技術(shù)特征：
1.一種基準(zhǔn)電壓源電路，其特征在于，包括：偏置電路，包括第一NMOS管、第二NMOS管和第一電阻，所述第二NMOS管的溝道寬長比大于所述第一NMOS管的溝道寬長比，所述第一NMOS管的源極接地，所述第二NMOS管的源極通過所述第一電阻接地，所述第一NMOS管的漏極和柵極以及所述第二NMOS管的柵極都連接第一偏置電壓，所述第一NMOS管的漏極連接第一電流路徑，所述第二NMOS管的漏極連接第二電流路徑，所述第一電流路徑和所述第二電流路徑互為鏡像；所述第一NMOS管和所述第二NMOS管工作于亞閾值區(qū)域，在所述第一電阻和所述第二NMOS管的源極的連接端提供具有正溫度系數(shù)的第一級(jí)柵源電壓差，所述第一級(jí)柵源電壓差為所述第一NMOS管和所述第二NMOS管之間的柵源電壓差；一級(jí)以上的柵源電壓差產(chǎn)生電路，各所述柵源電壓差產(chǎn)生電路包括第三NMOS管、第四NMOS管和第三電流路徑，所述第四NMOS管的源極連接所述第三NMOS管的漏極，所述第四NMOS管的漏極和柵極和所述第三NMOS管的柵極連接在一起且都連接到所述第三電流路徑，所述第三電流路徑和所述第一電流路徑互為鏡像；所述第四NMOS管的溝道寬長比大于所述第三NMOS管的溝道寬長比，所述第三NMOS管的源極連接前一級(jí)柵源電壓差，第一級(jí)的所述柵源電壓差產(chǎn)生電路的前一級(jí)柵源電壓差為所述第一級(jí)柵源電壓差，所述第三NMOS管和所述第四NMOS管都工作在亞閾值區(qū)域并在所述第三NMOS管的漏極輸出具有正溫度系數(shù)的當(dāng)前級(jí)柵源電壓差；基準(zhǔn)電壓輸出電路，包括第五NMOS管和第四電流路徑；所述第四電流路徑和所述第一電流路徑互為鏡像；所述第五NMOS管的柵極和漏極都連接所述第四電流路徑，所述第五NMOS管的漏極作為基準(zhǔn)電壓的輸出端，所述第五NMOS管的源極連接最后一級(jí)所述柵源電壓差產(chǎn)生電路所輸出的柵源電壓差；所述第五NMOS管工作在亞閾值區(qū)使所述第五NMOS管的柵源電壓具有負(fù)溫度系數(shù)；所述基準(zhǔn)電壓為所述第五NMOS管的柵源電壓和各級(jí)所述柵源電壓差的和，利用所述第五NMOS管的柵源電壓具有負(fù)溫度系數(shù)和各級(jí)所述柵源電壓差具有正溫度系數(shù)的特性實(shí)現(xiàn)溫度系數(shù)的抵消，使所述基準(zhǔn)電壓和溫度無關(guān)。2.如權(quán)利要求1所述的基準(zhǔn)電壓源電路，其特征在于：所述第一電流路徑、所述第二電流路徑、各級(jí)所述柵源電壓差產(chǎn)生電路的第三電流路徑和所述第四電流路徑都由一個(gè)PMOS管組成，各PMOS管的柵極連接在一起實(shí)現(xiàn)鏡像關(guān)系。3.如權(quán)利要求1或2所述的基準(zhǔn)電壓源電路，其特征在于：所述第一電流路徑、所述第二電流路徑、各級(jí)所述柵源電壓差產(chǎn)生電路的第三電流路徑和所述第四電流路徑的電流大小相等。4.如權(quán)利要求1所述的基準(zhǔn)電壓源電路，其特征在于：所述柵源電壓差產(chǎn)生電路的級(jí)數(shù)為兩級(jí)。