本發(fā)明涉及集成電路
技術領域：
，特別是涉及AlGaN/GaNHEMT小信號模型及其參數(shù)的提取方法。
背景技術：
：微波器件和電路是當今半導體技術的重要發(fā)展方向，在國防領域和民用領域均有廣泛應用。隨著通信技術的發(fā)展，微波器件及其電路的重要性日益提高?；贏lGaN/GaNHEMTs器件的微波單片集成電路(MonolithicMicrowaveIntegratedCircuit，MMIC)已經(jīng)達到了良好的性能指標。AlGaN/GaNHEMT其以工作頻率高、功率密度大、功率附加效率高、線性度好、輸入阻抗高、易匹配、耐高溫等明顯優(yōu)勢在微波電路中得到廣泛應用。AlGaN/GaNHEMTs器件的微波單片集成電路的設計，諸如放大器、振蕩器和混頻器等，都需要準確的器件模型，從而離不開器件的建模。器件建模在微波集成電路(MMIC)的設計過程中至關重要，有助于對設計的電路進行快速、精確、靈活的仿真?，F(xiàn)如今，提出了很多等效電路模型及模型參數(shù)的提取方法以方便于對器件的模擬仿真，其中Dambrine提出的模型最為經(jīng)典，等效電路模型如圖1所示，虛線框內的參數(shù)為器件的本征參數(shù)，包括跨導，溝道導通電阻，柵源電容等，本征參數(shù)隨著器件偏置電壓的不同而變化。虛線框外的參數(shù)為寄生參數(shù)，包括寄生電感，交互電容和接觸電阻，寄生參數(shù)由器件柵極、源極和漏極的電極引起，不隨器件偏置電壓的不同而變化。雖然Dambrine模型非常經(jīng)典，且有成熟的參數(shù)的提取方法，但是由于AlGaN/GaNHEMT器件廣泛應用于高頻領域，當器件工作于很高的頻率下時，器件尺寸可以和波長相比擬，柵源和柵漏金屬電極相當于共面波導傳輸線，其共面波導電容對器件在高頻工作下的影響非常大，傳統(tǒng)的小信號模型不能很好的表征器件在高頻下的工作狀態(tài)和器件特性。技術實現(xiàn)要素：基于此，有必要針對上述問題，提供一種能夠在高頻條件工作下，且能準確反映器件的工作狀態(tài)，提供小信號模型準確率的AlGaN/GaNHEMT小信號模型及模型參數(shù)的提取方法。一種AlGaN/GaNHEMT小信號模型，包括本征單元和寄生單元，其中，所述寄生單元包括柵源之間的第一共面波導電容柵漏之間的第二共面波導電容所述本征單元的第一端與柵極端連接，所述本征單元的第二端與所述漏極端連，所述本征單元的第三端與源極端連接；所述第一共面波導電容串接在所述本征單元的第一端與第三端之間，所述第二共面波導電容串接在所述本征單元的第一端與第二端之間。上述AlGaN/GaNHEMT小信號模型，在傳統(tǒng)的AlGaN/GaNHEMT小信號模型的基礎上，在寄生單元中增設了柵源之間的第一共面波導電容和柵漏之間的第二共面波導電容由于AlGaN/GaNHEMT器件與共面波導器件的結構有著相似之處，在高頻條件下，引入第一共面波導電容和第二共面波導電容也即，考慮了AlGaN/GaNHEMT器件的共面波導效應會引入額外寄生電容，可以更精準的反映AlGaN/GaNHEMT器件的工作狀態(tài)和器件特性，提高了器件模型準確率。