技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種AlGaN/GaN?HEMT小信號(hào)模型及其參數(shù)的提取方法。本發(fā)明的AlGaN/GaN?HEMT小信號(hào)模型在傳統(tǒng)的AlGaN/GaN?HEMT小信號(hào)模型的基礎(chǔ)上，在寄生單元中增設(shè)了柵源之間的第一共面波導(dǎo)電容和柵漏之間的第二共面波導(dǎo)電容由于AlGaN/GaN?HEMT器件與共面波導(dǎo)器件的結(jié)構(gòu)有著相似之處，在高頻條件下，引入第一共面波導(dǎo)電容和第二共面波導(dǎo)電容也即，考慮了AlGaN/GaN?HEMT器件的共面波導(dǎo)效應(yīng)會(huì)引入額外寄生電容，可以更精準(zhǔn)的反映AlGaN/GaN?HEMT器件的工作狀態(tài)和器件特性，提高了器件模型準(zhǔn)確率。

技術(shù)研發(fā)人員：王佳佳;周海峰;丁慶
受保護(hù)的技術(shù)使用者：深圳市華訊方舟微電子科技有限公司
文檔號(hào)碼：201611228985
技術(shù)研發(fā)日：2016.12.27
技術(shù)公布日：2017.03.22