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噴墨印刷平面三電極體系的制備方法和應(yīng)用_3

文檔序號(hào):9921121閱讀:來(lái)源:國(guó)知局
購(gòu)買的商用銀/氯化銀參比電極進(jìn)行比較,測(cè)試制備的銀/氯化銀參比電極是否可以替代購(gòu)買的商用銀/氯化銀參比電極,具體操作如下:
采用三電極體系測(cè)試銀一氯化銀參比電極,商用鉑片電極作為對(duì)電極,工作電極采用同一根玻碳電極,參比電極分別采用購(gòu)買的商用銀/氯化銀參比電極和噴墨印刷制備的銀/氯化銀參比電極(自制銀/氯化銀參比電極),電解液為5mM鐵氰化鉀溶液(鐵氰化鉀體系在中性水溶液體系中的電化學(xué)行為是可逆過(guò)程,其氧化峰和還原峰對(duì)稱,并且體系本身很穩(wěn)定),掃速為5011^/8,電勢(shì)范圍為-0.2 - 0.6V;結(jié)果如圖7C所示,其中a曲線為對(duì)照的商用銀/氯化銀參比電極循環(huán)伏安曲線圖。b曲線為噴墨印刷制備的銀/氯化銀參比電極循環(huán)伏安曲線圖。
[0037]制備好的銀/氯化銀參比電極與傳統(tǒng)的商用銀/氯化銀參比電極具有很好的一致性(具體表現(xiàn)為對(duì)照的商用銀/氯化銀參比電極氧化峰為0.270V,還原峰為0.189V,AV=0.081V;噴墨印刷制備的銀/氯化銀參比電極氧化峰為0.261V,還原峰為0.158V,AV=
0.103V,相比于對(duì)照的商用銀/氯化銀參比電極氧化峰左移了0.009V,還原峰左移了
0.031V),可以制備成銀/氯化銀參比電極以代替商用的銀/氯化銀參比電極,最終制備成三電極芯片用于檢測(cè)以實(shí)現(xiàn)對(duì)電化學(xué)工作站檢測(cè)方法的替代。
4.平面鉑電極的制備:使用光刻法在基底材料上覆蓋掩模,在如圖1D所示位置留空。將玻片放于小型濺射儀中,通過(guò)小型離子濺射儀將材料濺射在基底上,制得鉑電極層;洗去掩模材料獲得形狀如圖1D所示的鉑電極。將制備鉑電極與購(gòu)買的商用鉑片電極進(jìn)行比較,具體操作如下:
采用三電極體系測(cè)試鉑電極,工作電極采用同一根玻碳電極,參比電極采用購(gòu)買的商用銀/氯化銀參比電極,對(duì)電極分別采用商用鉑電極和濺射20mA.h,450s的鉑電極(自制鉑電極),電解液為5mM鐵氰化鉀溶液(鐵氰化鉀體系在中性水溶液體系中的電化學(xué)行為是可逆過(guò)程,其氧化峰和還原峰對(duì)稱,并且體系本身很穩(wěn)定),掃速為50mV/s,電勢(shì)范圍為-0.2 -
0.6V;結(jié)果如圖7 D所示,其中a曲線為對(duì)照的商用鉑片電極循環(huán)伏安曲線圖,b曲線為濺射制備的鉑電極循環(huán)伏安曲線圖。
[0038]制備好的鉑電極與傳統(tǒng)的商用鉑片電極具有很好的一致性(具體表現(xiàn)為對(duì)照的商用鉑片電極氧化峰為0.31OV,還原峰為0.205V,ΛV=0.105V;噴墨印刷制備的鉑電極氧化峰為0.294¥,還原峰為0.212¥,厶¥=0.082¥,相比于對(duì)照的商用鉑電極氧化峰左移了0.016¥,還原峰右移了 0.007V),可以制備成鉑電極以代替商用的鉑片電極,最終制備成三電極芯片(如圖4)用于檢測(cè)以實(shí)現(xiàn)對(duì)電化學(xué)工作站檢測(cè)方法的替代。
[0039]
采用噴墨印刷技術(shù)和濺射制備的平面三電極,如圖4所示。平面三電極芯片的有效性采用三聚氰胺和多巴胺的電化學(xué)檢測(cè)來(lái)進(jìn)行驗(yàn)證,具體如下:
Α.三聚氰胺的電化學(xué)檢測(cè):
1.使用噴墨印刷金電極組裝成平面三電極芯片進(jìn)行三聚氰胺循環(huán)伏安曲線測(cè)試(三聚氰胺(Melamine)的檢測(cè)采用3,4_ 二羥基苯乙酸(DOPAC)做識(shí)別物質(zhì)來(lái)進(jìn)行檢測(cè)),并與玻碳電極、商用金膜電極進(jìn)行比較,結(jié)果如圖8A所示。
[0040]具體操作如下:依次將玻碳電極(直徑3mm)、商用金膜電極(5mm*5mm)、自制金工作電極分別與商用鉑電極,購(gòu)買商用銀/氯化銀參比電極組裝成三電極進(jìn)行三聚氰胺循環(huán)伏安測(cè)試,電解液為0.0lM PBS溶液包含0.3mM DOPAC和1nM Melamine,掃速為50mV/s,電勢(shì)范圍為-0.2—0.5V,結(jié)果分別如圖8A中a、b、c曲線所示。然后依次將三電極用自制的三電極代替,其余條件同上,結(jié)果如圖8A中d曲線所示;內(nèi)插圖中a、b曲線與圖8A的a、b是同兩個(gè)曲線。
