本發(fā)明涉及顯示面板技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種觸控面板及其制備方法。

背景技術(shù)：

觸摸屏是允許用戶直接用手或物體，通過選擇顯示在圖像顯示器等的屏幕上的指令內(nèi)容來輸入用戶的指令的輸入設(shè)備，用戶用手或物體直接與觸摸屏接觸時，觸摸屏檢測到觸摸點(diǎn)并根據(jù)所選圖標(biāo)對應(yīng)的指令來驅(qū)動顯示裝置，以實現(xiàn)特定的顯示。

傳統(tǒng)的觸摸顯示屏一般由顯示層(Display layers)和觸控層構(gòu)成。其中，位于顯示層的，比如可以是液晶(Liquid Crystal Display，LCD)結(jié)構(gòu)或有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light Emitting Diode，OLED)結(jié)構(gòu)；位于觸控層的，是觸控面板(或稱觸控結(jié)構(gòu))。

針對觸控面板而言，參考圖1中所示，現(xiàn)有技術(shù)中的觸控面板包括基板1、位于基板上的金屬布線2和用于隔離金屬布線2的介質(zhì)層3、位于介質(zhì)層3上且與金屬布線2電性連接的透明電極4以及覆蓋透明電極4和金屬布線2的覆蓋層5。從圖1中可知，觸控面板通常包括多層結(jié)構(gòu)，使得觸控面板的厚度較大，并且，使得觸控面板中光的透過率較低，這也就使得觸摸屏的可見度較低，影響用戶體驗。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于，提供一種觸控面板及其制備方法，解決現(xiàn)有技術(shù)中觸控面板厚度較大且光的透過率低的問題。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種觸控面板的制備方法，包括：

提供一基板；

在部分所述基板上形成金屬布線；

形成介質(zhì)層，所述介質(zhì)層覆蓋所述金屬布線的側(cè)壁及部分頂壁，且暴露出所述金屬布線的邊緣；

形成透明電極，所述透明電極覆蓋部分所述介質(zhì)層、剩余的所述基板及剩余的所述金屬布線，且暴露出所述金屬布線上的介質(zhì)層的邊緣；

形成覆蓋層，所述覆蓋層覆蓋所述透明電極及剩余的所述介質(zhì)層。

可選的，所述基板為玻璃基板或聚酰亞胺基板。

可選的，所述透明電極為氧化銦錫或氧化銦鋅，所述透明電極的厚度為200nm～1000nm。

可選的，形成所述介質(zhì)層的步驟包括：

形成光阻，所述光阻覆蓋所述金屬布線的邊緣及部分所述基板，且暴露出所述金屬布線周圍的另一部分基板；

沉積介質(zhì)層，所述介質(zhì)層覆蓋圍繞所述金屬布線側(cè)壁的所述另一部分基板及剩余的所述金屬布線；以及

去除所述光阻。

可選的，形成所述介質(zhì)層的步驟包括：

形成介質(zhì)層，所述介質(zhì)層覆蓋所述金屬布線及所述基板；

形成光阻，所述光阻覆蓋所述金屬布線周圍的部分所述介質(zhì)層及部分所述金屬布線；

以所述光阻為掩膜刻蝕所述介質(zhì)層，保留所述金屬布線周圍的部分所述介質(zhì)層及部分所述金屬布線上的所述介質(zhì)層；以及

去除所述光阻。

可選的，所述介質(zhì)層為氧化硅、氮化硅或氮氧化硅中的一種或其組合。

可選的，采用化學(xué)氣相沉積工藝形成所述介質(zhì)層，所述介質(zhì)層的厚度為200nm～500nm。

可選的，圍繞所述金屬布線的側(cè)壁的介質(zhì)層的寬度為1.0μm～10μm。

可選的，所述覆蓋層為聚酰亞胺材料。

相應(yīng)的，本發(fā)明還提供一種觸控面板，包括：

基板；

位于部分所述基板上的金屬布線；

介質(zhì)層，所述介質(zhì)層圍繞所述金屬布線的側(cè)壁及部分頂壁，且暴露出所述金屬布線的邊緣；

透明電極，所述透明電極覆蓋部分所述介質(zhì)層、剩余的所述基板及剩余的所述金屬布線，且暴露出所述金屬布線上的介質(zhì)層的邊緣；以及

覆蓋層，所述覆蓋層覆蓋所述透明電極及剩余的所述介質(zhì)層。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的觸控面板及其制備方法具有以下有益效果：

本發(fā)明中，所述介質(zhì)層圍繞所述金屬布線的側(cè)壁，所述透明電極覆蓋所述介質(zhì)層、剩余的所述基板及部分所述金屬布線，使得部分基板上僅包括透明電極和覆蓋層，不包括介質(zhì)層，從而降低觸控面板的厚度。并且，透明電極覆蓋部分基板，增加觸控面板的光的透過率，提高觸控面板的可見度。

附圖說明

圖1為現(xiàn)有技術(shù)中觸控面板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明一實施例中觸控面板制備方法的流程圖；

