本技術(shù)涉及檢測，特別是涉及一種電極組件的檢測方法和檢測裝置。

背景技術(shù)：

1、在鋰電池充放電過程中，鋰離子會(huì)在陰極極片和陽極極片之間反復(fù)脫嵌。若鋰離子從陰極脫出后沒有陽極極片使其嵌入，就會(huì)造成析出的鋰離子堆積，影響鋰電池產(chǎn)品的安全性。因此，鋰電池的電極組件的陰極極片和陽極極片要存在一定的錯(cuò)位量，使得陰極極片在陽極極片的包覆范圍內(nèi)。

2、電極組件的錯(cuò)位量的快速檢測可以提高電極組件及電池的生產(chǎn)效率。因此，如何快速檢測電極組件的陽極極片和陰極極片之間的錯(cuò)位量是當(dāng)前亟待解決的問題之一。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本技術(shù)實(shí)施例提供了一種電極組件的檢測方法和檢測裝置，可以在電極組件的移動(dòng)過程中，對電極組件進(jìn)行檢測，提高電極組件的檢測效率。

2、第一方面，提供了一種電極組件的檢測方法，包括：在電極組件的移動(dòng)過程中，利用tdi探測器接收穿透電極組件的射線，并進(jìn)行成像以生成目標(biāo)圖像，其中，tdi探測器沿電極組件的移動(dòng)方向的級數(shù)大于150級；根據(jù)目標(biāo)圖像，對電極組件進(jìn)行檢測。

3、在本技術(shù)實(shí)施例中，可以在電極組件的移動(dòng)過程中，利用級數(shù)大于150級的tdi探測器，生成電極組件的目標(biāo)圖像，從而對電極組件進(jìn)行檢測。一方面，電極組件可以不用移動(dòng)到指定位置停止移動(dòng)后再生成目標(biāo)圖像，而是在電極組件的移動(dòng)過程中生成目標(biāo)圖像，以進(jìn)行電極組件的檢測，可以提高電極組件的檢測效率，降低檢測成本。另一方面，利用tdi探測器進(jìn)行檢測，可以減小檢測設(shè)備的尺寸，簡化檢測設(shè)備的結(jié)構(gòu)以及降低檢測設(shè)備的成本。

4、在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，目標(biāo)圖像包括電極組件的多層陽極極片和多層陰極的圖像；根據(jù)目標(biāo)圖像，對電極組件進(jìn)行檢測，包括：根據(jù)目標(biāo)圖像，確定電極組件的錯(cuò)位量。

5、在本技術(shù)實(shí)施例中，可以在電極組件的移動(dòng)過程中，利用級數(shù)大于150級的tdi探測器生成電極組件的目標(biāo)圖像，從而對電極組件的錯(cuò)位量進(jìn)行檢測。一方面，電極組件可以不用移動(dòng)到指定位置停止移動(dòng)來生成目標(biāo)圖像，而是在電極組件的移動(dòng)過程中生成目標(biāo)圖像，以進(jìn)行電極組件錯(cuò)位量的檢測，從而可以提高電極組件錯(cuò)位量的檢測效率，降低檢測成本。另一方面，利用tdi探測器進(jìn)行檢測，可以減小檢測設(shè)備的尺寸，簡化檢測設(shè)備的結(jié)構(gòu)以及降低檢測設(shè)備的成本。

6、在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，tdi探測器沿移動(dòng)方向的級數(shù)大于或等于500級。

7、在本技術(shù)實(shí)施例中，通過在電極組件的移動(dòng)方向上設(shè)置大于或等于500級的tdi探測，可以進(jìn)一步提高在生成電極組件的目標(biāo)圖像的過程中電極組件的移動(dòng)速度，從而可以提高電極組件例如錯(cuò)位量的檢測效率，降低檢測成本。

8、在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，電極組件的移動(dòng)速度大于或等于150mm/s。