在其中一個實施例中，所述寄生單元還包括柵極寄生電感Lg、源極寄生電感Ls、漏極寄生電感Ld、柵極寄生電阻Rg、源極寄生電阻Rs、漏極寄生電阻Rd、柵極PAD寄生電容Cpg、漏極PAD寄生電容Cpd；所述本征單元的第一端經(jīng)所述柵極寄生電阻Rg、柵極寄生電感Lg與所述柵極端連接；所述本征單元的第二端經(jīng)所述漏極寄生電阻Ld、漏極寄生電感Rd與所述漏極端連接；所述本征單元的第三端經(jīng)所述源極寄生電阻Rs、源極寄生電感Ls與所述源極端連接；所述第一共面波導電容的第一端與所述柵極寄生電阻Rg、柵極寄生電阻Rg的公共端連接；所述第一共面波導的第二端與所述源極寄生電阻Rs、源極寄生電感Ls的公共端連接；所述第二共面波導電容的第一端與所述第一共面波導電容的第一端連接；所述第二共面波導電容的第二端與所述漏極寄生電阻Ld、漏極寄生電感Rd的公共端連接；所述柵極PAD寄生電容Cpg串接在柵極端與源極端之間，所述漏極PAD寄生電容Cpd串接在漏極端與源極端之間。在其中一個實施例中，所述本征單元包括柵源本征電容Cgs、柵漏本征電容Cgd、漏源本征電容Cds、本征溝道電阻Ri、柵漏泄漏電阻Rfd、柵源泄漏電阻Rfs、漏源電阻Rds、柵漏電阻Rgd以及跨導gm；其中，所述柵源本征電容Cgs、本征溝道電阻Ri串聯(lián)后與所述柵源泄漏電阻Rfs并聯(lián)構成第一并聯(lián)電路，所述第一并聯(lián)電路的第一端為所述本征單元的第一端，所述第一并聯(lián)電路的第二端接地；所述柵漏本征電容Cgd與所述柵漏泄漏電阻Rfd并聯(lián)后與所述柵漏電阻Rgd串聯(lián)，且所述柵漏本征電容Cgd遠離所述柵漏電阻Rgd的一端與所述第一并聯(lián)電路的第一端連接；所述跨導gm、漏源電阻Rds、漏源本征電容Cds并聯(lián)，構成第二并聯(lián)電路，所述第二并聯(lián)電路的第一端與所述柵漏電阻Rgd連接，并作為所述本征單元的第二端；所述第二并聯(lián)電路的第二端接地。此外，還提供一種AlGaN/GaNHEMT小信號模型參數(shù)的提取方法，包括：在第一條件下測試AlGaN/GaNHEMT器件的S參數(shù)，并將所述S參數(shù)轉換為Y參數(shù)，根據(jù)所述Y參數(shù)獲取寄生電容，所述寄生電容包括：柵源之間的第一共面波導電容柵漏之間的第二共面波導電容柵極PAD寄生電容Cpg以及漏極PAD寄生電容Cpd，其中，所述第一共面波導電容的容值大于漏極PAD寄生電容Cpd的容值；在第二條件下測試AlGaN/GaNHEMT器件的S參數(shù)，將所述S參數(shù)轉換為Z參數(shù)，并根據(jù)所述Z參數(shù)的實部獲取寄生電阻，所述寄生電阻包括：柵極寄生電阻Rg、源極寄生電阻Rs、漏極寄生電阻Rd；根據(jù)所述Z參數(shù)的虛部獲取寄生電感，所述寄生電感包括：柵極寄生電感Lg、源極寄生電感Ls、漏極寄生電感Ld；在第三條件下測試AlGaN/GaNHEMT器件的S參數(shù)，對S參數(shù)去嵌得到本征Y參數(shù)，根據(jù)所述本振Y參數(shù)獲取本征參數(shù)，所述本征參數(shù)包括柵源本征電容Cgs、柵漏本征電容Cgd、漏源本征電容Cds、跨導gm、跨導延遲因子τ、本征溝道電阻Ri、柵漏泄漏電阻Rfd、柵源泄漏電阻Rfs、漏源電阻Rds、柵漏電阻Rgd。