1.一種電極組件的檢測(cè)方法，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測(cè)方法，其特征在于，所述目標(biāo)圖像包括所述電極組件的多層陽(yáng)極極片和多層陰極的圖像；
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的檢測(cè)方法，其特征在于，所述tdi探測(cè)器沿所述移動(dòng)方向的級(jí)數(shù)大于或等于500級(jí)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)中所述的檢測(cè)方法，其特征在于，所述電極組件的移動(dòng)速度大于或等于150mm/s。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4任一項(xiàng)中所述的檢測(cè)方法，其特征在于，所述電極組件的移動(dòng)速度大于或等于170mm/s，其中，所述電極組件沿第二方向的尺寸小于或等于50mm，所述第二方向平行于射線源的焦點(diǎn)至所述tdi探測(cè)器的垂線方向，所述射線源用于發(fā)射所述射線。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的檢測(cè)方法，其特征在于，所述電極組件的移動(dòng)速度大于或等于350mm/s，其中，所述電極組件沿所述第二方向的尺寸小于或等于25mm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6任一項(xiàng)中所述的檢測(cè)方法，其特征在于，所述電極組件與射線源的焦點(diǎn)沿第三方向的距離fod滿足fod≤a+30mm，a為所述電極組件沿所述第三方向的尺寸，所述第三方向平行于所述射線源的焦點(diǎn)至所述tdi探測(cè)器的垂線方向，所述射線源用于發(fā)射所述射線。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的檢測(cè)方法，其特征在于，fod≤a+20mm。
9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的檢測(cè)方法，其特征在于，所述射線源的焦點(diǎn)與所述tdi探測(cè)器沿所述第三方向的距離fdd滿足fdd＝fod*b，b為所述目標(biāo)圖像的放大倍數(shù)，所述放大倍數(shù)大于或等于5。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的檢測(cè)方法，其特征在于，所述放大倍數(shù)大于或等于10。
11.根據(jù)權(quán)利要求1至10任一項(xiàng)中所述的檢測(cè)方法，其特征在于，所述tdi探測(cè)器沿所述移動(dòng)方向的像元尺寸的取值范圍為50μm～200μm。
12.根據(jù)權(quán)利要求1至11任一項(xiàng)中所述的檢測(cè)方法，其特征在于，所述tdi探測(cè)器沿所述移動(dòng)方向的像元尺寸的取值范圍為100μm～140μm。
13.一種電極組件的檢測(cè)裝置，其特征在于，包括：
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的檢測(cè)裝置，其特征在于，所述目標(biāo)圖像包括所述電極組件的多層陽(yáng)極極片和多層陰極的圖像；
15.根據(jù)權(quán)利要求13或14所述的檢測(cè)裝置，其特征在于，所述tdi探測(cè)器沿所述移動(dòng)方向的級(jí)數(shù)大于或等于500級(jí)。
16.根據(jù)權(quán)利要求13至15任一項(xiàng)中所述的檢測(cè)裝置，其特征在于，所述電極組件的移動(dòng)速度大于或等于150mm/s。
17.根據(jù)權(quán)利要求13至16任一項(xiàng)中所述的檢測(cè)裝置，其特征在于，所述電極組件的移動(dòng)速度大于或等于170mm/s，其中，所述電極組件沿第二方向的尺寸小于或等于50mm，所述第二方向平行于射線源的焦點(diǎn)至所述tdi探測(cè)器的垂線方向，所述射線源用于發(fā)射所述射線。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的檢測(cè)裝置，其特征在于，所述電極組件的移動(dòng)速度大于或等于350mm/s，其中，所述電極組件沿所述第二方向的尺寸小于或等于25mm。
19.根據(jù)權(quán)利要求13至18任一項(xiàng)中所述的檢測(cè)裝置，其特征在于，所述電極組件與射線源的焦點(diǎn)沿第三方向的距離fod，滿足fod≤a+30mm，a為所述電極組件沿所述第三方向的尺寸，所述第三方向平行于所述射線源的焦點(diǎn)至所述tdi探測(cè)器的垂線方向，所述射線源用于發(fā)射所述射線。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的檢測(cè)裝置，其特征在于，fod≤a+20mm。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的檢測(cè)裝置，其特征在于，所述射線源的焦點(diǎn)與所述tdi探測(cè)器沿所述第三方向的距離fdd，滿足fdd＝fod*b，b為所述目標(biāo)圖像的放大倍數(shù)，所述放大倍數(shù)大于或等于5。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的檢測(cè)裝置，其特征在于，所述放大倍數(shù)大于或等于10。
23.根據(jù)權(quán)利要求13至22任一項(xiàng)中所述的檢測(cè)裝置，其特征在于，所述tdi探測(cè)器沿所述移動(dòng)方向的像元尺寸的取值范圍為50μm～200μm。
24.根據(jù)權(quán)利要求13至23任一項(xiàng)中所述的檢測(cè)裝置，其特征在于，所述tdi探測(cè)器沿所述移動(dòng)方向的像元尺寸的取值范圍為100μm～140μm。
25.一種電極組件的檢測(cè)裝置，其特征在于，所述裝置包括存儲(chǔ)器和處理器，所述存儲(chǔ)器用于存儲(chǔ)指令，所述處理器用于讀取所述指令并根據(jù)所述指令執(zhí)行如權(quán)利要求1至12任一項(xiàng)中所述的方法。
26.一種射線檢測(cè)設(shè)備，其特征在于，所述射線檢測(cè)設(shè)備包括射線源和如權(quán)利要求13至25任一項(xiàng)中所述的裝置。
27.一種芯片，其特征在于，包括：處理器，用于從存儲(chǔ)器中調(diào)用并運(yùn)行計(jì)算機(jī)程序，使得安裝有所述芯片的設(shè)備執(zhí)行如權(quán)利要求1至12任一項(xiàng)中所述的方法。
28.一種計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，其特征在于，所述計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)用于存儲(chǔ)計(jì)算機(jī)程序，所述計(jì)算機(jī)程序被計(jì)算機(jī)執(zhí)行時(shí)，使得所述計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)如權(quán)利要求1至12任一項(xiàng)中所述的方法。