技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及導(dǎo)電玻璃技術(shù)領(lǐng)域，尤其是一種雙面消影觸摸屏導(dǎo)電玻璃的加工方法。

背景技術(shù)：

目前，電容屏產(chǎn)品使用非常廣泛，而電容屏中的雙面鍍導(dǎo)電玻璃是其主要器件，雙面鍍導(dǎo)電玻璃的導(dǎo)電薄膜在性能方面要求比較嚴(yán)，比如均勻性、耐熱性能、耐酸堿性能、耐高溫高濕性能等；在制作透明電路的時(shí)候，由于工藝難度增加，在制作電路時(shí)常采用酸刻電路。在制作過(guò)程中，容易蝕刻掉不應(yīng)該刻蝕的部位，并且存在電路蝕刻的蝕痕影跡，影響其電磁屏蔽、靜電保護(hù)功能，存在的蝕痕影跡會(huì)對(duì)觀看圖案產(chǎn)生影響。

鑒于上述原因，現(xiàn)研發(fā)出一種雙面消影觸摸屏導(dǎo)電玻璃的加工方法。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的是為了克服現(xiàn)有技術(shù)中的不足，提供一種雙面消影觸摸屏導(dǎo)電玻璃的加工方法，具有良好的電磁屏蔽、靜電防護(hù)和消影作用，并且能夠完全代替現(xiàn)有的傳統(tǒng)導(dǎo)電玻璃，為下游客戶提供低耗能、高均勻性、低成本的制作電容屏用導(dǎo)電玻璃。

本發(fā)明為了實(shí)現(xiàn)上述目的，采用如下技術(shù)方案：一種雙面消影觸摸屏導(dǎo)電玻璃的加工方法，所述雙面消影觸摸屏導(dǎo)電玻璃是由上玻璃基板、錫面、空氣面、上干涉層一、上透明鈍化層、上透明層、上干涉層二、下玻璃基板、下干涉層、下透明鈍化層、下透明層、ITO膜構(gòu)成；上玻璃基板和下玻璃基板的兩個(gè)表面均為錫面和空氣面，上玻璃基板和下玻璃基板的空氣面對(duì)應(yīng)貼合，上玻璃基板上表面的錫面上方設(shè)置上干涉層一，上干涉層一與上透明層之間設(shè)置上透明鈍化層，上透明層上方設(shè)置上干涉層二，上干涉層二上方設(shè)置ITO膜，下玻璃基板下表面的錫面下方設(shè)置下干涉層，下干涉層與下透明層之間設(shè)置下透明鈍化層，下透明層下方設(shè)置ITO膜；

所述上透明鈍化層和下透明鈍化層均采用透明的二氧化硅或透明的氮氧化硅；

所述上干涉層一、上干涉層二和下干涉層均采用五氧化二鈮。

第一步，對(duì)上玻璃基板和下玻璃基板進(jìn)行處理，

A、對(duì)上玻璃基板和下玻璃基板進(jìn)行切割，先X切割，再Y切割，然后再掰片處理；

B、對(duì)切割后的上玻璃基板和下玻璃基板進(jìn)行磨邊和倒角，先X磨邊再倒角，旋轉(zhuǎn)90°再對(duì)Y磨邊及倒角；

C、刷洗吹干；

D、對(duì)磨邊和倒角后的上玻璃基板和下玻璃基板進(jìn)行拋光；

E、再刷洗吹干；

第二步，對(duì)上玻璃基板和下玻璃基板濺射上干涉層一、上透明鈍化層、上透明層、下干涉層、下透明鈍化層；

A、對(duì)拋光刷洗吹干后上玻璃基板和下玻璃基板沿空氣面粘合在一起進(jìn)行加熱；采用的加熱溫度為150-280攝氏度；

B、利用磁控濺射真空鍍膜設(shè)備對(duì)加熱后的上玻璃基板和下玻璃基板的錫面上同時(shí)濺射上干涉層一和下干涉層，上干涉層一和下干涉層均采用五氧化二鈮，上干涉層一上方和下干涉層的下方同時(shí)濺射上透明鈍化層和下透明鈍化層，上透明鈍化層和下透明鈍化層均采用透明的二氧化硅或透明的氮氧化硅，上透明鈍化層上方濺射上透明層；

第三步，在上玻璃基板和下玻璃基板第二步濺射的基礎(chǔ)上，進(jìn)行上干涉層二、下透明層和ITO膜濺射；

A、對(duì)第二步濺射后的上玻璃基板和下玻璃基板進(jìn)行加熱；加熱溫度采用280-380攝氏度；

B、利用磁控濺射真空鍍膜設(shè)備，對(duì)加熱后的上玻璃基板和下玻璃基板濺射，在上玻璃基板的上透明層上方和下玻璃基板的下透明鈍化層下方，同時(shí)進(jìn)行上干涉層二和下透明層濺射，上干涉層二采用五氧化二鈮，上干涉層二的上方和下透明層的下方同步濺射ITO膜；

