本技術涉及檢測,特別是涉及一種電極組件的檢測方法和檢測裝置。
背景技術:
1、在鋰電池充放電過程中,鋰離子會在陰極極片和陽極極片之間反復脫嵌。若鋰離子從陰極脫出后沒有陽極極片使其嵌入,就會造成析出的鋰離子堆積,影響鋰電池產(chǎn)品的安全性。因此,鋰電池的電極組件的陰極極片和陽極極片要存在一定的錯位量,使得陰極極片在陽極極片的包覆范圍內(nèi)。
2、電極組件的錯位量的快速檢測可以提高電極組件及電池等的生產(chǎn)效率。因此,如何快速檢測電極組件的陽極極片和陰極極片之間的錯位量是當前亟待解決的問題之一。
技術實現(xiàn)思路
1、本技術實施例提供了一種電極組件的檢測方法和檢測裝置,可以在電極組件的移動過程中,對電極組件進行檢測,提高電極組件的檢測效率。
2、第一方面,提供了一種電極組件的檢測方法,該方法包括:在電極組件的移動過程中,利用tdi探測器對電極組件進行成像以生成目標圖像;根據(jù)目標圖像,對電極組件進行檢測。
3、在本技術實施例中,可以在電極組件的移動過程中,利用tdi探測器生成目標圖像,從而對電極組件進行檢測。一方面,電極組件可以不用移動到指定位置停止移動后再生成目標圖像,而是在電極組件的移動過程中生成目標圖像,以進行電極組件的檢測,可以提高電極組件的檢測效率,降低檢測成本。另一方面,利用tdi探測器進行檢測,可以減小檢測設備的尺寸、簡化檢測設備的結構以及降低檢測設備的成本。
4、在一種可能的實現(xiàn)方式中,目標圖像包括電極組件的多層陽極極片和多層陰極極片的圖像;根據(jù)目標圖像,對電極組件進行檢測,包括:根據(jù)目標圖像,確定電極組件的錯位量。
5、在本技術實施例中,可以在電極組件的移動過程中,利用tdi探測器生成電極組件的目標圖像,從而對電極組件的錯位量進行檢測。一方面,電極組件可以不用移動到指定位置停止移動后再生成目標圖像,而是在電極組件的移動過程中生成目標圖像,以進行電極組件錯位量的檢測,從而可以提高電極組件錯位量的檢測效率,降低檢測成本。另一方面,利用tdi探測器進行檢測,可以減小檢測設備的尺寸、簡化檢測設備的結構以及降低檢測設備的成本。
6、在一種可能的實現(xiàn)方式中,目標圖像包括多層陽極極片和多層陰極極片在第一方向上的邊沿,第一方向為電極組件的卷繞軸線的方向。
7、在本技術實施例中,目標圖像包括電極組件的多層陽極極片在卷繞軸線方向上的邊沿和多層陰極極片在卷繞軸線方向上的邊沿的圖像,從而可以基于目標圖像中的陽極極片和陰極極片在第一方向上的邊沿準確地確定電極組件的錯位量。
8、在一種可能的實現(xiàn)方式中,在電極組件的移動過程中,利用tdi探測器對電極組件進行成像以生成目標圖像,包括:在電極組件的移動過程中,利用tdi探測器接收穿透電極組件的拐角區(qū)域的射線并進行成像,以生成目標圖像。
9、在本技術實施例中,可以根據(jù)穿透電極組件的拐角區(qū)域的射線,在tdi探測器進行成像,從而便可以根據(jù)包括拐角區(qū)域的目標圖像清晰且準確地確定電極組件的錯位量。
10、在一種可能的實現(xiàn)方式中,發(fā)射射線的射線源包括一體式x射線源。
11、在本技術實施例中,通過利用返修率低、穩(wěn)定性高、體積小、方便操作與安裝的一體式x射線源發(fā)射x射線,既可以提高電極組件的檢測的穩(wěn)定性和效率,也可以合理地利用檢測設備的空間。
12、在一種可能的實現(xiàn)方式中,射線的焦點至tdi探測器的垂線方向垂直于電極組件的卷繞軸線的方向。
13、在本技術實施例中,通過將射線的焦點至tdi探測器的垂線方向與電極組件的卷繞軸線的方向設置為相互垂直,可以獲得包括電極組件的拐角區(qū)域的多層陽極極片和多層陰極極片的清晰的目標圖像,從而可以基于拐角區(qū)域陽極極片和陰極極片直觀且清晰地確定電極組件的錯位量,提高電極組件錯位量的檢測準確性。
14、在一種可能的實現(xiàn)方式中,電極組件的徑向距離最小的徑所在的方向平行于射線的焦點至tdi探測器的垂線方向。
15、在本技術實施例中,通過將電極組件的徑向距離最小的徑所在的方向與射線的焦點至tdi探測器的垂線方向設置為平行,能夠降低射線所需穿透的電極組件的尺寸,從而可以降低所需的射線的能量,節(jié)約能耗。
16、在一種可能的實現(xiàn)方式中,目標圖像包括電極組件的兩個拐角區(qū)域的圖像,兩個拐角區(qū)域位于電極組件在第二方向上的一端,第二方向垂直于電極組件的移動方向且垂直于射線的焦點至tdi探測器的垂線方向。
