技術(shù)總結(jié)
本申請案涉及一種基于sram時序的物理不可克隆函數(shù)。揭示用于創(chuàng)建用于SRAM的物理不可克隆函數(shù)的方法和設(shè)備。一種實例方法包含在將電壓施加到存儲器陣列(204)之后：確定所述電壓的所述施加與第一位單元(206)的第一輸出之間的第一持續(xù)時間，所述第一輸出對應于存儲在所述第一位單元(206)中的第一值；以及確定所述電壓的所述施加與第二位單元(214)的第二輸出之間的第二持續(xù)時間，所述第二輸出對應于存儲在所述第二位單元(214)中的第二值。所述實例方法進一步包含基于所述第一持續(xù)時間和所述第二持續(xù)時間的比較確定一函數(shù)，所述函數(shù)建立包含所述存儲器陣列(204)的電路的識別。

技術(shù)研發(fā)人員：喬伊絲·廣;克萊夫·比特爾斯通;馬尼什·戈埃爾
受保護的技術(shù)使用者：德州儀器公司
文檔號碼：201610551132
技術(shù)研發(fā)日：2016.07.13
技術(shù)公布日：2017.01.25