)斷過(guò)程?hào)艠O電壓的igbt缺陷定位方法。

10.一種計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，其上存儲(chǔ)有計(jì)算機(jī)指令，其特征在于，所述指令被處理器執(zhí)行時(shí)實(shí)現(xiàn)權(quán)利要求1至4任一項(xiàng)所述的基于關(guān)斷過(guò)程?hào)艠O電壓的igbt缺陷定位方法。

技術(shù)總結(jié)
本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N基于關(guān)斷過(guò)程?hào)艠O電壓的IGBT缺陷定位方法及系統(tǒng)，該方法包括：獲取目標(biāo)IGBT的芯片總數(shù)和檢測(cè)數(shù)據(jù)，所述檢測(cè)數(shù)據(jù)包括：在所述關(guān)斷過(guò)程的柵極電壓下降階段的正常柵極電壓、實(shí)際柵極電壓、第一正常時(shí)長(zhǎng)、第一實(shí)際時(shí)長(zhǎng)、在所述關(guān)斷過(guò)程的米勒平臺(tái)階段的第二正常時(shí)長(zhǎng)和第二實(shí)際時(shí)長(zhǎng)；根據(jù)所述目標(biāo)IGBT的芯片總數(shù)和檢測(cè)數(shù)據(jù)，完成所述目標(biāo)IGBT的內(nèi)部缺陷定位。本申請(qǐng)能夠?qū)崿F(xiàn)IGBT內(nèi)部缺陷的定位，便于接下來(lái)對(duì)IGBT的維護(hù)。

技術(shù)研發(fā)人員：袁文遷,季一潤(rùn),袁茜,槐青,楊敏祥,高巖峰,郝震,盧毅,宋鵬,李雨,黃彬,劉蓁,謝麗芳
受保護(hù)的技術(shù)使用者：華北電力科學(xué)研究院有限責(zé)任公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/2