圖3為本發(fā)明一實施例中基板與金屬布線的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本發(fā)明一實施例中光阻的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5為本發(fā)明一實施例中介質(zhì)層的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6為本發(fā)明另一實施例中光阻與介質(zhì)層的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7為本發(fā)明一實施例中透明電極的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖8為本發(fā)明一實施例中覆蓋層的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

下面將結(jié)合示意圖對本發(fā)明的觸控面板及其制備方法進(jìn)行更詳細(xì)的描述，其中表示了本發(fā)明的優(yōu)選實施例，應(yīng)該理解本領(lǐng)域技術(shù)人員可以修改在此描述的本發(fā)明，而仍然實現(xiàn)本發(fā)明的有利效果。因此，下列描述應(yīng)當(dāng)被理解為對于本領(lǐng)域技術(shù)人員的廣泛知道，而并不作為對本發(fā)明的限制。

在下列段落中參照附圖以舉例方式更具體地描述本發(fā)明。根據(jù)下面說明和權(quán)利要求書，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精準(zhǔn)的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本發(fā)明實施例的目的。

本發(fā)明的核心思想在于，提供一種觸控面板及其制備方法，所述介質(zhì)層圍繞所述金屬布線的側(cè)壁，所述透明電極覆蓋所述介質(zhì)層、剩余的所述基板及部分所述金屬布線，使得部分基板上僅包括透明電極和覆蓋層，不包括介質(zhì)層，從而降低觸控面板的厚度。并且，透明電極覆蓋部分基板，增加觸控面板的光的透過率，提高觸控面板的可見度。

下文結(jié)合附圖2至圖8對本發(fā)明的觸控面板及其制備方法進(jìn)行具體的說明，圖2為觸控面板制備方法的流程示意圖，圖3至圖8為各步驟對應(yīng)的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。

首先，執(zhí)行步驟S1，參考圖3所示，提供一基板10。本實施例中，所述基板10可以是剛性基板，也可以是柔性基板。進(jìn)一步的，所述基板10可以為玻璃基板、BT(雙馬來酰亞胺改性三嗪樹脂)基板或PI(聚酰亞胺)基板等現(xiàn)有技術(shù)中公知的可以作為基板的結(jié)構(gòu)，本發(fā)明中對此不予限制。

接著，執(zhí)行步驟S2，繼續(xù)參考圖3所示，在部分所述基板10上形成金屬布線20，即，在所述基板10的部分區(qū)域上形成金屬布線20。其中，金屬布線20可以全部位于基板的中心區(qū)域，當(dāng)然，金屬布線20還可以全部位于基板10的邊緣區(qū)域，亦或是，一部分金屬布線20位于基板的部分中心區(qū)域，另一部分金屬布線20位于基板的部分邊緣區(qū)域，此為根據(jù)實際的電路結(jié)構(gòu)進(jìn)行的設(shè)置，本發(fā)明對此不予限制。本實施例中，采用物理氣相沉積工藝比如濺射工藝形成所述金屬布線20，當(dāng)然也可以采用蒸發(fā)工藝形成所述金屬布線20。所述金屬布線20可以為銅金屬線、鋁金屬線、金金屬線或銀金屬線的一種，也可以是由銅、鋁、金等金屬的合金制成所述金屬布線。本實施例中，所述金屬布線20用于形成電容式傳感器的一個電極，使得與操作者的手指之間形成電容，通過檢測檢測的變化感應(yīng)觸控的位置。

之后，執(zhí)行步驟S3，形成介質(zhì)層，所述介質(zhì)層圍繞所述金屬布線20的側(cè)壁及部分所述金屬布線20的頂壁，暴露出金屬布線20的邊緣區(qū)域，并且，暴露出部分所述基板10。

本實施例中形成所述介質(zhì)層的具體步驟包括：

子步驟1：參考圖4所示，形成光阻30，所述光阻30覆蓋所述金屬布線20的邊緣及部分所述基板10，且暴露出金屬布線20的中間區(qū)域及所述金屬布線20周圍的另一部分基板10，可采用旋涂工藝形成所述光阻；

子步驟2：參考圖5所示，沉積介質(zhì)層40，所述介質(zhì)層40覆蓋暴露出的所述另一部分基板及剩余的所述金屬布線，所述介質(zhì)層40圍繞所述金屬布線20的側(cè)壁，并覆蓋所述金屬布線的中間區(qū)域；

子步驟3：繼續(xù)參考圖5所示，去除所述光阻30，可采用等離子體灰化工藝去除所述光阻30。

本實施例中，所述介質(zhì)層40可以為氧化硅、氮化硅或氮氧化硅中的一種或其組合，可以采用化學(xué)氣相沉積工藝(CVD)形成所述介質(zhì)層40，所述介質(zhì)層40的厚度為200nm～500nm，例如，厚度可以為300nm、350nm、400nm等。此外，參考圖4和圖5中所示，所述介質(zhì)層40的寬度d是均勻的(即金屬布線20外圍的介質(zhì)層40是等寬度的)，其中，d的范圍在1.0μm～10μm之間，例如，介質(zhì)層40的寬度d為2.0μm、3.0μm、4.0μm、5.0μm、6.0μm、7.0μm、8.0μm、9.0μm。需要說明的是，所述介質(zhì)層40圍繞所述金屬布線20的側(cè)壁，使得后續(xù)形成的所述透明電極直接覆蓋剩余的所述基板，從而部分基板上僅包括透明電極和覆蓋層，而不包括介質(zhì)層40，從而降低透明電極的厚度，減小觸控面板的厚度。進(jìn)一步的，透明電極直接覆蓋基板，從而增加觸控面板的光的透過率，提高觸控面板的可見度。