[0041]商用金膜電極的循環(huán)伏安曲線的電流響應(yīng)比玻碳電極大I倍,自制金電極的電流響應(yīng)比玻碳電極大25倍,自制三電極比玻碳電極大30倍,由此可知,在三聚氰胺的循環(huán)伏安測(cè)試中,由于納米金的高活性和高比表面積,自制金電極的電流響應(yīng)優(yōu)于商用金膜電極和商用玻碳電極。雖然將三個(gè)平面電極組合成芯片模式進(jìn)行測(cè)試后,電流響應(yīng)有所降低,但依然優(yōu)于商用金膜電極和商用玻碳電極在傳統(tǒng)三電極模式下的電流響應(yīng)。
[0042]2.使用噴墨印刷金電極組裝成平面三電極芯片進(jìn)行三聚氰胺微分脈沖伏安曲線測(cè)試,并與玻碳電極、商用金膜電極進(jìn)行比較,結(jié)果如圖SB所示。
[0043]具體操作如下:依次將玻碳電極、商用金膜電極、自制金電極分別與商用鉑電極,購(gòu)買商用銀/氯化銀參比電極組裝成三電極進(jìn)行三聚氰胺微分脈沖伏安曲線測(cè)試,電解液為0.0lM PBS溶液包含0.3mM DOPAC和1nM Melamine,振幅0.05V,脈沖寬度0.2s,樣品寬度0.0167s,脈沖周期0.5s,電勢(shì)范圍為-0.2—0.5V,結(jié)果分別如圖8B中a、b、c曲線所示。
[0044]然后依次將三電極用自制的三電極代替,其余條件同上,結(jié)果如圖SB中d曲線所示。內(nèi)插圖中a、b曲線與圖8B的a、b是同兩個(gè)曲線。
[0045]商用金膜電極的微分脈沖伏安曲線的電流響應(yīng)與玻碳電極差別不大,自制金電極的電流響應(yīng)比玻碳電極大450倍,自制三電極比玻碳電極大225倍,在三聚氰胺的微分脈沖測(cè)試中,由于納米金的高活性和高比表面積,自制金電極的電流響應(yīng)優(yōu)于商用金膜電極和商用玻碳電極。雖然將三個(gè)平面電極組合成芯片模式進(jìn)行測(cè)試后,電流響應(yīng)有所降低,但依然優(yōu)于商用金膜電極和商用玻碳電極在傳統(tǒng)模式下的電流響應(yīng)。
[0046]3.使用平面三電極芯片進(jìn)行相同濃度三聚氰胺不同掃速下循環(huán)伏安曲線測(cè)試,結(jié)果如圖8C所示。
[0047]平面三電極測(cè)試的三聚氰胺的同濃度不同掃速的循環(huán)伏安曲線圖,具體步驟:自制鉑電極作為對(duì)電極,參比電極采用自制的銀/氯化銀參比電極,工作電極采用自制金電極,且制備成芯片模式,電解液為0.0lM PBS溶液包含0.3mM DOPAC和1nM Melamine,掃速分別為20mV/s,50mV/s,100mV/s,電勢(shì)范圍為-0.2 - 0.5V;內(nèi)插圖為掃速的平方根與還原峰電流的線性關(guān)系圖,線性方程:Ipa(mA)=0.0034v1/2-0.04434,R2=0.9987,線性良好,循環(huán)伏安曲線數(shù)據(jù)顯示為擴(kuò)散控制過(guò)程。
[0048]4.使用平面三電極芯片進(jìn)行不同濃度下三聚氰胺循環(huán)微分脈沖伏安曲線測(cè)試,結(jié)果如圖8D所示。
[0049]平面三電極測(cè)試的三聚氰胺的不同濃度微分脈沖伏安曲線圖,具體步驟:自制鉑電極作為對(duì)電極,參比電極采用自制的銀/氯化銀參比電極,工作電極采用自制金電極,且制備成芯片模式,電解液為含有0.3mM DOPAC的0.0lM PBS溶液中分別加入1nM、50nM、10nM、500ηΜ ΙμΜ、5μΜ的三聚氰胺,振幅0.05V,脈沖寬度0.2s,樣品寬度0.0167s,脈沖周期0.5s,電勢(shì)范圍為-0.2—0.5V;內(nèi)插圖為濃度取對(duì)數(shù)與還原峰電流的線性關(guān)系圖,Ipa(mA)=-0.004541ogC (Μ)+0.00953,R2=0.998,靈敏度為I.82 xloVAmM—1Cnf2,線性良好,靈敏度高。
[0050]B.多巴胺的電化學(xué)檢測(cè)
1.將噴墨印刷金電極作為載體平臺(tái)經(jīng)過(guò)多壁碳納米管修飾后組裝成平面三電極芯片進(jìn)行多巴胺(DA)循環(huán)伏安曲線測(cè)試,并與玻碳電極修飾后、商用金膜修飾后電極進(jìn)行比較,結(jié)果如圖9A所不。
[0051 ] 具體操作如下:
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