1.一種觸控面板的制備方法，其特征在于，包括：
提供一基板；
在部分所述基板上形成金屬布線；
形成介質(zhì)層，所述介質(zhì)層覆蓋所述金屬布線的側(cè)壁及部分頂壁，且暴露出所述金屬布線的邊緣；
形成透明電極，所述透明電極覆蓋部分所述介質(zhì)層、剩余的所述基板及剩余的所述金屬布線，且暴露出所述金屬布線上的介質(zhì)層的邊緣；
形成覆蓋層，所述覆蓋層覆蓋所述透明電極及剩余的所述介質(zhì)層。
2.如權(quán)利要求1所述的觸控面板的制備方法，其特征在于，所述基板為玻璃基板或聚酰亞胺基板。
3.如權(quán)利要求1所述的觸控面板的制備方法，其特征在于，所述透明電極為氧化銦錫或氧化銦鋅，所述透明電極的厚度為200nm～1000nm。
4.如權(quán)利要求1所述的觸控面板的制備方法，其特征在于，形成所述介質(zhì)層的步驟包括：
形成光阻，所述光阻覆蓋所述金屬布線的邊緣及部分所述基板，且暴露出所述金屬布線周?chē)牧硪徊糠只澹?/p>
沉積介質(zhì)層，所述介質(zhì)層覆蓋圍繞所述金屬布線側(cè)壁的所述另一部分基板及剩余的所述金屬布線；以及
去除所述光阻。
5.如權(quán)利要求1所述的觸控面板的制備方法，其特征在于，形成所述介質(zhì)層的步驟包括：
形成介質(zhì)層，所述介質(zhì)層覆蓋所述金屬布線及所述基板；
形成光阻，所述光阻覆蓋所述金屬布線周?chē)牟糠炙鼋橘|(zhì)層及部分所述金屬布線；
以所述光阻為掩膜刻蝕所述介質(zhì)層，保留所述金屬布線周?chē)牟糠炙鼋橘|(zhì)層及部分所述金屬布線上的所述介質(zhì)層；以及
去除所述光阻。
6.如權(quán)利要求4或5所述的觸控面板的制備方法，其特征在于，所述介質(zhì)層為氧化硅、氮化硅或氮氧化硅中的一種或其組合。
7.如權(quán)利要求4或5所述的觸控面板的制備方法，其特征在于，采用化學(xué)氣相沉積工藝形成所述介質(zhì)層，所述介質(zhì)層的厚度為200nm～500nm。
8.如權(quán)利要求4或5所述的觸控面板的制備方法，其特征在于，圍繞所述金屬布線的側(cè)壁的介質(zhì)層的寬度為1.0μm～10μm。
9.如權(quán)利要求1所述的觸控面板的制備方法，其特征在于，所述覆蓋層為聚酰亞胺材料。
10.一種觸控面板，其特征在于，包括：
基板；
位于部分所述基板上的金屬布線；
介質(zhì)層，所述介質(zhì)層圍繞所述金屬布線的側(cè)壁及部分頂壁，且暴露出所述金屬布線的邊緣；
透明電極，所述透明電極覆蓋部分所述介質(zhì)層、剩余的所述基板及剩余的所述金屬布線，且暴露出所述金屬布線上的介質(zhì)層的邊緣；以及
覆蓋層，所述覆蓋層覆蓋所述透明電極及剩余的所述介質(zhì)層。