在其中一個實施例中，所述第一條件為低頻測試條件下，AlGaN/GaNHEMT器件的溝道完全斷開，Vgs＜Vp、Vds＝0；所述第二條件為高頻測試條件下，AlGaN/GaNHEMT器件的溝道導通，Vgs＝Vp、Vds＝0；所述第三條件為Vgs＜0V，Vds＞0的正向偏置條件；其中，Vgs表示柵源電壓，Vp表示夾斷電壓，Vds表示源-漏電壓。在其中一個實施例中，將所述S參數(shù)轉換為Y參數(shù)，根據(jù)所述Y參數(shù)獲取寄生電容的具體步驟包括：將所述S參數(shù)按下列公式轉換為Y參數(shù)：其中，ω表示角頻率，且Cgs＝Cgd，根數(shù)所述Y參數(shù)獲取所述寄生電容。在其中一個實施例中，將所述S參數(shù)轉換為Z參數(shù)，并根據(jù)所述Z參數(shù)的實部獲取寄生電阻的具體步驟包括：將所述S參數(shù)按下列公式轉換為Z參數(shù)：Z11＝Rs+Rg+Rj+1/2Rc+jω(Ls+Lg)Z12＝Z21＝Rs+1/2Rc+jωLsZ22＝Rs+Rd+Rc++jω(Ls+Ld)；其中，Rj表示柵漏泄漏電阻Rfd、柵源泄漏電阻Rfs，Rc表示溝道電阻的總和，ω表示角頻率；其中，器件處于截止區(qū)時，忽略Rj和Rc；根據(jù)所述Z參數(shù)的實部獲取所述寄生電阻。在其中一個實施例中，所述方法還包括根據(jù)所述Z參數(shù)的虛部獲取所述寄生電感。在其中一個實施例中，對S參數(shù)去嵌得到本征Y參數(shù)，根據(jù)所述本振Y參數(shù)獲取本征參數(shù)的具體步驟包括：按下列公式對S參數(shù)去嵌得到本征Y參數(shù)：其中，ω表示角頻率；根據(jù)所述本征Y參數(shù)的實部和虛部獲取本征參數(shù)。在其中一個實施例中，所述方法還包括：驗證所述AlGaN/GaNHEMT器件的S參數(shù)。附圖說明圖1為傳統(tǒng)的HEMT等效電路模型圖；圖2為一實施例中AlGaN/GaNHEMT小信號模型的等效電路圖；圖3為一實施例中AlGaN/GaNHEMT器件示意圖；圖4為AlGaN/GaNHEMT器件的S參數(shù)譜圖；圖5為仿真AlGaN/GaNHEMT小信號模型的S參數(shù)譜圖；圖6為一實施例中AlGaN/GaNHEMT小信號模型參數(shù)的提取方法流程圖；圖7為一實施例中AlGaN/GaNHEMT器件溝道完全斷開時的等效電路圖；圖8為一實施例中AlGaN/GaNHEMT器件溝道導通時的等效電路圖。具體實施方式為了便于理解本發(fā)明，下面將參照相關附圖對本發(fā)明進行更全面的描述。附圖中給出了本發(fā)明的較佳實施例。但是，本發(fā)明可以以許多不同的形式來實現(xiàn)，并不限于本文所描述的實施例。相反地，提供這些實施例的目的是使對本發(fā)明的公開內容的理解更加透徹全面。除非另有定義，本文所使用的所有的技術和科學術語與屬于本發(fā)明的
技術領域：