此外，在本發(fā)明的其他實施例中，形成所述介質(zhì)層的具體步驟還可以包括：

子步驟1’：參考圖6所示，形成介質(zhì)層40’，所述介質(zhì)層40’覆蓋所述金屬布線20及所述基板10，同樣的，可以采用采用化學(xué)氣相沉積工藝形成介質(zhì)層40’，所述介質(zhì)層40可以為氧化硅、氮化硅或氮氧化硅中的一種或其組合，所述介質(zhì)層40的厚度為200nm～500nm，例如，厚度可以為300nm、350nm、400nm等；

子步驟2’：繼續(xù)參考圖6所示，形成光阻30’，所述光阻30’覆蓋所述金屬布線20周圍的部分所述介質(zhì)層40’以及金屬布線20的部分頂壁，暴露出金屬布線頂壁的邊緣區(qū)域；

子步驟3’：以所述光阻30’為掩膜刻蝕所述介質(zhì)層40’，保留所述金屬布線20周圍的部分所述介質(zhì)層40’及金屬布線中間區(qū)域的部分介質(zhì)層40’，即，未被所述光阻30’覆蓋的介質(zhì)層均被去除；所述介質(zhì)層40’的寬度d’為1.0μm～10μm，例如，介質(zhì)層40的寬度d’為2.0μm、3.0μm、4.0μm、5.0μm、6.0μm、7.0μm、8.0μm、9.0μm；

子步驟4’，去除所述光阻30’，即形成了如圖5所示的結(jié)構(gòu)。

接著，執(zhí)行步驟S4，參考圖7所示，形成透明電極50，所述透明電極50覆蓋金屬布線20側(cè)壁處的部分所述介質(zhì)層40、金屬布線20上的部分所述介質(zhì)層40、剩余的所述基板10及剩余的所述金屬布線20。本發(fā)明中，透明電極50直接與部分基板接觸，增加了基板的透光率，并與金屬布線20電性連接。本實施例中，所述透明電極50例如為氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)，所述透明電極50的厚度為200nm～1000nm，例如，厚度為30nm、500nm、700nm、900nm等。

接著，執(zhí)行步驟S5，參考圖8所示，形成覆蓋層60，所述覆蓋層60覆蓋所述透明電極50及剩余的所述介質(zhì)層40。本實施例中，所述覆蓋層60用于保護(hù)下方的透明電極50及金屬布線20，所述覆蓋層60優(yōu)選為聚酰亞胺材料等透明材料，從而進(jìn)一步的保證觸控基板的透光率。

相應(yīng)的，作為本發(fā)明的另一面，本發(fā)明還提供一種觸控面板，參考圖8所示，所述觸控面板包括：

基板10；

位于部分所述基板10上的金屬布線20；

介質(zhì)層40，所述介質(zhì)層40圍繞所述金屬布線20的側(cè)壁及部分頂壁，且暴露出金屬布線頂壁的邊緣；

透明電極50，所述透明電極50覆蓋部分所述介質(zhì)層40、剩余的所述基板10及剩余的所述金屬布線20，且暴露出金屬布線上方介質(zhì)層頂壁的邊緣；以及

覆蓋層60，所述覆蓋層60覆蓋所述透明電極50及剩余的所述介質(zhì)層。

需要說明的是，所述介質(zhì)層40圍繞所述金屬布線20的側(cè)壁，使得后續(xù)形成的所述透明電極直接覆蓋剩余的所述基板，從而部分基板上僅包括透明電極和覆蓋層，而不包括介質(zhì)層40，從而降低透明電極的厚度，減小觸控面板的厚度。進(jìn)一步的，透明電極直接覆蓋基板，從而增加觸控面板的光的透過率，提高觸控面板的可見度。

綜上所述，本發(fā)明提供的觸控面板及其制備方法中，提供一種觸控面板及其制備方法，所述介質(zhì)層圍繞所述金屬布線的側(cè)壁，所述透明電極覆蓋所述介質(zhì)層、剩余的所述基板及部分所述金屬布線，使得部分基板上僅包括透明電極和覆蓋層，不包括介質(zhì)層，從而降低觸控面板的厚度。并且，透明電極覆蓋部分基板，增加觸控面板的光的透過率，提高觸控面板的可見度。

本說明書中實施例采用遞進(jìn)的方式描述，對于實施例公開的結(jié)構(gòu)而言，由于與實施例公開的方法相對應(yīng)，所以描述的比較簡單，相關(guān)之處參見方法部分說明即可。

顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本發(fā)明進(jìn)行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。