9、在本技術(shù)實(shí)施例中，利用tdi探測器，可以在電極組件的移動(dòng)速度大于或等于150mm/的情況下，生成電極組件的目標(biāo)圖像，可以提高獲取電極組件目標(biāo)圖像時(shí)的電極組件的移動(dòng)速度，從而可以提高電極組件的檢測效率。

10、在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，電極組件的移動(dòng)速度大于或等于170mm/s，其中，電極組件沿第二方向的尺寸小于或等于50mm，第二方向平行于射線源的焦點(diǎn)至tdi探測器的垂線方向，射線源用于發(fā)射射線。

11、在本技術(shù)實(shí)施例中，對于沿第二方向的尺寸小于或等于50mm的電極組件，可以將其移動(dòng)速度設(shè)置為大于或等于170mm/s，從而在生成電極組件的清晰的目標(biāo)圖像的同時(shí)，提高電極組件的移動(dòng)速度，既提高了電極組件的檢測準(zhǔn)確性，也提高了電極組件的檢測效率。

12、在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，電極組件的移動(dòng)速度大于或等于350mm/s，其中，電極組件沿第二方向的尺寸小于或等于25mm。

13、在本技術(shù)實(shí)施例中，對于沿第二方向的尺寸小于或等于25mm的電極組件，可以將其移動(dòng)速度設(shè)置為大于或等于350mm/s，從而在生成電極組件的清晰的目標(biāo)圖像的同時(shí)，提高電極組件的移動(dòng)速度，既提高了電極組件的檢測準(zhǔn)確性，也提高了電極組件的檢測效率。

14、在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，電極組件與射線源的焦點(diǎn)沿第三方向的距離fod，其滿足fod≤a+30mm，a為電極組件沿述第三方向的尺寸，第三方向平行于射線源的焦點(diǎn)至tdi探測器的垂線方向，射線源用于發(fā)射射線。

15、在本技術(shù)實(shí)施例中，可以將電極組件與射線源的焦點(diǎn)沿第三方向的距離設(shè)置為小于或等于電極組件沿第三方向的尺寸加30mm，從而可以使得射線源的焦點(diǎn)盡可能靠近電極組件，實(shí)現(xiàn)高精度的成像效果，進(jìn)而對電極組件例如電極組件的錯(cuò)位量進(jìn)行準(zhǔn)確檢測。

16、在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，fod≤a+20mm。

17、在本技術(shù)實(shí)施例中，可以將電極組件與射線源的焦點(diǎn)沿第三方向的距離設(shè)置為小于或等于電極組件沿第三方向的尺寸加20mm，從而可以使得射線源的焦點(diǎn)盡可能靠近電極組件，實(shí)現(xiàn)高精度的成像效果，進(jìn)而對電極組件例如電極組件的錯(cuò)位量進(jìn)行準(zhǔn)確檢測。

18、在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，射線源的焦點(diǎn)與tdi探測器沿第三方向的距離fdd，滿足fdd＝fod*b，b為目標(biāo)圖像的放大倍數(shù)，放大倍數(shù)大于或等于5。

19、在本技術(shù)實(shí)施例中，可以根據(jù)盡可能小的fod以及滿足測試需求的5倍的放大倍數(shù)，在滿足測試需求的前提下，盡可能使fdd設(shè)置地較小一些，從而使tdi探測器接收的射線的輻照量越大，電極組件的成像效果越好，進(jìn)而可以對電極組件例如電極組件的錯(cuò)位量進(jìn)行準(zhǔn)確檢測。

20、在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，放大倍數(shù)大于或等于10。

21、在本技術(shù)實(shí)施例中，可以根據(jù)盡可能小的fod以及滿足測試需求的10倍的放大倍數(shù)，在滿足放大倍數(shù)的測試需求的前提下，盡可能使fdd設(shè)置地較小一些，從而使tdi探測器接收的射線的輻照量越大，電極組件的成像效果越好，進(jìn)而對電極組件例如電極組件的錯(cuò)位量進(jìn)行準(zhǔn)確檢測。

22、在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，tdi探測器沿移動(dòng)方向的像元尺寸的取值范圍為50μm～200μm。