的技術人員通常理解的含義相同。本文中在本發(fā)明的說明書中所使用的術語只是為了描述具體的實施例的目的，不是旨在限制本發(fā)明。本文所使用的術語“和/或”包括一個或多個相關的所列項目的任意的和所有的組合。如圖2所示的為一實施例中AlGaN/GaNHEMT小信號模型的等效電路圖；如圖2所示的為AlGaN/GaNHETM小信號模型所對應的器件結構。后面的具體實例就是對采用這種器件結構的等效電路及提參方法進行的說明。AlGaN/GaNHEMT小信號模型包括本征單元110和寄生單元120，其中，所述寄生單元120包括柵源之間的第一共面波導電容柵漏之間的第二共面波導電容所述本征單元110的第一端a與柵極端連接，所述本征單元110的第二端b與所述漏極端連，所述本征單元110的第三端c與源極端連接；所述第一共面波導電容串接在所述本征單元110的第一端a與第三端之間，所述第二共面波導電容串接在所述本征單元110的第一端a與第二端之間。上述AlGaN/GaNHEMT小信號模型，在傳統(tǒng)的AlGaN/GaNHEMT小信號模型的基礎上，在寄生單元120中增設了柵源之間的第一共面波導電容和柵漏之間的第二共面波導電容由于AlGaN/GaNHEMT器件與共面波導器件的結構有著相似之處，在高頻條件下，引入第一共面波導電容和第二共面波導電容也即，考慮了AlGaN/GaNHEMT器件的共面波導效應會引入額外寄生電容，可以更精準的反映AlGaN/GaNHEMT器件的工作狀態(tài)和器件特性，提高了器件模型準確率。在一實施例中，所述寄生單元120還包括柵極寄生電感Lg、源極寄生電感Ls、漏極寄生電感Ld、柵極寄生電阻Rg、源極寄生電阻Rs、漏極寄生電阻Rd、柵極PAD寄生電容Cpg、漏極PAD寄生電容Cpd。所述本征單元110的第一端a經(jīng)所述柵極寄生電阻Rg、柵極寄生電感Lg與所述柵極端連接。所述本征單元110的第二端b經(jīng)所述漏極寄生電阻Ld、漏極寄生電感Rd與所述漏極端連接。所述本征單元110的第三端c經(jīng)所述源極寄生電阻Rs、源極寄生電感Ls與所述源極端連接。所述第一共面波導電容的第一端與所述柵極寄生電阻Rg、柵極寄生電阻Rg的公共端連接，所述第一共面波導的第二端與所述源極寄生電阻Rs、源極寄生電感Ls的公共端連接。所述第二共面波導電容的第一端與所述第一共面波導電容的第一端連接；所述第二共面波導電容的第二端與所述漏極寄生電阻Ld、漏極寄生電感Rd的公共端連接。所述柵極PAD寄生電容Cpg串接在柵極端與源極端之間，所述漏極PAD寄生電容Cpd串接在漏極端與源極端之間。在一實施例中，所述本征單元110包括柵源本征電容Cgs、柵漏本征電容Cgd、漏源本征電容Cds、本征溝道電阻Ri、柵漏泄漏電阻Rfd、柵源泄漏電阻Rfs、漏源電阻Rds、柵漏電阻Rgd以及跨導gm。其中，所述柵源本征電容Cgs、本征溝道電阻Ri串聯(lián)后與所述柵源泄漏電阻Rfs并聯(lián)構成第一并聯(lián)電路，所述第一并聯(lián)電路的第一端為所述本征單元110的第一端a，所述第一并聯(lián)電路的第二端接地。所述柵漏本征電容Cgd與所述柵漏泄漏電阻Rfd并聯(lián)后與所述柵漏電阻Rgd串聯(lián)，且所述柵漏本征電容Cgd遠離柵漏電阻Rgd的一端與所述第一并聯(lián)電路的第一端連接。所述跨導gm、漏源電阻Rds、漏源本征電容Cds并聯(lián)，構成第二并聯(lián)電路，所述第二并聯(lián)電路的第一端與所述柵漏電阻Rgd連接，并作為所述本征單元110的第二端b；所述第二并聯(lián)電路的第二端接地。在一實施例中，利用IC-CAP系統(tǒng)和探針臺測量AlGaN/GaNHEMT器件的S參數(shù)，如圖4所示。