17、在本技術實施例中,可以在電極組件的移動過程中,可以同時得到包括電極組件兩個拐角區(qū)域的目標圖像,從而可以確定電極組件兩個拐角區(qū)域的陽極極片和陰極極片之間的錯位量,能夠提高電極組件錯位量的檢測效率和準確性。
18、在一種可能的實現(xiàn)方式中,在電極組件的移動過程中,利用tdi探測器接收穿透電極組件的拐角區(qū)域的射線并進行成像,以生成目標圖像,包括:在電極組件的移動過程中,利用第一tdi探測器接收第一射線源發(fā)射的穿透第一拐角區(qū)域和第二拐角區(qū)域的射線并進行成像,以生成第一目標圖像;以及利用第二tdi探測器接收第二射線源發(fā)射的穿透第三拐角區(qū)域和第四拐角區(qū)域的射線并進行成像,以生成第二目標圖像,其中,第一拐角區(qū)域和第二拐角區(qū)域位于電極組件在第二方向上的一端,第三拐角區(qū)域和第四拐角區(qū)域位于電極組件在第二方向上的另一端,目標圖像包括第一目標圖像和第二目標圖像,tdi探測器包括第一tdi探測器和第二tdi探測器。
19、在本技術實施例中,利用兩個射線源和兩個tdi探測器分別得到第一目標圖像和第二目標圖像,從而確定電極組件的四個拐角區(qū)域的陽極極片和陰極極片的錯位量,可以提高電極組件錯位量的檢測準確性和檢測效率。
20、第二方面,提供了一種電極組件的檢測裝置,該檢測裝置包括:圖像生成單元,用于在電極組件的移動過程中,利用tdi探測器對電極組件進行成像以生成目標圖像;處理單元,根據(jù)目標圖像,對電極組件進行檢測。
21、在一種可能的實現(xiàn)方式中,目標圖像包括電極組件的多層陽極極片和多層陰極極片的圖像;處理單元用于:根據(jù)目標圖像,確定多層陽極極片和多層陰極極片之間的錯位量。
22、在一種可能的實現(xiàn)方式中,目標圖像片包括多層陽極極片和多層陰極極片在第一方向上的邊沿,第一方向為電極組件的卷繞軸線的方向。
23、在一種可能的實現(xiàn)方式中,圖像生成單元用于:在電極組件的移動過程中,利用tdi探測器接收穿透電極組件的拐角區(qū)域的射線并進行成像,以生成目標圖像。
24、在一種可能的實現(xiàn)方式中,發(fā)射射線的射線源包括一體式x射線源。
25、在一種可能的實現(xiàn)方式中,射線的焦點至tdi探測器的垂線方向垂直于電極組件的卷繞軸線的方向。
26、在一種可能的實現(xiàn)方式中,電極組件的徑向距離最小的徑所在的方向平行于射線的焦點至tdi探測器的垂線方向。
27、在一種可能的實現(xiàn)方式中,目標圖像包括電極組件的兩個拐角區(qū)域的圖像,兩個拐角區(qū)域位于電極組件在第二方向的一端,第二方向垂直于電極組件的移動方向且垂直于射線的焦點至tdi探測器的垂線方向。
28、在一種可能的實現(xiàn)方式中,圖像生成單元用于:在電極組件的移動過程中,利用第一tdi探測器接收第一射線源發(fā)射的穿透第一拐角區(qū)域和第二拐角區(qū)域的射線并進行成像以生成第一目標圖像;以及,利用第二tdi探測器接收第二射線源發(fā)射的穿透第三拐角區(qū)域和第四拐角區(qū)域的射線并進行成像,以生成第二目標圖像,其中,第一拐角區(qū)域和第二拐角區(qū)域位于電極組件在第二方向的一端,第三拐角區(qū)域和第四拐角區(qū)域位于電極組件在第二方向的另一端,目標圖像包括第一目標圖像和第二目標圖像,tdi探測器包括第一tdi探測器和第二tdi探測器。
29、第三方面,提供了一種電極組件的檢測裝置,所述檢測裝置包括存儲器和處理器,所述存儲器用于存儲指令,所述處理器用于讀取所述指令并根據(jù)所述指令執(zhí)行上述第一方面或第一方面任一項中所述的方法。
30、第四方面,提供了一種射線檢測設備,所述射線檢測設備包括射線源和如上述第二方面或第二方面任一項中所述的裝置。
31、第五方面,提供了一種芯片,包括:處理器,用于從存儲器中調(diào)用并運行計算機程序,使得安裝有所述芯片的設備執(zhí)行上述第一方面或第一方面任一項中所述的方法。
32、第六方面,提供了一種計算機可讀存儲介質(zhì),所述計算機可讀存儲介質(zhì)用于存儲計算機程序,所述計算機程序被計算機執(zhí)行時,使得所述計算機實現(xiàn)上述第一方面或第一方面任一項中所述的方法。