23、在本技術(shù)實(shí)施例中，通過將tdi探測器沿電極組件的移動(dòng)方向的像元尺寸的取值范圍設(shè)置在50μm～200μm之間，既可以獲得較好的成像效果，又可以滿足電極組件檢測例如錯(cuò)位量檢測時(shí)的分辨率要求。

24、在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，tdi探測器沿移動(dòng)方向的像元尺寸的取值范圍為100μm～140μm。

25、在本技術(shù)實(shí)施例中，可以將tdi探測器沿電極組件的移動(dòng)方向的像元尺寸的取值范圍設(shè)置在100μm～140μm之間，既可以獲得較好的成像效果，又可以滿足電極組件檢測例如錯(cuò)位量檢測時(shí)的分辨率要求。

26、第二方面，提供了一種電極組件的檢測裝置，包括：圖像生成單元，用于在電極組件的移動(dòng)過程中，利用tdi探測器接收穿透電極組件的射線，并進(jìn)行成像以生成目標(biāo)圖像，其中，tdi探測器沿電極組件的移動(dòng)方向的級數(shù)大于150級；處理單元，用于根據(jù)目標(biāo)圖像，對電極組件進(jìn)行檢測。

27、在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，目標(biāo)圖像包括電極組件的多層陽極極片和多層陰極的圖像；處理單元用于：根據(jù)目標(biāo)圖像，確定電極組件的錯(cuò)位量。

28、在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，tdi探測器沿電極組件的移動(dòng)方向的級數(shù)大于或等于500級。

29、在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，電極組件的移動(dòng)速度大于或等于150mm/s。

30、在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，電極組件的移動(dòng)速度大于或等于170mm/s，其中，電極組件沿第二方向的尺寸小于或等于50mm，第二方向平行于射線源的焦點(diǎn)至tdi探測器的垂線方向，射線源用于發(fā)射射線。

31、在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，電極組件的移動(dòng)速度大于或等于350mm/s，其中，電極組件沿第二方向的尺寸小于或等于25mm。

32、在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，電極組件與射線源的焦點(diǎn)沿第三方向的距離fod，滿足fod≤a+30mm，a為電極組件沿第三方向的尺寸，第三方向平行于射線源的焦點(diǎn)至tdi探測器的垂線方向，射線源用于發(fā)射射線。

33、在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，fod≤a+20mm。

34、在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，射線源的焦點(diǎn)與tdi探測器沿第三方向的距離fdd，滿足fdd＝fod*b，b為目標(biāo)圖像的放大倍數(shù)，放大倍數(shù)大于或等于5。

35、在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，放大倍數(shù)大于或等于10。

36、在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，tdi探測器沿移動(dòng)方向的像元尺寸的取值范圍為50μm～200μm。

37、在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，tdi探測器沿移動(dòng)方向的像元尺寸的取值范圍為100μm～140μm。

38、第三方面，提供了一種電極組件的檢測裝置，所述檢測裝置包括存儲(chǔ)器和處理器，所述存儲(chǔ)器用于存儲(chǔ)指令，所述處理器用于讀取所述指令并根據(jù)所述指令執(zhí)行上述第一方面或第一方面任一項(xiàng)中所述的方法。

39、第四方面，提供了一種射線檢測設(shè)備，所述射線檢測設(shè)備包括射線源和如上述第二方面或第二方面任一項(xiàng)中所述的裝置。

40、第五方面，提供了一種芯片，包括：處理器，用于從存儲(chǔ)器中調(diào)用并運(yùn)行計(jì)算機(jī)程序，使得安裝有所述芯片的設(shè)備執(zhí)行上述第一方面或第一方面任一項(xiàng)中所述的方法。

41、第六方面，提供了一種計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，所述計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)用于存儲(chǔ)計(jì)算機(jī)程序，所述計(jì)算機(jī)程序被計(jì)算機(jī)執(zhí)行時(shí)，使得所述計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)上述第一方面或第一方面任一項(xiàng)中所述的方法。