當然，還可以利用測試架，在矢量網(wǎng)絡分析儀中測量AlGaN/GaNHEMT器件的S參數(shù)。同時，將AlGaN/GaNHEMT小信號模型在ADS中仿真，通過仿真也可以得到AlGaN/GaNHEMT小信號模型的S參數(shù)，如圖5所示。通過對比圖4和圖5，可以看出，測量的S參數(shù)和仿真的S參數(shù)基本一致，也即，當增設柵源之間的第一共面波導電容柵漏之間的第二共面波導電容之后的AlGaN/GaNHEMT小信號模塊能夠很準確地反映AlGaN/GaNHEMT器件的工作狀態(tài)，相對與傳統(tǒng)的小信號模塊，其準確率大大提高了。一種AlGaN/GaNHEMT小信號模型參數(shù)的提取方法，提取方法主要是先通過測量AlGaN/GaNHEMT器件的S參數(shù)，根據(jù)S參數(shù)，轉換為Y參數(shù)、Z參數(shù)，進而提取與偏置無關的寄生電容、寄生電感和寄生電阻等寄生參數(shù)。其中，S參數(shù)稱為散射參數(shù)；Y參數(shù)稱為導納參數(shù)；Z參數(shù)稱為阻抗參數(shù)。然后，通過對熱S參數(shù)中的寄生部分去嵌后提取本征參數(shù)。因而，本征參數(shù)提取的精確性直接依賴于寄生參數(shù)提取的精確性，所以寄生參數(shù)的提取精度顯得尤為重要。在一實施例中，AlGaN/GaNHEMT小信號模型參數(shù)的提取方法具體包括如下步驟，參考圖6：步驟S110：在第一條件下測試AlGaN/GaNHEMT器件的S參數(shù)，并將所述S參數(shù)轉換為Y參數(shù)，根據(jù)所述Y參數(shù)獲取寄生電容。所述寄生電容包括：柵源之間的第一共面波導電容柵漏之間的第二共面波導電容柵極PAD寄生電容Cpg以及漏極PAD寄生電容Cpd。柵極PAD寄生電容Cpg以及漏極PAD寄生電容Cpd主要是柵端、源端和漏端金屬與襯底之間的寄生效應。其中，所述第一共面波導電容的容值大于漏極PAD寄生電容Cpd的容值。所述第一條件為低頻測試，Vgs＜Vp、Vds＝0，其AlGaN/GaNHEMT器件的溝道完全斷開。其中，Vgs表示柵源電壓，Vp表示夾斷電壓，Vds表示源-漏電壓。由于器件的溝道完全斷開，因此可以忽略寄生電阻的作用，在低頻測試條件下，由于寄生電感的電抗很小，可以忽略寄生電感的影響，其等效電路如圖7所示，等效電路中只有寄生電容元件。將所述S參數(shù)按下列公式轉換為Y參數(shù)：其中，ω表示角頻率，由于AlGaN/GaNHEMT器件的對稱性，可以近似的認為Cgs＝Cgd，由于柵極和源極的PAD形狀和大小幾乎相等，所以柵極PAD寄生電容Cpg與漏極PAD寄生電容Cpd相等。由于AlGaN/GaNHEMT器件的交感電容遠大于PAD寄生電容，這里也可以認為第一共面波導電容遠大于PAD寄生電容，可以近似認為：根據(jù)上述Y參數(shù)的虛部，就能分別計算出寄生電容的電容值。步驟S120：在第二條件下測試AlGaN/GaNHEMT器件的S參數(shù)，將所述S參數(shù)轉換為Z參數(shù)，并根據(jù)所述Z參數(shù)的實部獲取寄生電阻，所述寄生電阻包括：柵極寄生電阻Rg、源極寄生電阻Rs、漏極寄生電阻Rd。