C、對(duì)濺射ITO膜后的上玻璃基板和下玻璃基板，經(jīng)緩沖室做退火處理：先降溫至200攝氏度，再加溫至300攝氏度穩(wěn)定，完成對(duì)上玻璃基板和下玻璃基板的鍍膜。

本發(fā)明的有益效果是：本發(fā)明能夠保護(hù)氧化銦錫導(dǎo)電膜刻蝕線路，不受制作過(guò)程工藝中的酸溶液的蝕刻，避免在制作過(guò)程中蝕刻掉不應(yīng)該刻蝕的部位，在制作過(guò)程中使氧化銦錫導(dǎo)電膜刻蝕線路達(dá)到設(shè)計(jì)要求，具有良好的電磁屏蔽、靜電防護(hù)和消影作用，并且能夠完全代替現(xiàn)有的傳統(tǒng)導(dǎo)電玻璃，為下游客戶提供低耗能、高均勻性、低成本的制作電容屏用導(dǎo)電玻璃。

附圖說(shuō)明

下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說(shuō)明：

圖1是，總裝結(jié)構(gòu)示意圖；

圖1中：上玻璃基板1、錫面2、空氣面3、上干涉層一4、上透明鈍化層5、上透明層6、上干涉層二7、下玻璃基板8、下干涉層9、下透明鈍化層10、下透明層11、ITO膜12。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合實(shí)施例與具體實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明：

實(shí)施例1

上玻璃基板1和下玻璃基板8的兩個(gè)表面均為錫面2和空氣面3，上玻璃基板1和下玻璃基板8的空氣面3對(duì)應(yīng)貼合，上玻璃基板1上表面的錫面2上方設(shè)置上干涉層一4，上干涉層一4與上透明層6之間設(shè)置上透明鈍化層5，上透明層6上方設(shè)置上干涉層二7，上干涉層二7上方設(shè)置ITO膜12，下玻璃基板8下表面的錫面2下方設(shè)置下干涉層9，下干涉層9與下透明層11之間設(shè)置下透明鈍化層10，下透明層11下方設(shè)置ITO膜12；

所述上透明鈍化層5和下透明鈍化層10均采用透明的二氧化硅或透明的氮氧化硅；

所述上干涉層一4、上干涉層二7和下干涉層9均采用五氧化二鈮。

實(shí)施例2

第一步，對(duì)上玻璃基板1和下玻璃基板8進(jìn)行處理，

A、對(duì)上玻璃基板1和下玻璃基板8進(jìn)行切割，先X切割，再Y切割，然后再掰片處理；

B、對(duì)切割后的上玻璃基板1和下玻璃基板8進(jìn)行磨邊和倒角，先X磨邊，再倒角，旋轉(zhuǎn)90°再對(duì)Y磨邊及倒角；

C、刷洗吹干；

D、對(duì)磨邊和倒角后的上玻璃基板1和下玻璃基板8進(jìn)行拋光；

E、再刷洗吹干；

第二步，對(duì)上玻璃基板1和下玻璃基板8濺射上干涉層一4、上透明鈍化層5、上透明層6、下干涉層9、下透明鈍化層10；

A、對(duì)拋光刷洗吹干后上玻璃基板1和下玻璃基板8沿空氣面3粘合在一起進(jìn)行加熱；采用的加熱溫度為150-280攝氏度；

B、利用磁控濺射真空鍍膜設(shè)備對(duì)加熱后的上玻璃基板1和下玻璃基板8的錫面2上同時(shí)濺射上干涉層一4和下干涉層9，上干涉層一4和下干涉層9均采用五氧化二鈮，上干涉層一4上方和下干涉層9的下方同時(shí)濺射上透明鈍化層5和下透明鈍化層10，上透明鈍化層5和下透明鈍化層10均采用透明的二氧化硅或透明的氮氧化硅，上透明鈍化層5上方濺射上透明層6；

第三步，在上玻璃基板1和下玻璃基板8第二步濺射的基礎(chǔ)上，進(jìn)行上干涉層二7、下透明層11和ITO膜12濺射；

A、對(duì)第二步濺射后的上玻璃基板1和下玻璃基板8進(jìn)行加熱；加熱溫度采用280-380攝氏度；

B、利用磁控濺射真空鍍膜設(shè)備，對(duì)加熱后的上玻璃基板1和下玻璃基板8濺射，在上玻璃基板1的上透明層6上方和下玻璃基板8的下透明鈍化層10下方，同時(shí)進(jìn)行上干涉層二7和下透明層11濺射，上干涉層二7采用五氧化二鈮，上干涉層二7的上方和下透明層11的下方同步濺射ITO膜12；

C、對(duì)濺射ITO膜12后的上玻璃基板1和下玻璃基板8，經(jīng)緩沖室做退火處理：先降溫至200攝氏度，再加溫至300攝氏度穩(wěn)定，完成對(duì)上玻璃基板1和下玻璃基板8的鍍膜。