漏極寄生電阻Rd、源極寄生電阻Rs分別表征漏端和源端歐姆接觸金屬電阻，同時也包括擴散注入有源區(qū)的體電阻，柵極寄生電阻Rg主要是柵端肖特基柵金屬帶來的；所述寄生電阻Rg、Rd及Rs有時會隨著偏置電壓發(fā)生變化，但在小信號模型中通常認為其電阻值為常數(shù)。所述第二條件為高頻測試條件下，Vgs＝Vp、Vds＝0，AlGaN/GaNHEMT器件的溝道導通；其中，Vgs表示柵源電壓，Vp表示夾斷電壓，Vds表示源-漏電壓。在高頻測試條件下，本征電容可以忽略，器件導通，本征電阻很小，隨著柵壓升高，柵微分電阻越來越小從而可以忽略寄生柵電容的影響，得到如圖8所示的等效電路圖。將所述S參數(shù)按下列公式轉換為Z參數(shù)：Z11＝Rs+Rg+Rj+1/2Rc+jω(Ls+Lg)Z12＝Z21＝Rs+1/2Rc+jωLsZ22＝Rs+Rd+Rc++jω(Ls+Ld)；其中，Rj表示柵漏泄漏電阻Rfd、柵源泄漏電阻Rfs之和，Rc表示溝道電阻的總和。當器件處于截止區(qū)時，器件沒有電流，可以忽略Rj和Rc，Z參數(shù)可以簡化為：Z11＝Rs+Rg++jω(Ls+Lg)Z12＝Z21＝Rs++jωLsZ22＝Rs+Rd+jω(Ls+Ld)；根據(jù)所述Z參數(shù)的實部獲取所述寄生電阻：Rg＝Re(Z11-Z12)Rd＝Re(Z22-Z12)Rs＝Re(Z12)＝Re(Z21)步驟S130：根據(jù)所述Z參數(shù)的虛部獲取寄生電感，所述寄生電感包括：柵極寄生電感Lg、源極寄生電感Ls、漏極寄生電感Ld。所述寄生電感Lg、Ld及Ls主要是柵端、漏端和源端處由器件表面的金屬構成的寄生效應，所述寄生電感Lg、Ld及Ls對器件性能具有較大的影響，尤其是在高頻條件下。根據(jù)所述Z參數(shù)的虛部獲取所述寄生電感：Lg＝Im(Z11-Z12)/ωLd＝Im(Z22-Z12)/ωLs＝Im(Z12)/ω通過上述方法，可以獲取AlGaN/GaNHEMT的寄生參數(shù)如表1所示。表1GaNHEMT器件共面波導模型的寄生參數(shù)雖然小信號模型的參數(shù)提取與理論計算的參數(shù)有一定得誤差，其誤差與測量S參數(shù)的誤差有關，同時也與仿真優(yōu)化相關。在測量S參數(shù)的時候也允許一定的誤差，在提取參數(shù)時，通過近似處理。在ADS中仿真驗證時，會將模型參數(shù)進行優(yōu)化和調整，最終的模型參數(shù)以仿真后得到的參數(shù)為準。步驟S140：在第三條件下測試AlGaN/GaNHEMT器件的S參數(shù)，對S參數(shù)去嵌得到本征Y參數(shù)，根據(jù)所述本振Y參數(shù)獲取本征參數(shù)。所述本征參數(shù)包括柵源本征電容Cgs、柵漏本征電容Cgd、漏源本征電容Cds、跨導gm、跨導延遲因子τ、本征溝道電阻Ri、柵漏泄漏電阻Rfd、柵源泄漏電阻Rfs、漏源電阻Rds、柵漏電阻Rgd。柵源本征電容Cgs可看成是空間電荷區(qū)為介質，在柵極與源極及柵極與溝道之間形成的電容之和；與之類似地，柵漏本征電容Cgd則是柵極與漏極及柵極與溝道之間形成的電容之和；漏源本征電容Cds用來表征源漏電極之間的耦合電容?？鐚m用來衡量輸入柵源電壓Vgs的變化在輸出漏源電流Ids上的該變量，該物理參數(shù)給出了器件的內部增益，是衡量微波和毫米波應用時的重要器件指標。所述跨導延遲因子τ表征Vgs變化時柵下空間點何去的電荷由一個穩(wěn)態(tài)重新分布到另一個穩(wěn)態(tài)所需的時間；本征溝道電阻Ri為溝道與源極之間的電阻。所述第三條件為Vgs＜0V，Vds＞0的正向偏置條件；其中，Vgs表示柵源電壓，Vp表示夾斷電壓，Vds表示源-漏電壓。在一實施例中，在Vgs＝-2V，Vds＝4V條件下測量得到的S參數(shù)包含了寄生參數(shù)和本征參數(shù)，而在Vgs<Vp、Vds＝0和Vgs＝Vp、Vds＝0的條件下已經(jīng)得到了寄生參數(shù)，通過S參數(shù)、Y參數(shù)、Z參數(shù)之間的轉換，去嵌得到本征Y參數(shù)。按下列公式對S參數(shù)去嵌得到本征Y參數(shù)：其中，AlGaN/GaNHEMT器件中，柵源和柵漏間的傳導電流情況可等效為在柵源和柵漏間存在一個肖特基二極管，柵電流在肖特基二極管中傳導時所受到的阻礙用Gfs、Gfd表征，其中，顯然，當所加柵電壓大于二極管的開啟電壓時，肖特基二極管導通，Rgsf和Rgdf的值較小，而Ggsf和Ggdf的值較大。根據(jù)上述的本征Y參數(shù)的實部和虛部可以求出除了Gfs和Gfd以外的8個本征參數(shù)，參考表2。表2Vgs＝-2V，Vds＝4V時得到共面波導模型的本征參數(shù)Cgd/fF42.2Rds/kΩ49.8Cgs/fF99.3Rgd/Ω135.2Cds/fF22.3RiΩ20.6Rfd/kΩ53.5gm/mS28.2Rfs/kΩ165.3τ/ps0.4通過做Re(Y12i)～ω2的曲線可以求出Gfd，通過做Re(Y11i)～ω2的曲線，可以求出Gfs+Gfd，從而得到Gfs和Gfd的值。在一實施例中，所述方法還包括驗證所述AlGaN/GaNHEMT器件的S參數(shù)的步驟。在一實施例中，利用IC-CAP系統(tǒng)和探針臺測量AlGaN/GaNHEMT器件的S參數(shù)，如圖4所示。當然，還可以利用測試架，在矢量網(wǎng)絡分析儀中測量AlGaN/GaNHEMT器件的S參數(shù)。同時，將AlGaN/GaNHEMT小信號模型在ADS中仿真，頻率范圍為200MHz到50GHz，通過仿真也可以得到AlGaN/GaNHEMT小信號模型的S參數(shù)，如圖5所示。通過對比圖4和圖5，可以看出，測量的S參數(shù)和仿真的S參數(shù)基本一致，也即，當增設柵源之間的第一共面波導電容柵漏之間的第二共面波導電容之后的AlGaN/GaNHEMT小信號模塊能夠很準確地反映AlGaN/GaNHEMT器件的工作狀態(tài)，相對與傳統(tǒng)的小信號模塊，其準確率大大提高了。以上所述實施例的各技術特征可以進行任意的組合，為使描述簡潔，未對上述實施例中的各個技術特征所有可能的組合都進行描述，然而，只要這些技術特征的組合不存在矛盾，都應當認為是本說明書記載的范圍。以上所述實施例僅表達了本發(fā)明的幾種實施方式，其描述較為具體和詳細，但并不能因此而理解為對發(fā)明專利范圍的限制。應當指出的是，對于本領域的普通技術人員來說，在不脫離本發(fā)明構思的前提下，還可以做出若干變形和改進，這些都屬于本發(fā)明的保護范圍。因此，本發(fā)明專利的保護范圍應以所附權利要求為準。當前第1頁1 2 3